Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Инверсия типа проводимости тонких пленок n-InSe под действием лазерного излучения
Переводная версия: 10.1134/S1063784219040145 
1Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан 
Email: vagif_salmanov@yahoo.com
Поступила в редакцию: 14 марта 2018 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2019 г.
Инверсия типа электропроводности тонких пленок n-InSe осуществлена мощным импульсным лазерным излучением. P-n-структура на основе селенида индия образовывалась между облученным и необлученным участками тонкопленочного образца. Рентгеноструктурным анализом установлено, что после облучения лазерным излучением состав вещества не изменяется. Инверсия тока проводимости образца обусловлена изменением динамики поведения дефектов кристаллической решетки за счет нагрева.
- Пляцко С.В., Кладько В.П. // ФТП. 1997. Т. 31. Вып. 10. С. 1206--1210
- Кашкаров П.К., Петров В.И., Птицын Д.В. // ФТП. 1989. Т. 23. С. 2080--2082
- Sizov F.F., Plyatsko S.V. // J. Crystal Growth. 1988. Vol. 92. P. 571--580
- Gromovoy Yu.S., Plyatsko S.V., Sizov F.F., Korovina L.A. // J. Phys: Condens. Matter. 1990. Vol. 2. N 10. P. 391--397
- Кладько В.П., Пляцко С.В. // Письма в ЖТФ. 1996. Вып. 22. С. 32--36
- Bertolotti M. // Cohesive Properties of Semiconductors under laser irradiation. 1983. Р. 1--33
- Волков Е.Ю., Лисоченко В.Р., Конакова Р.В., Охрименко О.Б., Светличный А.М. // Известия вузов. 2011. N 1/2. С. 143--146
- Карачинов В.А. // ФТП. 1997. Т. 31. Вып. 1. С. 53--55
- Сафаралиев Г.К., Эмиров Ю.Н., Курбатов М.К., Биланов Б.А. // ФТП. 2000. Т. 34. Вып. 8. С. 929--931
- Luis Marques A., Pelaz L., Aboy M., Barbolla J. // Nucl. Instrum. Methods. Phys. Rev. B. 2004. Vol. 216. P. 57--61
- Zhiyun Yuan, Qihonq Lou, Jun Zhou et al. // Optics Laser TYechnol. 2009. N 4. P. 380--383
- Гусейнов А.Г., Салманов В.М., Мамедов Р.М., Джабраилова Р., Магомедов А.З. // Изв. вузов. Физика. 2017. Т. 60. N 10. С. 88--91
- Ковалюк З.Д. // Моноселенид индия --- революция в наноэлектронике. Электронный ресурс. Режим доступа: www. 2geek.ru/news/336
- Nilanthy Balakrishnan, Kudrynskyi Z.R., Smith E.F., Fay M.W., Makarovsky O., Kovalyuk Z.D., Eaves L., Beton P.H., Patan\`e A. // IOP Publishing Ltd 2D Materials. 2017. Vol. 4. N 2. P. 025043 (1--10)
- Bandurin D.A., Tyurnina A.V., Geliang L.Yu., Mishchenko A., Zolyomi V., Morozov S.V., Roshan Krishna Kumar, Gorbachev R.V., Kudrynskyi Z.R., Pezzini S., Kovalyuk Z.D., Zeitler U., Novoselov K.S., Patan\`e A., Eaves L., Grigorieva I.V., Fal'ko V.I., Geim A.K., Yang Cao // Nature Nanotechnology. 2016. doi: 10.1038/nnano.2016.242
- Rao C.N.R., Thomas P.J., Kulkarni G.U. // Nanocrystals: Synthesis, Properties and Applications. Berlin: Springer, 2007. 180 p
- Рывкин С.М., Салманов В.М., Ярошецкий И.Д. // ФТТ. 1968. Т. 10. С. 1022--1025
- Тюрин А.В., Гавричев К.С., Зломанов В.П. // Неорган. материалы. 2007. Т. 43. N 9. С. 1031--1035
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
