Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Температура поверхности конденсации как инструмент для исследования механизмов формирования пленок
Переводная версия: 10.1134/S1063784218040187 
Шагинян Л.Р.1, Фирстов С.А.1, Копылов И.Ф.
1
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Киев, Украина 
Email: lrshag49@gmail.com
Поступила в редакцию: 11 июля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2018 г.
Повышение температуры поверхности конденсации в процессе роста пленки есть результат диссипации различных видов энергии на этой поверхности. Одним из видов энергии является теплота химических реакций, которая выделяется в процессе осаждения пленки, получаемой реакционным магнетронным распылением. Мониторинг температуры поверхности, Tsurf, при осаждении пленок TiN при реакционном (Ti-in-N2) и безреакционном (TiN-in-Ar и TiN-in-N2) методах распыления показал, что максимальная величина этой температуры наблюдалась при реакционном методе, а в ряду безреакционных модификаций (TiN-in-Ar)-(TiN-in-N2) она убывала. В то же время состав и кристаллическая структура пленок TiN не зависели от метода получения и соответствовали таковым у объемного нитрида титана. На основании этих результатов предложен механизм формирования пленок, получаемых указанными методами. Предполагается, что в процессе реакционного распыления пленка формируется на поверхности конденсации путем реакции между атомами азота и титана, тогда как в безреакционных методах распыления формирование пленки осуществляется из молекул TiN. DOI: 10.21883/JTF.2018.04.45727.2428
- Ивановский Г.Ф., Петров В.И. Ионно-плазменная обработка материалов. М.: Радио и связь, 1986. 231 с
- Smith D.L. Thin-Film Deposition. N.Y.: McGraw-Hill, 1995. 616 p
- Orhing M. Materials Science of ThinFilms. 2nd ed. London: Academic Press, 2001. 794 p
- Han J.G. J. Phys. D: Appl. Phys. 2009. Vol. 42. P. 043001--0430017
- Manova D., Gerlach J.W., Mandl S. Materials. 2010. Vol. 3. P. 4109--4141
- Avelar-Batista J.C., Wilson A.D., Davison A., Matthews A., Fancey K.S. // J. Vac. Sci. Technol. A. 2003. Vol. 21. P. 1702--1707
- Shaginyan L.R., Han J.G. // Thin Solid Films. 2004. Vol. 458. P. 186--190
- Petrov I., Myers A., Greene J.E., Abelson J.R. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1994. Vol. 12. P. 2846--2854
- Heinrich R., Wucher A. // Nucl. Instrum. Meth. B. 1998. Vol. 140. P. 27--38
- Shaginyan L.R., Kim Y.J., Britun N.V., Han J.G., Musil J., Belousov I.V. // Surf. Coat. Tech. 2007. Vol. 202. P. 486--493
- Thornton J.A. // Thin Solid Films. 1978. Vol. 54. Vol. 23--31
- Andritschky M., Guimardes F., Teixeira V. // Vacuum 1993. Vol. 44. P. 809--813
- Kersten H., Deutsch H., Steffen H,, Kroesen G.M.W., Hippler R. // Vacuum 2011. Vol. 63. P. 385--401
- Hofer W.O. Sputtering by particle bombardment Ed. by R. Berisch, K. Wittmaack. Vol. III. Berlin: Springer. 1991. P. 67--81
- Shivashankar S.A., Robinson B. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1986. Vol. 4. P. 1826--1829
- Mozetiv c M., Zalar A., Drobniv c M. // Thin Solid Films. 1999. Vol. 343--343. P. 101--104
- Steurns C.A., Kohl F.J. // The dissociation energy of gaseous titanium mononitride. NASA Technical NoteD-5027. Lewis Research Center, Cleveland, Ohio. 1969. P. 1--20. https://ntrs.nasa.gov/archive/nasa/casi.ntrs.nasa.gov/ 19690009791.pdf
- Miv sina M., Shaginyan L.R., Mav cek M., Panjan P. // Surf. Coat. Tech. 2001. Vol. 142--144. P. 348--354
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
