Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2018, выпуск 12 » Статья стр. 1845
<<<>>>
Влияние низкоэнергетической ионно-плазменной обработки на остаточные напряжения в тонких пленках хрома
DOI: 10.21883/JTF.2018.12.46786.37-18
Переводная версия: 10.1134/S1063784218120228
Бабушкин А.С.1, Уваров И.В.1, Амиров И.И.1
1Ярославский филиал Физико-технологического института РАН, Ярославль, Россия
Email: artem.yf-ftian@mail.ru
Поступила в редакцию: 23 января 2018 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2018 г.
PDF версия
Представлены результаты исследования влияния бомбардировки ионами аргона низкой энергии (~30 eV) на остаточные механические напряжения в тонкой пленке хрома. Изменение среднего значения и градиента напряжений в зависимости от длительности ионной бомбардировки определялось по изменению изгиба тестовых микромеханических мостов и кантилеверов. Предложена методика расчета глубины модификации напряжений в пленке с использованием этих структур. Установлено, что длительная ионно-плазменная обработка при комнатной температуре оказывает воздействие на напряжения на глубине более 100 nm. -18
  1. Dutta S., Imran M., Pal R., Jain K.K., Chatterjee R. // Microsyst. Technol. 2011. Vol. 17. P. 1739. DOI: 10.1007/s00542-011-1360-5
  2. Pratapa R., Dangib A., Beheraa A.R. // ECS Transactions. 2016. Vol. 75. P. 35. DOI: 10.1149/07517.0035ecst
  3. Matin M.A., Ozaki K., Akai D., Sawada K., Ishida M. // Comput. Mater. Sci. 2014. Vol. 85. P. 253. DOI: 10.1016/j.commatsci.2014.01.005
  4. Maboudian R. // Surf. Sci. Rep.1998. Vol. 30. P. 207--269. DOI: 10.1016/S0167-5729(97)00014-9
  5. Cedric Xia Z., Hutchinson J.W. // J. Mech. Phys. Sol. 2000. Vol. 48. P. 1107. DOI: 10.1016/S0022-5096(99)00081-2
  6. Boisen A., Dohn S., Keller S.S., Schmid S., Tenje M. // Rep. Prog. Phys. 2011. Vol. 74. P. 036101. DOI: 10.1088/0034-4885/74/3/036101
  7. Dahmen K., Giesen M., Ikonomov J., Starbova K., Ibach H. // Thin Solid Films. 2003. Vol. 428. P. 6. DOI: 10.1016/S0040-6090(02)01182-3
  8. Chan W. L., Chason E., Iamsumang C. // Nucl. Instrum. Meth. B. 2007. Vol. 257. P. 428. DOI: 10.1016/j.nimb.2007.01.042
  9. Chan W.L., Chason E. // J. Vacuum Sci. Technol. A. 2008. Vol. 26. P. 44. DOI: 10.1116/1.2812432
  10. Chan W.L., Zhao K., Vo N., Ashkenazy Y., Cahill D.G., Averback R.S. // Phys. Rev. B. 2008. Vol. 77. P. 205405. DOI: 10.1103/PhysRevB.77.205405
  11. Kim S.P., Chew H.B., Chason E., Shenoy V.B., Kim K.S. // Proc. Roy. Soc. A. 2012. Vol. 468. P. 2550. DOI: 10.1098/rspa.2012.0042
  12. Mayr S.G., Averback R.S. // Phys. Rev. B. 2003. Vol. 68. P. 214105. DOI: 10.1103/PhysRevB.68.214105
  13. Misra A., Fayeulle S., Kung H., Mitchell T.E., Nastasi M. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B. 1999. Vol. 148. P. 211. DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00780-0
  14. Liu F., Li C.H., Pisano A.P., Carraro C., Maboudian R. // J. Vacuum Sci. Technol. A. 2010. Vol. 28. P. 1259. DOI: 10.1116/1.3480341
  15. Babushkin A.S., Uvarov I.V., Amirov I.I. // J. Physics: Conference Series. 2016. Vol. 741. P. 012208. DOI: 10.1088/1742-6596/741/1/012208
  16. Fu E.G., Wang Y.Q., Nastasi M. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2012. Vol. 45. P. 495303. DOI: 10.1088/0022-3727/45/49/495303
  17. Амиров И.И., Наумов В.В., Изюмов М.О., Селюков Р.С. // Письма в ЖТФ. 2013. Т. 39. Вып. 2. С. 68
  18. Stoney G.G. // Proc. Roy. Soc. Lond. A. 1909. Vol. 82. P. 172
  19. Уманский Я.С., Скаков Ю.А., Иванов А.Н., Расторгуев Л.Н. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия. М.: Металлургия, 1982. 632 с
  20. Cardinale G., Howitt D.G., McCarty K.F., Medlin D.L., Mirkarimi P.B., Moody N.R. // Diamond Rel. Mater. 1996. Vol. 5. P. 1295. DOI: 10.1016/0925-9635(96)00541-9
  21. Min Y.-H., Kim Y.-K. // J. Micromech. Microeng. 2000. Vol. 10. P. 314. DOI: 10.1088/0960-1317/10/3/303
  22. Hou M.T.-K., Chen R. // J. Micromech.Microeng. 2004. Vol. 14. P. 490. DOI: 10.1088/0960-1317/14/4/008
  23. Laconte J., Flandre D., Raskin J.P. Micromachined thin-film sensors for SOI-CMOS co-integration. Springer Science \& Business Media, 2006. 292 c
  24. Guckel H., Burns D., Rutigliano C., Lovell E., Choi B. // J. Micromech. Microeng.1992. Vol. 2. P. 86. DOI: 10.1088/0960-1317/2/2/004
  25. Mehregany M., Howe R.T., Senturia S.D. // J. Appl. Phys. 1987. Vol. 62. P. 3579. DOI: 10.1063/1.339285
  26. Ericson F., Greek S., Soderkvist J., Schweitz J.-A. // J. Micromech. Microeng. 1997. Vol. 7. P. 30. DOI: 0960-1317/7/1/006
  27. Lin L., Pisano A.P., Howe R.T. // J. Microelectromech. Syst. 1997. Vol. 6. P. 313. DOI: 10.1109/84.650128
  28. Mehner H., Leopold S., Hoffmann M. // J. Micromech. Microeng. 2013. Vol. 23. P. 095030. DOI: 10.1088/0960-1317/23/9/095030
  29. Fang W., Wickert J.A. // J. Micromech. Microeng.1996. Vol. 6. P. 301. DOI: 10.1088/0960-1317/6/3/002
  30. Fachin F., Nikles S.A., Dugundji J., Wardle B.L. // J. Micromech. Microeng. 2011. Vol. 21. P. 095017. DOI: 10.1088/0960-1317/21/9/095017
  31. DeVoe D.L., Pisano A.P. // J. Microelectromech. Syst. 1997. Vol. 6. P. 266. DOI: 10.1109/84.623116
  32. Was G.S. Fundamentals of radiation materials science: metals and alloys. Springer-Verlag Berlin Heidelberg, 2007. 827 c
  33. Stefenelli M., Todt J., Riedl A., Ecker W., Muller T., Daniel R., Burghammere M., Keckesb J. // J. Appl. Cryst. 2013. Vol. 46. P. 1378. DOI: 10.1107/S0021889813019535
  34. Knystautas E. Engineering Thin Films and Nanostructures with Ion Beams. NY.: University of Rochester, 2005. 561 c
  35. Диденко А.Н., Шаркеев Ю.П., Козлов Э.В., Рябчиков А.И. Эффекты дальнодействия в ионно-имплантированных металлических материалах. Томск: Изд-во НТЛ, 2004. 328 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme