Вышедшие номера
Структура и свойства двухслойной наноразмерной системы CoSi2/Si/CoSi2/Si, полученной ионной имплантацией
Переводная версия: 10.1134/S1063784218120058
Эргашов Ё.С.1, Умирзаков Б.Е.1
1Ташкентский государственный технический университет, Ташкент, Узбекистан
Email: yergashev@mail.ru
Поступила в редакцию: 13 января 2018 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2018 г.

С использованием метода ионной имплантации получена двуслойная система типа CoSi2/Si/CoSi2/Si и определены оптимальные режимы имплантации и отжига для ее формирования. Показано, что такая система формируется, когда разности между высокой и низкой энергией ионов составляет не менее 15-20 keV. Сформированные структуры имели гладкую поверхность с высокой кристалличностью. -18