Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2019, выпуск 10 » Статья стр. 1491
<<<>>>
Термоэлектрический механизм полевой эмиссии из углеродных наноструктур
DOI: 10.21883/JTF.2019.10.48163.162-19
Переводная версия: 10.1134/S1063784219100086
Эйдельман Е.Д. 1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: Eidelman@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 12 апреля 2019 г.
В окончательной редакции: 12 апреля 2019 г.
Принята к печати: 8 мая 2019 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2019 г.
PDF версия
Рассмотрена модель, описывающая особенности полевой эмиссии из углеродных наноматериалов. Модель основана на учете эффекта увлечения электронов баллистическими фононами в области градиента температуры внутри эмиссионного центра. Модель не требует никаких дополнительных предположений об особой энергетической структуре эмиссионного центра. Количественные оценки коэффициента термоЭДС, выполненные на основе модели эмиссии, находятся в хорошем соответствии с результатами экспериментов. Ключевые слова: термоЭДС, углеродные наноструктуры, алмазоподобные и графитоподобные нити.
  1. Egorov N., Sheshin E. Field Emission Electronics. Springer International Publishing AG, 2017. 578 p. (Springer Series in Advanced Microelectronics 60) ISBN: 9783319565606
  2. Попов Е.О., Колосько А.Г., Филиппов С.В., Смирнов И.Ю. // ЖТФ. 2017. Т. 87. Вып. 7. С. 1082--1088. DOI: 10.21883/JTF.2017.07.44683 [ Popov E.O., Kolos'ko A.G., Filippov S.V., Smirnov I.Yu. // Tech. Phys. 2017. Vol. 87. N 7. P. 1097--1103. DOI: 10.1134/S1063784217070192]
  3. Автореф. канд. дис. Архипов А.В. Низковольтная автоэлектронная эмиссия из наноструктурированных углеродосодержащих материалов и покрытий. 2017
  4. Harniman R., May P.W., Fox O.J.L. // Diamond \& Related Materials. 2017. Vol. 80. N 11. P. 147--152. DOI: 10.1016/j.diamond.2017.09.009
  5. Eydelman E.D., Vul' A.Ya. // J. Phys.: Condens. Matter. 2007. Vol. 19. N 7. P. 266210. DOI: 10.1088/0953-8984/19/26/266210
  6. Koniakhin S.V., Eidelman E. D. // Europ. Lett. 2013. Vol. 103. N 3. N 37006. DOI: 10.1209/0295-5075/103/37006
  7. Шахов Ф.М., Мейлахс А.П., Эйдельман Е.Д. // Письма в ЖТФ. 2016. Т. 42. Вып. 5. С. 57--61. [ Shakhov F.M., Meilakhs A.P., Eidelman E.D. // Tech. Рhys. Lett. 2016. Vol. 42. N 3. P. 252--255. DOI: 10.1134/510637850160330135]
  8. Dideykin A.T., Eidelman E.D., Vul' A.Ya. // Sol. Stat. Commun. 2003. Vol. 126. P. 494--498. DOI: 10.1016/S0038-1098(03)00253-9
  9. Vul' A.Ya., Eidelman E.D., Dideikin A.T. In: Synthesis, Properties and Applications of Ultrananocrystalline Diamond. Springer / NATO Series II (2005). Vol. 192. P. 383--394. Science Series ISSN: 1568-2609; ISBN: 1-4020-3320-6
  10. Eidelman E.D., Meilakhs A.P., Semak B.V., Shakhov F.M. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2017. Vol. 50. N 464007. (8p). DOI: 10.1088/1361-6463/aa8eic
  11. Рабчинский М.К., Эйдельман Е.Д., Виноградов А.Я., Грудинкин С.А., Дидейкин А.Т. // Письма в ЖТФ. 2019. Т. 45. Вып. 7. С. 33--35
  12. Krauss A.R., Auciella O., Ding M.Q., Gruen D.M., Huang Y., Zhirnov V.V., Givargizov E.I., Breskin A., Chechen R., Shefer E., Konov V., Pimenov S., Karabutov A., Rakhimov A., Suetin N. // J. Appl. Phys. 2001. Vol. 89. N 5. P. 2958--2967. DOI: 10.1063/1.1320009
  13. Рахимов А.Т. // УФН. 2000. Т. 170. Вып. 9. С. 996--1002. DOI: 10.3367UFNr.0170.200009f.0996 [ Rakhimov A.T. // Phys. Usp. 2000. Vol. 43. N 9. P. 926--929. DOI: 10.1070/PU2000v043n09ABEH00080]
  14. Елецкий А.В. // УФН. T. 172. N 4. C. 401--438. DOI: 10.3367/UFNr.0172.200204b.0401 [ Eletskii A.V. // Phys. Usp. 2002. Vol. 45. N 4. P. 369--402. DOI: 10.1070/PU2002v045n04ABEH001033]
  15. Tables of Physical and Chemical Constants / Ed. By G.W. Kaye, T.H. Laby. Longmans Green \& Co, 1958
  16. Levin P.H. // J. Appl. Phys. B. 1962. Vol. 33. N 2. P. 582--587
  17. Purcel S.T., Vincent L.P., Journey C., Binh V.T. // Phys. Rev. Lett. 2002. Vol. 88. N 10. P. 105502--06. DOI: 10.1103/PhysRevLett.88.105502
  18. Гуревич Л.Э. // ЖЭТФ. 1946. T. 16. Bып. 3. С. 193--227. [ Gurevich L.E. // J. Phys. (URSS. 1946. Vol. 9. N 3. P. 4--31.]
  19. Гуревич В.Л. Кинетика фононных систем. M.: Наука, 1980. 400 с
  20. Фетисов Е.П. Неравновесные фононные системы. М.: Изд-во МИФИ, 1995
  21. Zylbersztein A. // J. Рhys. 1972. Vol. 33. Suppl. C4. P. 85--90. [ Зильберстайн А.В Сб.: Физика фононов больших энергий. Новости физики твердого тела. В. 5. М.: Мир, 1976. С. 101--107.]
  22. Лифшиц Е.М., Питаевский Л.П. Физическая кинетика. 2-е изд., испр. М.: Физматлит, 2002. 536 с. ISBN 5-9221-0125-0 [ Lifshitz E.M., Pitaevskii L.P. // Physical Kinetics: Vol. 10. Course of Theoretical Physics. Elsevier, 2013.]
  23. Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников. М.: Наука, 1978. 626 c. [ Anselm A.I. Introduction to the Theory of Semiconductors. M.-L.: Fizmatgiz, 1982. 587 p.]
  24. Ziman J.M. Principles of the theory of solids. Cambridge: Univ. Press, 1964. 782 p. [ Займан Дж. Принципы теории твердого тела. М.: Мир, 1966. 754 c.]
  25. Huang Z.-H., Cutler P.H., Miskovsky N.M., Sullivan T.H.E. // Appl. Phys. Lett. 1996. Vol. 65. N 20. P. 2562--2564. DOI: 10.1063/1.112636
  26. Lee K.-R., Eun K.Y., Lee S., Jeon D.-R. // Thin Solid Films. 1996. Vol. 290--291. P. 171--175. DOI: 10.1016/S0040-6090(96)09080-3
  27. Zhang W.J., Wu Y., Wong W.K., Meng X.M., Chan C.Y., Bello I., Lifshitz Y., Lee S.T. // Appl. Phys. Lett. 2003. Vol. 83. N 16. P. 20--27. DOI: 10.1063/1.1619563
  28. Zhu W., Kochanski G.P., Jin S. // Science. 1998. Vol. 282. N 20. P. 1471--1473. DOI: 10.1126/science.282.5393.1471
  29. Образцов А.Н., Волков А.П., Боронин А.И., Кощеев С.В. // ЖЭТФ. 2001. T. 120. N 4 (10). C. 970--978. [ Obraztsov A.N., Volkov A.P., Boronin A.I., Koshcheev S.V. // J. Experimental Theor. Phys. 2001. Vol. 93. N 1.04. P. 932--939. DOI: 10.1134/1.1420454]
  30. Wacther R., Cordery A., Proffit S., Foord J.S. // Diamond and Related Materials. 1998. Vol. 7. P. 687--691. DOI: 10.1016/S0925-9635(97)00279-3

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme