Объектом исследования были тонкопленочные структуры Cu-As₂S₃ и Ag-As₂S₃, полученные методом последовательного термического испарения Cu (Ag) и As₂S₃ в вакууме на стеклянные подложки. Образцы хранились в атмосфере воздуха при комнатной температуре в темноте в течение 6 месяцев. Периодически проводилось измерение спектров пропускания исследуемых структур. Логарифм обратного пропускания в области прозрачности As₂S₃ был использован в качестве меры, пропорциональной толщине металлической пленки. Установлено, что зависимость толщины металлических пленок от времени хранения изменяется по линейному закону для Ag-As₂S₃, а для Cu-As₂S₃ зависимость может быть аппроксимирована двумя различными линейными участками. На основании сравнения уменьшения толщины металлического слоя выявлено, что структура Ag-As₂S₃ значительно более стабильна, чем структура Cu-As₂S₃. Сделано предположение, что при хранении в темноте исследуемых структур серебро в отличие от меди практически не взаимодействует с As₂S₃, хотя его диффузия в пленку As₂S₃ при хранении происходит непрерывно. Ключевые слова: халькогенидный стеклообразный полупроводник, тонкопленочные структуры, спектры пропускания, фотодиффузия.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.