Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электронные и оптические свойства тонких пленок GaAlAs/GaAs
Переводная версия: 10.1134/S1063784219100220 
Умирзаков Б.Е.
1, Донаев С.Б.
1, Мустафаева Н.М.1
1Ташкентский государственный технический университет им. И.А. Каримова, Ташкент, Узбекистан 
Email: sardor.donaev@gmail.com
Поступила в редакцию: 9 сентября 2017 г.
В окончательной редакции: 16 марта 2018 г.
Принята к печати: 1 марта 2019 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2019 г.
Показано, что формирование на поверхности GaAs нанопленок GaAlAs приводит к увеличению значения коэффициента эмиссии истинно-вторичных электронов и квантового выхода фотоэлектронов, что объясняется отличием глубины зоны выхода истинно-вторичных электронов для GaAs и для GaAlAs. Ключевые слова: эмиссионные свойства, оптические свойства, нанопленка, ионная имплантация, пленки GaAs, нанокристаллические фазы.
- Эпитаксия и гетероструктуры. / Пер. с англ. Под ред. Ж.И. Алферова, Ю.В. Шмарцева. М.: Мир, 1989. 582 с
- Laref S., Mec-abih S., Abbar B., Bouhafs B., Laref A. // Physica. B. 2007. Vol. 396. P. 169
- Золотарев В.В., Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Николаев Д.Н., Пихтин Н.А., Подоскин А.А., Слипченко С.О., Соколова З.Н., Шамахов В.В., Арсентьев И.Н., Вавилова Л.С., Бахвалов К.В., Тарасов И.С. // ФТП. 2013. Т. 47. Вып. 1. С. 124--128
- Середин П.В., Домашевская Э.П., Арсентьев И.Н., Винокуров Д.А., Станкевич А.Л., Prutskij T. // ФТП. 2013. Т. 47. Вып. 1. С. 3--8
- Чалдышев В.В., Школьник А.С., Евтихиев В.П., Holden T. // ФТП. 2006. Т. 40. Вып. 12. С. 1466--1469
- Середин П.В., Глотов А.В., Домашевская Э.П., Арсентьев И.Н., Винокуров Д.А., Станкевич А.Л., Тарасов И.С. // ФТП. 2009. Т. 43. Вып. 12. С. 1654--1661
- Донаев С.Б., Умирзаков Б.Е., Ташмухамедова Д.А. // ЖТФ. 2015. Т. 85. Вып. 10. С. 148--151
- Domashevskaya E.P., Seredin P.V., Lukin A.N., Bityutskaya L.A., Grechkina M.V., Arsent'ev I.N., Vinokurov D.N., Tarasov I.S. // Surf. Interf. Analysis. 2006. Vol. 8. N 4. P. 828
- Домашевская Э.П., Гордиенко Н.Н., Румянцева Н.А., Середин П.В., Агапов Б.Л., Битюцкая Л.А., Арсентьев И.Н., Вавилова Л.С., Тарасов И.С. // ФТП. 2008. Т. 42. Вып. 9. C. 1086--1093
- Умирзаков Б.Е., Нормурадов М.Т., Ташмухамедова Д.А., Ташатов А.К. Наноматериалы и перспективы их применения. Ташкент: MERIYUS, 2008. 256 с
- Бронштейн И.М., Фрайман Б.С. Вторичная электронная эмиссия. М.: Наука, 1969. 408 с
- Аброян И.А. // УФН. 1971. Т. 104. Вып. 1. С. 15--50
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
