Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Генерация высоковольтных импульсов карбидкремниевыми дрейфовыми диодами с резким восстановлением (сравнение диодов с базой n- и p-типа)
Переводная версия: 10.1134/S1063784218010152 
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: Pavel.Ivanov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 11 мая 2017 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2017 г.
Проведены расчеты временных характеристик импульсных генераторов с дрейфовыми диодами с резким восстановлением на основе 4H-SiC. Показано, что при фиксированных величинах амплитуды и начального "пьедестала" на зависимости выходного напряжения (не более 5% от амплитуды) 4H-SiC-диоды с базой p-типа уступают диодам с базой n-типа по быстродействию. DOI: 10.21883/JTF.2018.01.45488.2327
- Грехов И.В., Месяц Г.А. // УФН. 2005. Т. 175. N 7. С. 735-744
- Иванов П.А., Грехов И.В. // ЖТФ. 2016. Т. 86. Вып. 2. С. 85-88
- Ivanov P.A., Potapov A.S., Samsonova T.P, Grekhov I.V. // Sol. Stat. Electron. 2016. Vol. 123. P. 15-18
- Hjelm M., Nilsson H.-E., Martinez A., Brennan K.F., Bellotti E. // J. Appl. Phys. 2003. Vol. 93. P. 1099-1107
- Bellotti E., Farahmand M., Goano M., Ghillino E., Garetto C., Ghione G., Nilsson H.-E., Brennan K.F., Ruden P.P. // Intern. J. High Speed Electron. and Systems. 2001. Vol. 11. P. 525-584
- Konstantinov A.O., Wahab Q., Nordell N., Lindefelt U. // Appl. Phys. Lett. 1997. Vol. 71. N 1. P. 90-92.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
