Проведено численное моделирование процесса резкого обрыва обратного тока большой плотности при переключении с прямого смещения на обратное в кремниевой p⁺P₀n⁺-структуре (p-SOS-диоде). Показано, что в такой структуре обрыв тока происходит вследствие формирования двух динамических доменов сильного электрического поля в областях, где концентрация свободных носителей значительно превышает концентрацию легирующей примеси. Первый домен формируется в n⁺-области у n⁺P₀-перехода, а второй в P₀-области у границы с p⁺-слоем. Второй домен расширяется существенно быстрее и именно он в основном определяет скорость обрыва тока. Достигнуто хорошее согласие расчета с экспериментом при полном учете реальной электрической цепи, определяющей процессы накачки и выкачки электронно-дырочной плазмы. DOI: 10.21883/JTF.2017.12.45199.2313

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.