Вышедшие номера
Гетероструктура SmS/SiC и термовольтаический эффект в ней
Переводная версия: 10.1134/S1063784219020075
Каминский В.В.1, Лебедев А.О.1,2, Соловьев С.М.1, Шаренкова Н.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: Vladimir.Kaminski@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 31 мая 2018 г.
Выставление онлайн: 20 января 2019 г.

Изготовлена гетероструктура на основе монокристаллического SiC и поликристаллической тонкой пленки SmS. В температурном интервале от 300 до 456 K измерен термовольтаический эффект в структуре, максимальная величина которого достигала ~12 mV при T=456 K. Показано, что величина эффекта соответствует разработанной ранее его концентрационной модели.