Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Теплопроводящие платы на основе алюминия с наноструктурированным слоем Al2O3 для изделий силовой электроники
Переводная версия: 10.1134/S1063784218110191 
Муратова Е.Н.
1, Мошников В.А.
1, Лучинин В.В.
1, Бобков А.А.
1, Врублевский И.А.
2, Чернякова К.В.
2, Теруков Е.И.
3
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия 
2Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: SokolovaEknik@yandex.ru, vamoshnikov@mail.ru, cmid_leti@mail.ru, anton.a.bobkov@yandex.ru, vrublevsky@bsuir.edu.by, katerinach_85@mail.ru, eug.terukov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 14 сентября 2017 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2018 г.
Представлены результаты исследований электрических и тепловых характеристик плат на основе алюминия с наноструктурированным слоем анодного оксида алюминия и медными проводниками для монтажа мощных полевых транзисторов. Показано, что наличие тонкого диэлектрического слоя и толстой алюминиевой основы с высокой теплопроводностью обеспечивает равномерное распределение генерируемого активным элементом тепла по всему объему платы без образования локальных областей с повышенной температурой. Результаты экспериментов свидетельствуют о том, что значение градиента температуры между источником нагрева и поверхностью анодного оксида алюминия составляет величину порядка 17-18oC при удельной поверхностной мощности нагрева 4.4 W/cm2.
- Афанасьев В.П., Теруков Е.И., Шерченков А.А. Тонкопленочные солнечные элементы на основе кремния. 2-е изд. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2011. 168 с
- Хуберт Р. // Вестник электроники. 2010. N 2. С. 12--15
- Бечтлофф У., Фихлер Р., Шауэр Й., Шмидер К. // Технологии в электронной промышленности. 2005. N 3. С. 22--24
- Афанасьев А.В., Голикова Е.В., Голоудина С.И. и др. Химические методы получения керамических и полимерных наноматериалов из жидкой фазы. Спб.: Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2013. 218 с
- Александрова О.А., Алешин А.Н., Белорус А.О., Бобков А.А., Гузь А.В., Кальнин А.А., Кононова И.Е., Левицкий В.С., Мазинг Д.С., Мараева Е.В., Матюшкин Л.Б., Москвин П.П., Мошников В.А., Муратова Е.Н., Налимова С.С., Пономарева А.А., Пронин И.А., Спивак Ю.М. Новые наноматериалы. Синтез. Диагностика. Моделирование. Спб.: Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2015. 248 с
- Шемухин А.А., Муратова Е.Н. // Письма в ЖТФ. 2014. Т. 40. Вып. 5. С. 67--74
- Luchinin V.V., Moshnikov V.A., Muratovа E.N., Samigullin R.Sh. // J. Phys.: Conference Series. 2015. Vol. 586. P. 012008
- Врублевский И.А., Дик С.К., Терех А.С., Смирнов А.В., Чернякова К.В. // Проблемы физики, математики и техники. 2012. Т. 12. N 3. С. 101--105
- Vrublevsky I., Chernyakova K., Ispas A., Bund A., Gaponik N., Dubavik A. // J. Lumin. 2011. Vol. 131. P. 938--942.
- Гордеев А. и др. // Силовая электроника. 2009. N 3. С. 20--21.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
