Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3 4
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние электронного насыщения таммовских уровней на автоэмиссионные свойства кристаллов кремния

DOI: 10.21883/JTF.2017.10.45004.2146

Российский научный фонд, «Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований отдельными научными группами», 16-19- 10033

Яфаров Р.К.

¹Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Саратов, Россия Saratov Branch, Kotel’nikov Institute of Radio Engineering and Electronics, Russian Academy of Sciences, Saratov, Russia

Saratov Branch, Kotel’nikov Institute of Radio Engineering and Electronics, Russian Academy of Sciences, Saratov, Russia

Email: pirpc@yandex.ru

Поступила в редакцию: 23 декабря 2016 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2017 г.

PDF версия

Показано влияние плазмохимической модификации морфологии и состава поверхностной фазы на автоэмиссионные свойства кристаллов кремния. Установлено, что электронное насыщение таммовских уровней в процессе получения атомно-чистых поверхностей кристаллов кремния и стабилизирующая пассивация поверхностных атомов в высокоионизованной микроволновой плазме с использованием хладона-14 позволяет по сравнению с пластинами с естественным оксидным покрытием или после их ионно-физического травления в среде аргона более чем в два раза уменьшить пороги напряженности электрического поля, при которых начинается полевая эмиссия электронов, и более чем на порядок увеличить максимальные плотности автоэмиссионных токов. Рассмотрены физико-химические механизмы, ответственные за модификацию поверхности и автоэмиссионных характеристик кристаллов кремния. DOI: 10.21883/JTF.2017.10.45004.2146

Velasquez-Garci a L.F., Guerrera S., Niu Y., Akinwande A.I. // IEEE Trans. Electron Dev. (2011). Vol. 58. P. 1783
Гуляев Ю.B., Абаньшин Н.П., Горфинкель Б.И., Морев С.П., Резчиков А.Ф., Синицын Н.И., Якунин А.Н. // Письма в ЖТФ. 2013. Т. 39. Вып. 11. С. 63--70
Яфаров Р.К. Физика СВЧ вакуумно-плазменных нанотехнологий. М.: Физматлит, 2009. 216 с
Ивановский Г.Ф., Петров В.И. Ионно-плазменная обработка материалов. М.: Радио и связь, 1986. 232 с
Яфаров Р.К. // ФТП. 2015. Т. 49. Вып. 3. С. 329--335
Усанов Д.А., Яфаров Р.К. Методы получения и исследования самоорганизующихся наноструктур на основе кремния и углерода. Саратов: Сарат. гос. ун-т, 2011. 126 с
Оура К., Лифшиц В.Г., Саранин А.А., Зотов А.В., Катаяма М. Введение в физику поверхности. М.: Наука, 2006. 490 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель