Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Неразрушающий контроль поверхности, слоев и концентрации носителей заряда в подложках и структурах SiC

DOI: 10.21883/JTF.2019.12.48484.435-18

Переводная версия: 10.1134/S1063784219120181

Марков А.В.¹, Панов М.Ф.¹, Растегаев В.П.¹, Севостьянов Е.Н.¹, Трушлякова В.В.¹

¹Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

Email: 19_panov_59@mail.ru

Поступила в редакцию: 19 декабря 2018 г.

В окончательной редакции: 19 декабря 2018 г.

Принята к печати: 6 июня 2019 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2019 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Неразрушающими бесконтактными методами исследованы карбидокремниевые подложки и эпитаксиальные структуры. Параметры нарушенного поверхностного слоя и шероховатости определены методами эллипсометрии и атомно-силовой микроскопии. Концентрация свободных носителей заряда определена методом ИК спектроскопии. Толщины в многослойной эпитаксиальной структуре на SiC определены с помощью ИК спектроскопии и растровой электронной микроскопии. Ключевые слова: слой, отражение, интерференция, шероховатость, эллипсометрия.

Лучинин В.В. Анализ кристаллов интегральных схем. С.-Пб: С.-ПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2016. 328 с
Димитров Д.Ц., Лучинин В.В., Мошников В.А., Панов М.Ф. // ЖТФ. 1999. Т. 69. Вып. 4. С. 129--131
Лучинин В.В., Панов М.Ф. // Микроэлектроника. 2002. Т. 31. Вып. 2. С. 129--134
Голоудина С.И., Лучинин В.В., Пасюта В.М., Кpиштаб М.Б., Панов М.Ф., Pозанов В.В., Склизкова В.П., Кудpявцев В.В., Бакланов М.P. // Нано- и микросистемная техника. 2015. Вып. 12 (149). С. 9--14
Nakashima S., Harima H. // J. Appl. Phys. 2004. Vol. 95. P. 3541--3546
Narita K., Hijikata Y., Yaguchi H. et al. // Jpn. J. Appl. Phys. 2004. Vol. 43. N 8A. P. 5151--5156
Панов М.Ф., Растегаев В.П., Корлякова С.А. // ЖТФ. 2014. Т. 84. Вып. 8. С. 151--153
Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников. М.: Наука, 1977. 368 с
Бочкин О.И., Брук В.А., Никифорова-Денисова С.Н. Механическая обработка полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа, 1977. 152 с
Palik E.D. Handbook of optical constants of solids. San Diego: Academic, 1998. 999 p

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель