Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Сравнительный анализ характеристик термофотовольтаических преобразователей на основе структур p-InAsSbP/n-InAs, облучаемых со стороны p- и n-типа проводимости
Переводная версия: 10.1134/S1063784219080140 
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Волгодонский инженерно-технический институт --- филиал Национального исследовательского ядерного университета МИФИ, Волгодонск, Россия
2Волгодонский инженерно-технический институт --- филиал Национального исследовательского ядерного университета МИФИ, Волгодонск, Россия
Email: payalnik07@rambler.ru
Поступила в редакцию: 9 октября 2018 г.
В окончательной редакции: 27 января 2019 г.
Принята к печати: 19 февраля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2019 г.
Проведено моделирование основных характеристик термофотовольтаических преобразователей, выполненных на основе гетероструктур p-InAsSbP/n-InAs в конструкциях с контактом ограниченной площади к облучаемому слою p-InAsSbP и флип-чип с вводом излучения через свободную от контактов поверхность подложки n+-InAs. Показано влияние особенностей конструкции на температуру активной области и на эффективность преобразователя. Ключевые слова: термофотовольтаический преобразователь, гетероструктуры InAsSbP/InAs, флип-чип, тепловой режим.
- Datas A. // Sol. Energ. Mat. Sol. C. 2015. Vol. 134. N 1. P. 275--290
- Santhanam P., Fan S. // Phys. Rev. B. 2016. Vol. 93. P. 161410(R)
- Mauk M.G., Andreev V.M. // Semicond. Sci. Tech. 2003. Vol. 18. N 5. P. S191--S201
- Krier A., Yin M., Marshall A.R.J., Krier S.E. // J. Electron. Mater. 2016. Vol. 45. N 6. P. 2826--2830. DOI: 10.1007/s11664-016-4373-0
- Malyutenko V.K., Malyutenko O.Yu., Zinovchuk A.V. // Appl. Phys. Lett. 2006. Vol. 89. P. 201114
- Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Рыбальченко А.Ю., Стусь Н.М. // ФТП. 2011. Т. 45. Вып. 4. С. 554--559. [ Zotova N.V., Karandashev S.A., Matveev B.A., Remennyy M.A., Rybal'chenko A.Yu., Stus' N.M. // Semiconuctors. 2011. Vol. 45. N 4. P. 543--549.]
- Matveev B.A., Zotova N.V., Karandashev S.A., Remennyi M.A., Stus' N.M., Talalakin G.N. // Proc. SPIE. 2002. Vol. 4650. P. 173
- Каталог ООО "ИоффеЛЕД" [Электронный ресурс] URL: http://www.ioffeled.com
- База данных NSM Archive [Электронный ресурс] URL: www.matprop.ru
- Закгейм А.Л., Зотова Н.В., Ильинская Н.Д., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Черняков А.Е. // ФТП. 2009. Т. 43. Вып. 3. С. 412--417. [ Zakhgeim A.L., Zotova N.V., Il'inskaya N.D., Karandashev S.A., Matveev B.A., Remennyi M.A., Stus' N.M., Chernyakov A.E. // Semiconductors. 2009. Vol. 43. N 3. P. 394--399.]
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
