Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2019, выпуск 5 » Статья стр. 781
<<<>>>
Зависимость наклона текстуры и эффективности возбуждения сдвиговых волн пленками ZnO от давления рабочего газа в магнетронной системе на постоянном токе
DOI: 10.21883/JTF.2019.05.47484.289-18
Переводная версия: 10.1134/S1063784219050256
РФФИ, 16-29-14058
РФФИ, 16-37-60052
Веселов А.Г.1, Елманов В.И.1, Кирясова О.А.1, Никулин Ю.В.1
1Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Саратов, Россия
Email: labsftwo@mail.ru
Поступила в редакцию: 23 июля 2018 г.
В окончательной редакции: 23 июля 2018 г.
Принята к печати: 28 ноября 2018 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2019 г.
PDF версия
Для пленок ZnO толщиной ~ 0.45-1.2 μm, синтезируемых в планарной магнетронной системе на постоянном токе в сдвиговой геометрии осаждения, исследована зависимость угла наклона текстуры и эффективности возбуждения сдвиговых волн от давления рабочего газа в диапазоне 0.14-0.74 mTorr, при котором происходит переход режима осаждения из бесстолкновительного в близкий к диффузному. Показано, что увеличение давления с ~ 0.14-0.24 до 0.74 mTorr приводит к уменьшению угла наклона столбчатой текстуры с ~ 25-27 до ~7o и снижению эффективности возбуждения звука. Пленки, синтезированные при давлениях ~ 0.14-0.24 mTorr, близких к границе перехода разряда от таунсендсовского к тлеющему, характеризуются наилучшей эффективностью возбуждения сдвиговых волн - наблюдается наименьшая величина вносимых потерь при толщинах 0.45-0.75 μm, число наблюдаемых эхо-импульсов достигает 20-40, что позволяет наблюдать отраженный звук с задержкой до 80 μs при длине кристалла-звукопровода 10 mm.
  1. Rughoobur G., De Miguel-Ramos M., Mirea T., Clement M., Olivares J., Di az-Duran B., Sangrador J., Miele I., Milne W.I., Iborra E., Flewitt A.J. // Appl. Phys. Lett. 2016. Vol. 108. P. 034103-1-5. DOI: 10.1063/1.4940683
  2. Rughoobur G., Garci a-Gancedo L., Flewitt A.J., Milne W.I., De Miguel-Ramos M., Clement M., Mirea T., Olivares J., Iborra E. // Europ. Frequency and Time Forum (EFTF). 2014. P. 297-300. DOI:10.1109/EFTF.2014.7331491
  3. Yoshino Y. // J. Appl. Phys. 2009. Vol. 105. P. 061623-1-7. DOI: 10.1063/1.3072691
  4. Prasad M., Sahula V., Khanna V.K. // IEEE Trans. On Device and Mat. Reliability. 2014. Vol. 14. N 1. P. 545-553. DOI: 10.1109/TDMR.2013.2271245
  5. Link M., Schreiter M., Weber J., Gabl R., Pitzer D., Primig R., Wersing W., Assouar M.B., Elmazria O. // J. Vac. Sci. Technol. A. 2006. Vol. 24. P. 218-220. DOI: 10.1116/1.2165658
  6. Nalamwar A.L., Wagers R.S., Epstein M. // J. Appl. Phys. 1977. Vol. 48. N 6. P. 2175-2178. DOI: 10.1063/1.324017
  7. Yan Z., Zhou X.Y., Pang G.K.H., Zhang T., Liu W.L., Cheng J.G., Song Z.T., Feng S.L., Lai L.H., Chen J.Z., Wang Y. // Appl. Phys. Lett. 2007. Vol. 90. P. 143503-1-3. DOI: 10.1063/1.2719149
  8. Qin L., Chen Q., Cheng H., Chen Q., Li J.-F., Wang Q.-M. // J. Appl. Phys. 2011. Vol. 110. P. 094511-1-11. DOI: 10.1063/1.3657781
  9. Dwivedi M., Bhargava J., Sharma A., Vimal V., Eranna G. // IEEE Sensors Journ. 2014. Vol. 14. N 5. P. 1577-1582. DOI: 10.1109/JSEN.2014.2298879
  10. Алексеев С.Г., Гуляев Ю.В., Котелянский И.М., Мансфельд Г.Д. // УФН. 2005. Т. 175. N 8. C. 895-900
  11. Hickernell F.S. // ТИИЭР. 1976. Т. 64. N 5. C. 70-76
  12. Coldren L.A. // ТИИЭР. 1976. Т. 64. N 5. C. 246-249
  13. Ozgur U., Alivov Ya. I., Liu C., Teke A., Reshchikov M.A., Dogan S., Avrutin V., Cho S.-J., Morko c H. // J. Appl. Phys. 2005. Vol. 98. P. 041301-1-103. DOI: 10.1063/1.1992666
  14. Ching K.-L., Li G., Ho Y.-L., Kwok H.-S. // Cryst. Eng. Comm. 2016. Vol. 18. P. 779-786. DOI: 10.1039/C5CE02164B
  15. Djurisic A.B., Ng A.M.C., Chen X.Y. // Progress in Quantum Electronics. 2010. Vol. 34. P. 191-259. DOI:10.1016/j.pquantelec.2010.04.001
  16. Fujimura N., Nishihara T., Goto S., Xu J., Ito T. // J. Crystal Growth. 1993. Vol. 130. P. 269-279
  17. Kawamoto T., Yanagitani T., Matsukawa M., Watanabe Y. // Japan. J. Appl. Phys. 2007. Vol. 46. N 7B. P. 4660-4664. DOI: 10.1143/JJAP.46.4660
  18. Takayanagi S., Yanagitani T., Matsukawa M., Watanabe Y. // IEEE Intern. Ultrason. Sympos. Proceed. 2010. P. 1060-1063. DOI: 10.1109/ULTSYM.2010.5935655
  19. Takayanagi S., Yanagitani T., Matsukawa M., Watanabe Y. // IEEE Intern. Ultrason. Sympos. Proceed. 2011. P. 2317-2320. DOI: 10.1109/ULTSYM.2011.0575
  20. Yanagitani T., Mishima N., Matsukawa M., Watanabe Y. // IEEE Trans. Ultrason. Ferroelectrics and Frequency Control. 2007. Vol. 54. N 4. P. 701-704. DOI: 10.1109/TUFFC.2007.303
  21. Yanagitani T., Kiuchi M., Matsukawa M., Watanabe Y. // IEEE Trans. Ultrason. Ferroelectrics and Frequency Control. 2007. Vol. 54. N 8. P. 1680-1686. DOI: 10.1109/TUFFC.2007.439
  22. Lehmann H.W., Widmer R. // J. Appl. Phys. 1973. Vol. 44. N 9. P. 3868-3879. DOI: 10.1063/1.1662864
  23. Zhao Z., Pan С., Gao С., Wang С. // IEEE Intern. Vacuum Electron. Conf. (IVEC). 2015 . P. 1-2. DOI: 10.1109/IVEC.2015.7224023
  24. Веселов А.Г., Елманов В.И., Кирясова О.А., Никулин Ю.В. // ЖТФ. 2017. Т. 87. Вып. 3. С. 448-452. DOI: 10.21883/JTF.2017.03.44253.1849 [ Veselov A.G., Elmanov V.I., Kiryasova O.A., Nikulin Yu.V. // Tech. Phys. 2017. Vol. 62. N 3. P. 470-474. DOI: 10.1134/S1063784217030264]
  25. Веселов А.Г., Елманов В.И., Кирясова О.А., Никулин Ю.В. // ЖТФ. 2018. Т. 88. Вып. 1. C. 98-106. DOI: 10.21883/JTF.2019.05.47484.289-18 [ Veselov A.G., Elmanov V.I., Kiryasova O.A., Nikulin Yu.V. // Tech. Phys. 2018. Vol. 63. N 1. P. 95-103. DOI: 10.1134/S1063784218010279]
  26. Minakata M., Chubachi N., Kikichi Y. // Japan. J. Phys. 1973. Vol. 12. N 3. P. 474-475
  27. Yanagitani T., Kiuchi M. // J. Appl. Phys. 2007. Vol. 102. P. 044115-1-6. DOI: 10.1063/1.2772589
  28. Yanagitani T., Kiuchi M. // IEEE Ultrason. Sympos. 2007. P. 1413-1416
  29. Somekh R.E. // J. Vac. Sci. Tech. A. 1984. Vol. 2. P. 1285-1291. DOI: 10.1116/1.572396

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme