Вышедшие номера
Диэлектрическая спектроскопия как метод исследования тонких пленок диоксида ванадия
Переводная версия: 10.1134/S1063784219120107
Ильинский А.В.1, Кастро Р.А.2, Пашкевич М.Э.3, Шадрин Е.Б.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: shadr.solid@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 6 мая 2019 г.
В окончательной редакции: 6 мая 2019 г.
Принята к печати: 27 мая 2019 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2019 г.

Исследованы диэлектрические спектры образцов тонких (1200 Angstrem) пленок диоксида ванадия - материала с сильными электрон-электронными корреляциями. Исследованы как нелегированные, так и легированные германием пленки VO2:Ge. Для последних обнаружен дополнительный максимум в частотном спектре тангенса угла диэлектрических потерь. Изучена тонкая структура спектров и выполнена физическая интерпретация двух максимумов на частотной зависимости тангенса угла диэлектрических потерь и двух полуокружностей на Коул-Коул диаграмме. Анализ результатов произведен на основе эквивалентных электрических схем образцов: одноконтурной RC-схемы для случая нелегированной пленки VO2 и двухконтурной - для VO2:Ge. Определены численные значения параметров модельных схем. Ключевые слова: диэлектрическая спектроскопия, диоксид ванадия VO2, легированные пленки VO2:Ge, корреляционные эффекты, тангенс угла диэлектрических потерь.