Структура и свойства двухслойной наноразмерной системы CoSi2/Si/CoSi2/Si, полученной ионной имплантацией
Эргашов Ё.С.1, Умирзаков Б.Е.1
1Ташкентский государственный технический университет, Ташкент, Узбекистан
Email: yergashev@mail.ru
Поступила в редакцию: 13 января 2018 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2018 г.
С использованием метода ионной имплантации получена двуслойная система типа CoSi2/Si/CoSi2/Si и определены оптимальные режимы имплантации и отжига для ее формирования. Показано, что такая система формируется, когда разности между высокой и низкой энергией ионов составляет не менее 15-20 keV. Сформированные структуры имели гладкую поверхность с высокой кристалличностью. -18
- Bei Li, Jiandin Liu // J. Appl. Phys. 2009. Vol. 105. P. 084905
- Алтухов А.А., Жирнов В.В. Анализ морфологии и стехиометрии пленок CoSi2/Si (100), полученных методами ТФЭ и РЭ // Тонкие пленки в электронике: Материалы II-го Всесоюзного межотраслевого совещания. Москва-Ижевск, 1991. С. 15--22
- Рудаков В.И., Денисенко Ю.И., Наумов В.В., Симакин С.Г. // Письма в ЖТФ. 2011. Т. 37. Вып. 3. С. 36--44
- Гомоюнова М.В., Пронин И.И., Галль Н.Р., Молодцов С.Л., Вялых Д.В. // ФТТ. 2003. Т. 45. Вып. 8. С. 1519--1522.
- Эргашов Ё.C. // ЖТФ. 2017. Т. 87. Вып. 5. С. 758--761. [ Ergashow Y.S. // Techn. Phys. 2017. Vol. 62. N 5. P. 777--780.]
- Эргашов Ё.C., Исаханов З.А., Умирзаков Б.Е. // ЖТФ. 2016. Т. 86. Вып. 6. С. 156. [ Ergashov E.S., Isakhanov Z.A., Umirzakov B.E. // Techn. Phys. 2016. Vol. 61. N 6. P. 953--955.]
- Умирзаков Б.Е., Ташмухамедова Д.А., Рузибаева М.К., Ташатов А.К., Донаев С.Б., Мавлянов Б.Б. // ЖТФ. 2013. Т. 83. Вып. 9. С. 146--149. [ Umirzakov B.E., Tashmukhamedova D.A., Ruzibaeva M.K., Tashatov A.K., Donaev S.B., Mavlyanov B.B. // Techn. Phys. 2013. V. 58. N 9. P. 1383--1386.]
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.