Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2018, выпуск 10 » Статья стр. 1559
<<<>>>
Генерация квантово-каскадных лазеров на длине волны излучения 9.6 mum
DOI: 10.21883/JTF.2018.10.46502.99-18
Переводная версия: 10.1134/S1063784218100043
Министерство образования и науки РФ , Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014–2020 гг., RFMEFI61617X0074
Бабичев А.В. 1, Гусев Г.А.2, Софронов А.Н.2, Фирсов Д.А.2, Воробьев Л.Е.2, Усикова А.А.1, Задиранов Ю.М.1, Ильинская Н.Д.1, Неведомский В.Н.1, Дюделев В.В.1, Соколовский Г.С.1,3, Гладышев А.Г.4, Карачинский Л.Я.1,4,5, Новиков И.И.1,4,5, Егоров А.Ю.5
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
4ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
5Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: anton.egorov@connector-optics.com
Поступила в редакцию: 2 марта 2018 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2018 г.
PDF версия
Продемонстрирована генерация полосковых квантово-каскадных лазеров (ККЛ), изготовленных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на длине волны излучения 9.6 mum в импульсном режиме накачки при температуре 140 K. Активная область основана на конструкции с трехфононным резонансным рассеянием электронов. При построении периодов ККЛ использована гетеропара твердых растворов In0.53Ga0.47As/Al0.48In0.52As. Применена геометрия волновода с толстой верхней обкладкой на основе In0.52Al0.48As. Исследованы вплавной и невплавной типы нижней металлизации. Плотность порогового тока для полоскового лазера длиной 1 mm и шириной 27 mum составила ~3.0 kA/cm2 при температуре 87 K. Оценочное значение выходной оптической мощности составляет 20-35 mW. -18
  1. Sirtori C., Teissier R. In: Quantum Cascade Lasers: Overview of Basic Principles of Operation and State of the Art / Еd. by R. Paiella. NY.: McGraw-Hill, 2006 p. 1
  2. Troccoli M., Wang X., Fan J. // Opt. Eng. 2010. Vol. 49. N 11. P. 111106. DOI: 10.1117/1.3498778
  3. Masselink W.T., Semtsiv M.P., Elagin M., Flores Y.V., Monastyrskyi G., Kurlov S., Kischkat J. // Proc. SPIE. Vol. 8898. P. 889805. DOI: 10.1117/12.2028225
  4. Gmachl C., Capasso F., Faist J., Hutchinson A.L., Tredicucci A., Sivco D.L., Baillargeon J.N., Chu S.N.G., Cho A.Y. // Appl. Phys. Lett. 1998. Vol. 72. N 12. P. 1430. DOI: 10.1063/1.120585
  5. Hofstetter D., Beck M., Aellen T., Faist J., Oesterle U., Ilegems M., Gini E., Melchior H. // Appl. Phys. Lett. 2001. Vol. 78. N 14. P. 1964. DOI: 10.1063/1.1360225
  6. Beck M., Hofstetter D., Aellen T., Faist J., Oesterle U., Ilegems M., Gini E., Melchior H. // Science. 2002. Vol. 295. N 5553. P. 301. DOI: 10.1126/science.1066408
  7. Pflugl C., Diehl L., Tsekoun A., Go R., Patel C.K.N., Wang X., Fan J., Tanbun-Ek T., Capasso F. // Electron. Lett. 2007. Vol. 43. N 19. P. 1026. DOI: 10.1049/el:20072162
  8. de Naurois G.M., Carras M., Simozrag B., Patard O., Alexandre F., Marcadet X. // AIP Adv. 2011. Vol. 1. N 3. P. 032165. DOI: 10.1063/1.3643690
  9. Liu Z., Wasserman D., Howard S.S., Hoffman A.J., Gmachl C.F., Wang X., Tanbun-Ek T., Cheng L., Choa F.-S. // IEEE Photonics Technol. Lett. 2006. Vol. 18. N 12. P. 1347. DOI: 10.1109/lpt.2006.877006
  10. Wang Q.J., Pflugl C., Diehl L., Capasso F., Edamura T., Furuta S., Yamanishi M., Kan H. // Appl. Phys. Lett. 2009. Vol. 94. N 1. P. 011103. DOI: 10.1063/1.3062981
  11. Faist J., Hofstetter D., Beck M., Aellen T., Rochat M., Blaser S. // IEEE J. Quantum Electron. 2002. Vol. 38. N 6. P. 533. DOI: 10.1109/jqe.2002.1005404
  12. Kirch J.D., Chang C.-C., Boyle C., Mawst L.J., Lindberg D., Earles T., Botez D. // Opt. Express. 2016. Vol. 24. N 21. P. 24483. DOI: 10.1364/oe.24.024483
  13. Kirch J.D., Chang C.-C., Boyle C., Mawst L.J., Lindberg D., Earles T., Botez D. // Appl. Phys. Lett. 2015. Vol. 106. N 15. P. 151106. DOI: 10.1063/1.4917499
  14. Katz S., Vizbaras A., Boehm G., Amann M.-C. // Semicond. Sci. Technol. 2010. Vol. 26. N 1. P. 014018. DOI: 10.1088/0268-1242/26/1/014018
  15. Yamanishi M., Fujita K., Edamura T., Kan H. // Opt. Express. 2008. Vol. 16. N 25. P. 20748. DOI: 10.1364/oe.16.020748
  16. Fujita K., Yamanishi M., Furuta S., Dougakiuchi T., Sugiyama A., Edamura T. // Appl. Phys. Lett. 2012. Vol. 101. N 18. P. 181111. DOI: 10.1063/1.4765073
  17. Yao Y., Charles W.O., Tsai T., Chen J., Wysocki G., Gmachl C.F. // Appl. Phys. Lett. 2010. Vol. 96. N 21. P. 211106. DOI: 10.1063/1.3431577
  18. Lyakh A., Maulini R., Tsekoun A., Go R., Patel C.K.N. // Opt. Express. 2012. Vol. 20. N 22. P. 24272. DOI: 10.1364/oe.20.024272
  19. Troccoli M., Lyakh A., Fan J., Wang X., Maulini R., Tsekoun A.G., Go R., Patel C.K.N. // Opt. Mater. Express. Vol. 3. N 9. P. 1546. DOI: 10.1364/ome.3.001546
  20. Fujita K., Furuta S., Sugiyama A., Ochiai T., Edamura T., Akikusa N., Yamanishi M., Kan H. // IEEE J. Sel. Top. Quant. Electron. 2010. Vol. 46. N 5. P. 683. DOI: 10.1109/jqe.2010.2048015
  21. Wang C.A., Schwarz B., Siriani D.F., Missaggia L.J., Connors M.K., Mansuripur T.S., Calawa D.R., McNulty D., Nickerson M., Donnelly J.P., Creedon K., Capasso F. // IEEE J. Sel. Top. Quant. Electron. 2017. Vol. 23. N 16. DOI: 10.1109/jstqe.2017.2677899
  22. Troccoli M. // IEEE J. Sel. Top. Quant. Electron. 2015. Vol. 21. N 6. P. 61. DOI: 10.1109/jstqe.2015.2413954
  23. Babichev A.V., Gladyshev A.G., Filimonov A.V., Nevedomskii V.N., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.S., Bugrov V.E., Karachinsky L.Ya., Novikov I.I., Bousseksou A., Egorov A.Yu. // Tech. Phys. Lett. 2017. Vol. 43. N 7. P. 666--669. DOI: 10.1134/s1063785017070173
  24. Babichev A.V., Gladyshev A.G., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.S., Sokolovskii G.S., Bougrov V.E., Karachinsky L.Ya., Novikov I.I., Bousseksou A.G., Egorov A.Yu. // Semiconductors. 2018. Vol. 52. N 8. P. 1082--1085. DOI: 10.1134/S1063782618080031
  25. Babichev A.V., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.C., Filimonov A.V., Usikova A.A., Nevedomsky V.N., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Ya., Novikov I.I., Egorov A.Yu. // Semiconductors. 2018. Vol. 52. N 6. P. 745--749. DOI: 10.1134/S1063782618060039
  26. Kurochkin A.S., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Denisov D.V., Gladyshev A.G., Gusev G.A., Sofronov A.N., Usikova A.A., Zadiranov Y.M., Sokolovskii G.S., Ustinov V.M., Egorov A.Y. // J. Phys.: Conf. Ser. 2017. Vol. 917. P. 052016. DOI: 10.1088/1742-6596/917/5/052016
  27. Ferre S., Peinado A., Garcia-Caurel E., Trinite V., Carras M., Ferreira R. // Opt. Express. 2016. Vol. 24. N 21. P. 24032. DOI: 10.1364/oe.24.024032
  28. Kang J., Yang H.-D., Joo B.S., Park J.-S., Lee S., Jeong S., Kyhm J., Han M., Song J.D., Han I.K. // Opt. Express. 2017. Vol. 25. N 16. P. 19561. DOI: 10.1364/oe.25.019561
  29. Evans A., Nguyen J., Slivken S., Yu J.S., Darvish S.R., Razeghi M. // Appl. Phys. Lett. 2006. Vol. 88. N 5. P. 051105. DOI: 10.1063/1.2171476
  30. Kim Y.M., Rodwell M.J.W., Gossard A.C. // J. Electron. Mater. 2002. Vol. 31. N 3. P. 196--199. DOI: 10.1007/s11664-002-0206-4
  31. Missaggia L., Wang C., Connors M., Saar B., Sanchez-Rubio A., Creedon K., Turner G., Herzog W. // Proc. SPIE. 2016. Vol. 9730. P. 973008. DOI: 10.1117/12.2208923
  32. Schwarz B., Wang C.A., Missaggia L., Mansuripur T.S., Chevalier P., Connors M.K., McNulty D., Cederberg J., Strasser G., Capasso F. // ACS Photonics. 2017. Vol. 4. N 5. P. 1225--1231. DOI: 10.1021/acsphotonics.7b00133

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme