Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Разработка и исследование автоэмиссионной среды для автокатодов мобильных силовых СВЧ приборов
Переводная версия: 10.1134/S1063784218030027 
Беспалов В.А.1, Ильичeв Э.А.1, Куклев С.В.2, Кулешов А.Е.1, Набиев Р.М.1, Патюков Н.Н.1, Петрухин Г.Н.1, Рычков Г.С.1, Соколов Д.С.2, Теверовская Е.Г.1, Шелюхин Е.Ю.1
1Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники", Москва, Зеленоград, Россия 
2Общество с ограниченной ответственностью "МЭЛЗ ФЭУ", Зеленоград, Москва, Россия
2Общество с ограниченной ответственностью "МЭЛЗ ФЭУ", Зеленоград, Москва, Россия
Email: edil44@mail.ru
Поступила в редакцию: 23 ноября 2016 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2018 г.
Предложены и экспериментально исследованы автоэмиссионные среды, выполненные на основе гетероструктуры кремний/алмаз с массивами кремниевых микроострий на гетерогранице. Архитектура гетероструктур оптимизирована для применений в качестве активной среды автокатодов мобильных силовых СВЧ приборов. DOI: 10.21883/JTF.2018.03.45607.2107
- Ayzenshtat G.I., Yushenko A.Y., Gushchin S.M., Dmitriev D.V. et al. // Semiconductors. 2010. Vol. 44. N 10. P. 1362-1364
- Коколов А.А., Черкашин М.В. // Докл. ТУСУРа. 2011. N 2 (24). Ч. 2. C. 17-23
- Hek A.P. Design, Realization and Test of GaAs-based Monolithic Integrated X-band High Power Amplifiers. Eindhoven: Technische Universiteit Eindhoven, 2002. 322 p
- Subramanian K. et al. Backgated Diamond Field Tip Array Cathodes for 220 GHr TWT. Vanderbilt University, 2009. Final Report. Under Contract W911NF-08-C-0052
- James B.G. // Microwave Systems News and Commun. Technology. 1986. Vol. 16. N 10. P. 105-118
- Yu M., Ward R., Hovda D.H. et al. // IEEE Microw. Wirel. Co. 2007. Vol. 17. N 12. P. 894-896
- Ma B.Y., Boutros K.S., Hacker J.B., Nagy G. // IEEE MTT-S. 2008. P. 1473-1476
- Махов В.И. // Электронная промышленность. 1994. N 7-8. С. 93-98
- Chung B.H., Han S.Y., Choi J.O. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2002. Vol. 20 (50). P. 2080-2084
- Wang Z.L., Gao R.P., de Heer W.A., Poncharal P. // Appl. Phys. Lett. 2002. Vol. 80. P. 856-859
- Дюбуа Б.Ч., Королeв А.Н. // Электронная техника. Cер. 1. СВЧ-техника. 2011. Вып. 1 (508). С. 5-24
- Ляшенко С.А., Волков А.П., Образцов А.Н. // ЖТФ. 2012. Т. 82. Вып. 2. С. 94-98
- Jensen K.L., Yater J.E., Shaw J.L. et al. // J. Appl. Phys. 2010. Vol. 108. P. 044509
- Ha J.K., Chung B.H., Han S.Y. et al. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2002. Vol. 20. N 50. P. 2080-2084
- Беспалов В.А., Ильичев Э.А., Кириленко Е.П. и др. // Изв. вузов. Электроника. 2014. N 4 (108). С. 27-35
- Беспалов В.А., Ильичев Э.А., Кулешов А.Е., Мигунов Д.М. и др. // Письма в ЖТФ. 2013. Т. 39. Вып. 4. С. 46-52
- Беспалов В.А., Ильичев Э.А., Кулешов А.Е., Мигунов Д.М. и др. // ЖТФ. 2014. Т. 84. Вып. 10. С. 112-116
- Ильичев Э., Кулешов А., Набиев Р., Петрухин Г. и др. // Электроника НТБ. 2014. Спецвыпуск (00137). С. 143-155
- Горячев А.В., Ильичев Э.А., Кирпиленко Г.Г., Кириленко Е.П., Мигунова Е.С., Петрухин Г.Н., Рычков Г.С., Шелюхин Е.Ю. // 12-я междунар. конф. "Плeнки и покрытия-2015". СПб., 2015. С. 219-221
- Belyaev S.N., Kirpilenko G.G., Kirilenko E.P., Goryachev A.V. et al. // J. Surf. Invest. X-ray. 2016. Vol. 10. N 4. P. 753-757
- ГК N 14.427.11.0003. Шифр "2013-24-14-426-0001". НИУ "МИЭТ". Зеленоград. Руководитель НИР Ильичeв Э.А
- Ильичев Э.А., Набиев Р.М., Петрухин Г.Н., Рычков Г.С., Кулешов А.Е., Мигунов Д.М. // Изв. вузoв. Электроника. 2011. N 5 (91). С. 18-35
- Ильичев Э.А., Кулешов А.Е., Набиев Р.М., Петрухин Г.Н. и др. // Письма в ЖТФ. 2013. Т. 39. Вып. 18. С. 25-31
- Ильичев Э.А., Кириленко Е.П., Петрухин Г.Н., Рычков Г.С. и др. // Письма в ЖТФ. 2014. Т. 40. Вып. 2. С. 10-15
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
