Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3 4
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние низкоэнергетической ионно-плазменной обработки на остаточные напряжения в тонких пленках хрома

DOI: 10.21883/JTF.2018.12.46786.37-18

Переводная версия: 10.1134/S1063784218120228

Бабушкин А.С.¹, Уваров И.В.¹, Амиров И.И.¹

¹Ярославский филиал Физико-технологического института РАН, Ярославль, Россия Institute of Physics and Technology, Yaroslavl Branch, Russian Academy of Sciences, Yaroslavl, Russia

Institute of Physics and Technology, Yaroslavl Branch, Russian Academy of Sciences, Yaroslavl, Russia

Email: artem.yf-ftian@mail.ru

Поступила в редакцию: 23 января 2018 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2018 г.

PDF версия

Представлены результаты исследования влияния бомбардировки ионами аргона низкой энергии (~30 eV) на остаточные механические напряжения в тонкой пленке хрома. Изменение среднего значения и градиента напряжений в зависимости от длительности ионной бомбардировки определялось по изменению изгиба тестовых микромеханических мостов и кантилеверов. Предложена методика расчета глубины модификации напряжений в пленке с использованием этих структур. Установлено, что длительная ионно-плазменная обработка при комнатной температуре оказывает воздействие на напряжения на глубине более 100 nm. -18

Dutta S., Imran M., Pal R., Jain K.K., Chatterjee R. // Microsyst. Technol. 2011. Vol. 17. P. 1739. DOI: 10.1007/s00542-011-1360-5
Pratapa R., Dangib A., Beheraa A.R. // ECS Transactions. 2016. Vol. 75. P. 35. DOI: 10.1149/07517.0035ecst
Matin M.A., Ozaki K., Akai D., Sawada K., Ishida M. // Comput. Mater. Sci. 2014. Vol. 85. P. 253. DOI: 10.1016/j.commatsci.2014.01.005
Maboudian R. // Surf. Sci. Rep.1998. Vol. 30. P. 207--269. DOI: 10.1016/S0167-5729(97)00014-9
Cedric Xia Z., Hutchinson J.W. // J. Mech. Phys. Sol. 2000. Vol. 48. P. 1107. DOI: 10.1016/S0022-5096(99)00081-2
Boisen A., Dohn S., Keller S.S., Schmid S., Tenje M. // Rep. Prog. Phys. 2011. Vol. 74. P. 036101. DOI: 10.1088/0034-4885/74/3/036101
Dahmen K., Giesen M., Ikonomov J., Starbova K., Ibach H. // Thin Solid Films. 2003. Vol. 428. P. 6. DOI: 10.1016/S0040-6090(02)01182-3
Chan W. L., Chason E., Iamsumang C. // Nucl. Instrum. Meth. B. 2007. Vol. 257. P. 428. DOI: 10.1016/j.nimb.2007.01.042
Chan W.L., Chason E. // J. Vacuum Sci. Technol. A. 2008. Vol. 26. P. 44. DOI: 10.1116/1.2812432
Chan W.L., Zhao K., Vo N., Ashkenazy Y., Cahill D.G., Averback R.S. // Phys. Rev. B. 2008. Vol. 77. P. 205405. DOI: 10.1103/PhysRevB.77.205405
Kim S.P., Chew H.B., Chason E., Shenoy V.B., Kim K.S. // Proc. Roy. Soc. A. 2012. Vol. 468. P. 2550. DOI: 10.1098/rspa.2012.0042
Mayr S.G., Averback R.S. // Phys. Rev. B. 2003. Vol. 68. P. 214105. DOI: 10.1103/PhysRevB.68.214105
Misra A., Fayeulle S., Kung H., Mitchell T.E., Nastasi M. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B. 1999. Vol. 148. P. 211. DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00780-0
Liu F., Li C.H., Pisano A.P., Carraro C., Maboudian R. // J. Vacuum Sci. Technol. A. 2010. Vol. 28. P. 1259. DOI: 10.1116/1.3480341
Babushkin A.S., Uvarov I.V., Amirov I.I. // J. Physics: Conference Series. 2016. Vol. 741. P. 012208. DOI: 10.1088/1742-6596/741/1/012208
Fu E.G., Wang Y.Q., Nastasi M. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2012. Vol. 45. P. 495303. DOI: 10.1088/0022-3727/45/49/495303
Амиров И.И., Наумов В.В., Изюмов М.О., Селюков Р.С. // Письма в ЖТФ. 2013. Т. 39. Вып. 2. С. 68
Stoney G.G. // Proc. Roy. Soc. Lond. A. 1909. Vol. 82. P. 172
Уманский Я.С., Скаков Ю.А., Иванов А.Н., Расторгуев Л.Н. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия. М.: Металлургия, 1982. 632 с
Cardinale G., Howitt D.G., McCarty K.F., Medlin D.L., Mirkarimi P.B., Moody N.R. // Diamond Rel. Mater. 1996. Vol. 5. P. 1295. DOI: 10.1016/0925-9635(96)00541-9
Min Y.-H., Kim Y.-K. // J. Micromech. Microeng. 2000. Vol. 10. P. 314. DOI: 10.1088/0960-1317/10/3/303
Hou M.T.-K., Chen R. // J. Micromech.Microeng. 2004. Vol. 14. P. 490. DOI: 10.1088/0960-1317/14/4/008
Laconte J., Flandre D., Raskin J.P. Micromachined thin-film sensors for SOI-CMOS co-integration. Springer Science \& Business Media, 2006. 292 c
Guckel H., Burns D., Rutigliano C., Lovell E., Choi B. // J. Micromech. Microeng.1992. Vol. 2. P. 86. DOI: 10.1088/0960-1317/2/2/004
Mehregany M., Howe R.T., Senturia S.D. // J. Appl. Phys. 1987. Vol. 62. P. 3579. DOI: 10.1063/1.339285
Ericson F., Greek S., Soderkvist J., Schweitz J.-A. // J. Micromech. Microeng. 1997. Vol. 7. P. 30. DOI: 0960-1317/7/1/006
Lin L., Pisano A.P., Howe R.T. // J. Microelectromech. Syst. 1997. Vol. 6. P. 313. DOI: 10.1109/84.650128
Mehner H., Leopold S., Hoffmann M. // J. Micromech. Microeng. 2013. Vol. 23. P. 095030. DOI: 10.1088/0960-1317/23/9/095030
Fang W., Wickert J.A. // J. Micromech. Microeng.1996. Vol. 6. P. 301. DOI: 10.1088/0960-1317/6/3/002
Fachin F., Nikles S.A., Dugundji J., Wardle B.L. // J. Micromech. Microeng. 2011. Vol. 21. P. 095017. DOI: 10.1088/0960-1317/21/9/095017
DeVoe D.L., Pisano A.P. // J. Microelectromech. Syst. 1997. Vol. 6. P. 266. DOI: 10.1109/84.623116
Was G.S. Fundamentals of radiation materials science: metals and alloys. Springer-Verlag Berlin Heidelberg, 2007. 827 c
Stefenelli M., Todt J., Riedl A., Ecker W., Muller T., Daniel R., Burghammere M., Keckesb J. // J. Appl. Cryst. 2013. Vol. 46. P. 1378. DOI: 10.1107/S0021889813019535
Knystautas E. Engineering Thin Films and Nanostructures with Ion Beams. NY.: University of Rochester, 2005. 561 c
Диденко А.Н., Шаркеев Ю.П., Козлов Э.В., Рябчиков А.И. Эффекты дальнодействия в ионно-имплантированных металлических материалах. Томск: Изд-во НТЛ, 2004. 328 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель