Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Туннельные магниторезистивные элементы для датчиков магнитного поля
Переводная версия: 10.1134/S1063784219110227 
Российский научный фонд (РНФ), 16-12-10340
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 18-02-00247
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия 
Email: pashenkin@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 28 марта 2019 г.
В окончательной редакции: 28 марта 2019 г.
Принята к печати: 15 апреля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2019 г.
Отработана технология изготовления цепочек туннельных магниторезистивных (ТМР) элементов CoFe/Al2O3/NiFe с пиннингом на антиферромагнитном слое IrMn. Исследована зависимость формы кривых магнетосопротивления от геометрических параметров латерально ограниченных ТМР-контактов, а также от взаимной ориентации внешнего магнитного поля и оси однонаправленной анизотропии закрепленного слоя CoFe. Сопротивление цепочек составляло от нескольких десятков kOmega до сотен MOmega в зависимости от толщины туннельно-прозрачного слоя диэлектрика при величине магниторезистивного эффекта 10-15%. Отработанная технология может быть использована для изготовления туннельных датчиков магнитного поля. Ключевые слова: туннельные магниторезистивные контакты, однонаправленная анизотропия, магнетронное распыление, оптическая литография, ионное травление.
- Freitas P.P., Ferreira R., Cardoso S. // Proceed. IEEE. 2016. Vol. 104. N 10. P. 1894-1918. DOI: 10.1109/JPROC.2016.2578303
- Yuasa S., Djayaprawira D.D. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2007. N 40. P. 337-354. DOI:10.1088/0022-3727/40/21/R01
- Wie H.X., Qin Q.H., Ma M., Sharif R., Han X.F. // J. Appl. Phys. 2007. Vol. 101. P. 09B501. DOI: 10.1063/1.2696590
- Wang D.X., Nordman C., Daughton J.M., Qian Z.H., Fink J. // IEEE Trans. Magn. 2004. Vol. 40. N 4. P. 2269-2271
- Gao L., Jiang X., Yang S.-H., Rice P.M., Topuria T., P. Parkin S.S. // Phys. Rev. Lett. 2009. Vol. 102. P. 247205. DOI: 10.1103/PhysRevLett.102.247205
- Ikeda S., Hayakawa J., Ashizawa Y., Lee Y.M., Miura K., Hasegawa H., Tsunoda M., Matsukura F., Ohno H. // Appl. Phys. Lett. 2008. Vol. 93. P. 082508. DOI: 10.1063/1.297643
- Cruz de Gracia E.S., Dorneles L.S., Schelp L.F., Teixeira S.R., Baibich M.N. // Phys. Rev. B. 2007. Vol. 76. P. 214426
- Li F., Li Z., Xiao M., Du J., Xu W., Hu A. // Phys. Rev. B. 2004. Vol. 69. P. 054410
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
