Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2018, выпуск 3 » Статья стр. 455
<<<>>>
Разработка и исследование автоэмиссионной среды для автокатодов мобильных силовых СВЧ приборов
DOI: 10.21883/JTF.2018.03.45607.2107
Переводная версия: 10.1134/S1063784218030027
Беспалов В.А.1, Ильичeв Э.А.1, Куклев С.В.2, Кулешов А.Е.1, Набиев Р.М.1, Патюков Н.Н.1, Петрухин Г.Н.1, Рычков Г.С.1, Соколов Д.С.2, Теверовская Е.Г.1, Шелюхин Е.Ю.1
1Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники", Москва, Зеленоград, Россия
2Общество с ограниченной ответственностью "МЭЛЗ ФЭУ", Зеленоград, Москва, Россия
Email: edil44@mail.ru
Поступила в редакцию: 23 ноября 2016 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2018 г.
PDF версия
Предложены и экспериментально исследованы автоэмиссионные среды, выполненные на основе гетероструктуры кремний/алмаз с массивами кремниевых микроострий на гетерогранице. Архитектура гетероструктур оптимизирована для применений в качестве активной среды автокатодов мобильных силовых СВЧ приборов. DOI: 10.21883/JTF.2018.03.45607.2107
  1. Ayzenshtat G.I., Yushenko A.Y., Gushchin S.M., Dmitriev D.V. et al. // Semiconductors. 2010. Vol. 44. N 10. P. 1362-1364
  2. Коколов А.А., Черкашин М.В. // Докл. ТУСУРа. 2011. N 2 (24). Ч. 2. C. 17-23
  3. Hek A.P. Design, Realization and Test of GaAs-based Monolithic Integrated X-band High Power Amplifiers. Eindhoven: Technische Universiteit Eindhoven, 2002. 322 p
  4. Subramanian K. et al. Backgated Diamond Field Tip Array Cathodes for 220 GHr TWT. Vanderbilt University, 2009. Final Report. Under Contract W911NF-08-C-0052
  5. James B.G. // Microwave Systems News and Commun. Technology. 1986. Vol. 16. N 10. P. 105-118
  6. Yu M., Ward R., Hovda D.H. et al. // IEEE Microw. Wirel. Co. 2007. Vol. 17. N 12. P. 894-896
  7. Ma B.Y., Boutros K.S., Hacker J.B., Nagy G. // IEEE MTT-S. 2008. P. 1473-1476
  8. Махов В.И. // Электронная промышленность. 1994. N 7-8. С. 93-98
  9. Chung B.H., Han S.Y., Choi J.O. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2002. Vol. 20 (50). P. 2080-2084
  10. Wang Z.L., Gao R.P., de Heer W.A., Poncharal P. // Appl. Phys. Lett. 2002. Vol. 80. P. 856-859
  11. Дюбуа Б.Ч., Королeв А.Н. // Электронная техника. Cер. 1. СВЧ-техника. 2011. Вып. 1 (508). С. 5-24
  12. Ляшенко С.А., Волков А.П., Образцов А.Н. // ЖТФ. 2012. Т. 82. Вып. 2. С. 94-98
  13. Jensen K.L., Yater J.E., Shaw J.L. et al. // J. Appl. Phys. 2010. Vol. 108. P. 044509
  14. Ha J.K., Chung B.H., Han S.Y. et al. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2002. Vol. 20. N 50. P. 2080-2084
  15. Беспалов В.А., Ильичев Э.А., Кириленко Е.П. и др. // Изв. вузов. Электроника. 2014. N 4 (108). С. 27-35
  16. Беспалов В.А., Ильичев Э.А., Кулешов А.Е., Мигунов Д.М. и др. // Письма в ЖТФ. 2013. Т. 39. Вып. 4. С. 46-52
  17. Беспалов В.А., Ильичев Э.А., Кулешов А.Е., Мигунов Д.М. и др. // ЖТФ. 2014. Т. 84. Вып. 10. С. 112-116
  18. Ильичев Э., Кулешов А., Набиев Р., Петрухин Г. и др. // Электроника НТБ. 2014. Спецвыпуск (00137). С. 143-155
  19. Горячев А.В., Ильичев Э.А., Кирпиленко Г.Г., Кириленко Е.П., Мигунова Е.С., Петрухин Г.Н., Рычков Г.С., Шелюхин Е.Ю. // 12-я междунар. конф. "Плeнки и покрытия-2015". СПб., 2015. С. 219-221
  20. Belyaev S.N., Kirpilenko G.G., Kirilenko E.P., Goryachev A.V. et al. // J. Surf. Invest. X-ray. 2016. Vol. 10. N 4. P. 753-757
  21. ГК N 14.427.11.0003. Шифр "2013-24-14-426-0001". НИУ "МИЭТ". Зеленоград. Руководитель НИР Ильичeв Э.А
  22. Ильичев Э.А., Набиев Р.М., Петрухин Г.Н., Рычков Г.С., Кулешов А.Е., Мигунов Д.М. // Изв. вузoв. Электроника. 2011. N 5 (91). С. 18-35
  23. Ильичев Э.А., Кулешов А.Е., Набиев Р.М., Петрухин Г.Н. и др. // Письма в ЖТФ. 2013. Т. 39. Вып. 18. С. 25-31
  24. Ильичев Э.А., Кириленко Е.П., Петрухин Г.Н., Рычков Г.С. и др. // Письма в ЖТФ. 2014. Т. 40. Вып. 2. С. 10-15

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme