Вышедшие номера
Влияние адсорбированных молекул СО на электронное состояние нанопленок иттербия, выращиваемых на кремниевых подложках
Переводная версия: 10.1134/S1063784219070156
Кузьмин М.В.1, Митцев М.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: m.kuzmin@mail.ioffe.ru, M.Mittsev@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 13 февраля 2019 г.
В окончательной редакции: 13 февраля 2019 г.
Принята к печати: 13 февраля 2019 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2019 г.

Исследована адсорбция молекул монооксида углерода (СО) на нанопленках иттербия толщиной 16-200 монослоев (6.1-76 nm). Пленки выращены на монокристаллических кремниевых подложках с ориентацией поверхности Si (111). Показано, что иттербий до адсорбции молекул СО находится в двухвалентном состоянии с электронной конфигурацией [Xe]4f146s2. При адсорбции молекул газа в пленках в той их области, которая прилегает к поверхности, формируется слой, в котором иттербий трехвалентен (электронная конфигурация [Xe]4f135d16s2). Произведены оценки толщины модифицированного адсорбированными молекулами СО слоя. Эти оценки дали значения, заключенные в пределах 9-22 монослоя (3.4-8.4 nm).