Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2018, выпуск 8 » Статья стр. 1211
<<<>>>
Влияние структуры омических контактов на характеристики GaAs/AlGaAs фотоэлектрических преобразователей
DOI: 10.21883/JTF.2018.08.46311.2591
Переводная версия: 10.1134/S106378421808011X
Российский научный фонд, 17-79-30035/2017
Малевская А.В. 1, Калиновский В.С. 1, Ильинская Н.Д. 1, Малевский Д.А. 1, Контрош Е.В.1, Шварц М.З. 1, Андреев В.М. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: amalevskaya@mail.ioffe.ru, vmandreev@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 8 декабря 2017 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2018 г.
PDF версия
Разработана многослойная система омических контактов для GaAs/AlGaAs фотоэлектрических преобразователей излучения. Предложена и исследована технология "чернения" омических контактов с целью уменьшения коэффициента отражения оптического сигнала от поверхности многослойного контакта на основе структуры Ag/Au/Ag. Достигнуто снижение коэффициента отражения излучения от контактов более чем в 10 раз за счет чернения омических контактов.
  1. Андреев В.М. // Современная электроника. 2014. Т. 6. С. 20
  2. Ванке В.А. // Журнал радиоэлектроники. 2007. Т. 12. С. 98
  3. Bogushevskaya V., Zhalnin B., Zayats O., Maslyakov Ya., Matsak I., Nikonov A., Obrucheva Ye., Tugaenko V. // Thermal. Eng. 2012. Vol. 59. N 13. P. 975
  4. Liu Yu., Qin Zh., Zhao Ch. AutoCharge: Automatically Charge Smartphones Using a Light Beam. https://www.microsoft.com
  5. Серебряков В.А. Лазерные технологии в медицине. СПб: СПбГУ ИТМО, 2009. 266 c
  6. Девятков Н.Д. // Электронная техника. Сер. СВЧ-техника. 1993. Т. 1. N 455. С. 67
  7. Oliva E., Dimroth F., Bett A.W. // Prog. Photovoltaics Res. Appl. 2008. Vol. 16. N 4. P. 289
  8. Andreev V., Khvostikov V., Kalinovsky V., Lantratov V., Grilikhes V., Rumyantsev V., Shvarts M., Fokanov V., Pavlov A. // Proc. of the 3rd World Conf. on PV Energy Conv. 2003. Vol. 1. P. 761
  9. Shan T., Qi X. // Infrared Phys. Techn. 2015. Vol. 71. P. 144
  10. Schubert J., Oliva E., Dimroth F., Loeckenhoff R., Bett A.W. // IEEE Trans. Electron. Dev. 2009. Vol. 56. N 2. P. 170
  11. Андреев В.М., Гудовских А.С., Задиранов Ю.М., Малевская А.В. Патент N 2436191. 2011. БИ. N 34
  12. Андреев В.М., Ильинская Н.Д., Калюжный Н.А., Лантратов В.М., Малевская А.В., Минтаиров М.С. Патент N 2419918. 2011. БИ. N 15
  13. Андреев В.М., Евстропов В.В., Калиновский В.С., Лантратов В.М., Хвостиков В.П. // ФТП. 2009. Т. 43. Вып. 5. С. 671

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme