Вышедшие номера
Формирование наноразмерных пленок SiO2 на поверхности свободной пленочной системы Si/Cu при имплантации ионов O2+
Переводная версия: 10.1134/S1063784219060239
Умирзаков Б.Е.1, Рузибаева М.К.1, Исаханов З.А.1, Ёркулов Р.М.1
1Институт ионно-плазменных и лазерных технологий АН Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
Email: za.isakhanov@gmail.com
Поступила в редакцию: 25 мая 2018 г.
В окончательной редакции: 25 мая 2018 г.
Принята к печати: 1 декабря 2018 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2019 г.

Исследованы состав и параметры энергетических зон тонких пленок SiО2, полученных на поверхности свободной системы Si/Cu. Показано, что в отличие от пленок SiО2, созданных на поверхности толстых пленок, значение Eg для тонких пленок SiО2 составляет всего лишь ~4.1 eV. Это объясняется наличием в пленке SiО2 примесных атомов Si и нестехиометрических окислов из-за невозможности прогрева системы выше температуры 700 K.