Вышедшие номера
Исследование вакансионной системы реструктурированного цинка методом аннигиляции позитронов
Переводная версия: 10.1134/S106378421806021X
Соловьев Е.М.1, Спицын Б.В.2, Лаптев Р.С.3, Лидер А.М.3, Бордулев Ю.С.3, Михайлов А.А.3
1НИЦ Специальные технологии, Москва, Россия
2Институт физической химии и электрохимии им. А.Н. Фрумкина РАН, Москва, Россия
3Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
Email: spitsyn@phyche.ac.ru
Поступила в редакцию: 23 января 2017 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2018 г.

Получен реструктурированный цинк (цинк высокой чистоты, подготовленный путем механо-термического воздействия различного уровня интенсивности), и проведено изучение его структуры методами позитронной спектроскопии. В реструктурированных образцах обнаружены и количественно исследованы объемные дефекты вакансионного типа (вакансии и вакансионные кластеры), а также области с расширенной кристаллической решеткой. Эти эффекты являются причиной возникновения внутренних микронапряжений в материале, которые обуславливают изменение свойств материала.