Исследованы экспериментальные образцы фотоэлектрических преобразователей с n⁺-p-переходом на основе монокристаллического кремния и антиотражающей пленкой пористого кремния, сформированной методом окрашивающего химического травления в травителе HF:KMnO₄:C₂H₅OH. Показано, что при концентрациях окислителя KMnO₄ 0.025 и 0.040 M длительность роста пленки пористого кремния, при которой достигается наибольшая эффективность фотоэлектрического преобразователя, может быть существенно увеличена по сравнению с методом анодного электрохимического травления. Для исследования механизмов токопрохождения измерялась температурная зависимость прямых и обратных ветвей вольт-амперных характеристик. Обнаружено наличие нескольких механизмов токопрохождения. Установлено, что на процессы токопрохождения существенное влияние оказывают ловушки, с энергиями активации, распределенными в непрерывном диапазоне значений.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.