Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2018, выпуск 4 » Статья стр. 578
<<<>>>
Температура поверхности конденсации как инструмент для исследования механизмов формирования пленок
DOI: 10.21883/JTF.2018.04.45727.2428
Переводная версия: 10.1134/S1063784218040187
Шагинян Л.Р.1, Фирстов С.А.1, Копылов И.Ф. 1
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Email: lrshag49@gmail.com
Поступила в редакцию: 11 июля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2018 г.
PDF версия
Повышение температуры поверхности конденсации в процессе роста пленки есть результат диссипации различных видов энергии на этой поверхности. Одним из видов энергии является теплота химических реакций, которая выделяется в процессе осаждения пленки, получаемой реакционным магнетронным распылением. Мониторинг температуры поверхности, Tsurf, при осаждении пленок TiN при реакционном (Ti-in-N2) и безреакционном (TiN-in-Ar и TiN-in-N2) методах распыления показал, что максимальная величина этой температуры наблюдалась при реакционном методе, а в ряду безреакционных модификаций (TiN-in-Ar)-(TiN-in-N2) она убывала. В то же время состав и кристаллическая структура пленок TiN не зависели от метода получения и соответствовали таковым у объемного нитрида титана. На основании этих результатов предложен механизм формирования пленок, получаемых указанными методами. Предполагается, что в процессе реакционного распыления пленка формируется на поверхности конденсации путем реакции между атомами азота и титана, тогда как в безреакционных методах распыления формирование пленки осуществляется из молекул TiN. DOI: 10.21883/JTF.2018.04.45727.2428
  1. Ивановский Г.Ф., Петров В.И. Ионно-плазменная обработка материалов. М.: Радио и связь, 1986. 231 с
  2. Smith D.L. Thin-Film Deposition. N.Y.: McGraw-Hill, 1995. 616 p
  3. Orhing M. Materials Science of ThinFilms. 2nd ed. London: Academic Press, 2001. 794 p
  4. Han J.G. J. Phys. D: Appl. Phys. 2009. Vol. 42. P. 043001--0430017
  5. Manova D., Gerlach J.W., Mandl S. Materials. 2010. Vol. 3. P. 4109--4141
  6. Avelar-Batista J.C., Wilson A.D., Davison A., Matthews A., Fancey K.S. // J. Vac. Sci. Technol. A. 2003. Vol. 21. P. 1702--1707
  7. Shaginyan L.R., Han J.G. // Thin Solid Films. 2004. Vol. 458. P. 186--190
  8. Petrov I., Myers A., Greene J.E., Abelson J.R. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1994. Vol. 12. P. 2846--2854
  9. Heinrich R., Wucher A. // Nucl. Instrum. Meth. B. 1998. Vol. 140. P. 27--38
  10. Shaginyan L.R., Kim Y.J., Britun N.V., Han J.G., Musil J., Belousov I.V. // Surf. Coat. Tech. 2007. Vol. 202. P. 486--493
  11. Thornton J.A. // Thin Solid Films. 1978. Vol. 54. Vol. 23--31
  12. Andritschky M., Guimardes F., Teixeira V. // Vacuum 1993. Vol. 44. P. 809--813
  13. Kersten H., Deutsch H., Steffen H,, Kroesen G.M.W., Hippler R. // Vacuum 2011. Vol. 63. P. 385--401
  14. Hofer W.O. Sputtering by particle bombardment Ed. by R. Berisch, K. Wittmaack. Vol. III. Berlin: Springer. 1991. P. 67--81
  15. Shivashankar S.A., Robinson B. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1986. Vol. 4. P. 1826--1829
  16. Mozetiv c M., Zalar A., Drobniv c M. // Thin Solid Films. 1999. Vol. 343--343. P. 101--104
  17. Steurns C.A., Kohl F.J. // The dissociation energy of gaseous titanium mononitride. NASA Technical NoteD-5027. Lewis Research Center, Cleveland, Ohio. 1969. P. 1--20. https://ntrs.nasa.gov/archive/nasa/casi.ntrs.nasa.gov/ 19690009791.pdf
  18. Miv sina M., Shaginyan L.R., Mav cek M., Panjan P. // Surf. Coat. Tech. 2001. Vol. 142--144. P. 348--354

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme