Аналитическая модель атомно-слоевого осаждения тонких пленок на стенки цилиндрических отверстий с высоким аспектным отношением
Поступила в редакцию: 28 декабря 2017 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2018 г.
Предложена теоретическая модель, предсказывающая профиль толщины пленки, выращиваемой на стенках высокоаспектного цилиндрического отверстия методом атомно-слоевого осаждения. Модель дает возможность рассчитать критическое время подачи прекурсора, необходимое для конформного покрытия стенок отверстия. Получена аналитическая формула, позволяющая оценить минимальное время подачи прекурсора в зависимости от параметров технологического процесса.
- Gardner D.S., Holzwarth C.W., Liu Y. // Electron Devices Meeting (IEDM). 2014. IEEE International. doi 10.1109/IEDM.2014.7047009
- Atomic Layer Deposition of Nanostructured Materials / Ed. by N. Pinna, M. Knez. Wiley-VCH Verlag \& Co. KGaA, 2012. 435 p
- Gordon R.G., Hausmann D., Kim E., Shepard J. // Chem. Jap. Depos. 2003. Vol. 9. N 2. P. 73--78
- Rose M., Bartha J.W. // Appl. Surf. Sci. 2009. Vol. 256. P. 6620--6623
- Rose M., Bartha J.W., Endler I. // Appl. Surf. Sci. 2010. Vol. 255. P. 3778--3782
- Knoops H.C.M., Langereis E., van de Sanden M.C.M., Kessels M.M. // J. Electrochem. Soc. 2010. Vol. 57. N 12. P. G241--G249
- Yanguas-Gil A., Elam J.W. // ECS Transactions. 2011. Vol. 41. N 2. P. 169--174
- Yanguas-Gil A., Elam J.W. // Chem. Vap. Depos. 2012. Vol. 18. P. 46--52
- Wang W.B., Abelson J.R. // J. Appl. Phys. 2014. Vol. 116. P. 116--124
- Фадеев А.В., Мяконьких А.В., Руденко К.В. // ЖТФ. 2018. Вып. 88. N 2. С. 243--250
- Розанов Л.М. Вакуумная техника. М.: Высшая школа, 1990. 320 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.