Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2019, выпуск 4 » Статья стр. 574
<<<>>>
Синтез гексагональных слоев AlN и GaN на Si(100)-подложке методом хлоридной газофазной эпитаксии
DOI: 10.21883/JTF.2019.04.47315.152-18
Переводная версия: 10.1134/S1063784219040054
Бессолов В.Н.1, Гущина Е.В.1, Коненкова Е.В.1, Коненков С.Д.2, Львова Т.В.1, Пантелеев В.Н.1, Щеглов М.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Петергоф, Россия
Email: lena@triat.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 16 апреля 2018 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2019 г.
PDF версия
Рассмотрена технология синтеза AlN- и GaN-структур на Si(100)-подложке методом хлоридной газофазной эпитаксии, включающей в себя сульфидирование поверхности кремния, зарождение и рост AlN-слоя, а затем GaN/AlN-структуры. Обнаружено, что синтез GaN происходит на буферных слоях двух кристаллографических ориентаций AlN на подложке Si(100) по сравнению с одной кристаллографической ориентацией на подложке Si(111). Показано, что применение водных растворов (NH4)2S при обработке Si(100) приводит к уменьшению полуширины рентгеновской кривой качания GaN(0002) в 1.5 раза.
  1. Xiong C., Pernice W., Ryu K.K., Schuck C., Fong K.Y., Palacios T., Tang H.X. // Opt. Express. 2011. Vol. 19. N 11. P. 10462-10470
  2. Valcheva E., Birch J., Persson P.O.A., Tungasmita S., Hultman L. // J. Appl. Phys. 2006. Vol. 100. N 12. P. 123514(1-6)
  3. Dadgar A., Schulze F., Wienecke M., Gadanecz A., Blasing J., Veit P., Hempel T., Diez A., Christen J., Krost A. // New J. Physics. 2007. Vol. 9. P. 389(1-10).
  4. Бессолов В.Н., Гущина Е.В., Коненкова Е.В., Львова Т.В., Пантелеев В.Н., Щеглов М.П. // Письма в ЖТФ. 2018. T. 44. N 2. C. 96-103. [ Bessolov V.N., Gushchina E.V., Konenkova E.V., L'vova T.V., Panteleev V.N., Shcheglov M.P. // Tech. Phys. Lett. 2018. Vol. 44. N 1. P. 81-83.]
  5. Zhang X., Hou Y.-T., Feng Z.-C., Chen J.L. // J. Appl. Phys. 2001. Vol. 89. N 11. P. 6165-6170
  6. Атомная структура полупроводниковых систем / Под ред. А.М. Асеева. Новосибирск: СО РАН, 2006. 292 c
  7. Lebedev V., Jinschek J., Kraub lich J., Kaiser U., Schroter B., Richter W. // J. Cryst. Growth. 2001. Vol. 230. N 3. P. 426-431
  8. Wang W.K., Jiang M.-C. // Jpn. J. Appl. Phys. 2016. Vol. 55. P. 095503(1-4)
  9. Gerbedoen J.-C., Soltani A., Joblot S., De Jaeger J.-C., Gaquiere Ch., Cordier Y., Semond F. // IEEE Transactions on Electron Devices. 2010. Vol. 57. N 7. P. 1497-1503
  10. Kim S.T., Lee Y.J., Chung S.H., Moon D.C. // J. Korean Phys. Soc. 1998. Vol. 33. P. S313-S315
  11. Schulze F., Dadgar A., Blasing J., Krost A. // Appl. Phys. Lett. 2004. Vol. 84. N 23. P. 4747-4749
  12. Бессолов В.Н., Лебедев М.В. // ФТП. 1998. Т. 32. N 11. С. 1281-1299. [ Bessolov V.N., Lebedev M.V. // Semiconductors. 1998. Vol. 32. N 11. P. 1141-1156.]
  13. Heslop S.L., Pecklor L., Muscat A.J. // ECS Transactions. 2017. Vol. 80. N 2. P. 147-153
  14. Ali M.Y., Tao M. // Electrochem. Sol. Stat. Lett. 2007. Vol. 10-11. P. H317
  15. Бессолов В.Н., Давыдов В.Ю., Жиляев Ю.В., Коненкова Е.В., Мосина Г.Н., Раевский С.Д., Родин С.Н., Шарофидинов Ш., Щеглов М.П., Park H.S., Koike M. // Письма в ЖТФ. 2005. T. 31. Вып. 21. C. 30-36. [ Bessolov V.N., Davydov V.Yu., Zhilyaev Yu.V., Konenkova E.V., Mosina G.N., Raevski S.D., Rodin S.N., Sharofidinov Sh., Shcheglov M.P., Park H.S., Koike M. // Tech. Phys. Lett. 2005. Vol. 31. N 11. P. 915-918.]
  16. Lin C.-M., Lien W.-C., Felmetsger V.V., Hopcroft M.A., Senesky D.G., Pisanoless A.P. // Appl. Phys. Lett. 2010. Vol. 97. N 14. P. 141907(1-3)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme