Вышедшие номера
Адаптация золь-гель технологии наноструктурированного оксида цинка для целей гибкой электроники
Переводная версия: 10.1134/S1063784219120028
Аверин И.А.1, Пронин И.А.1,2, Якушова Н.Д.1, Карманов А.А.1, Алимова Е.А.3, Игошина С.Е.1, Мошников В.А.2, Теруков Е.И.2,4
1Пензенский государственный университет, Пенза, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3АО "Научно-исследовательский институт электронно-механических приборов", Пенза, Россия
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: pronin_i90@mail.ru
Поступила в редакцию: 4 июня 2019 г.
В окончательной редакции: 4 июня 2019 г.
Принята к печати: 10 июня 2019 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2019 г.

Проанализирована возможность замены классической для золь-гель методов операции высокотемпературного отжига операцией фотоотжига с использованием излучения ультрафиолетового диапазона длин волн. Предложена методика синтеза иерархически организованных пленок оксида цинка в рамках золь-гель технологии, основанная на параллельном совмещении низкотемпературной обработки и УФ-фотоотжига. Проведены спектроскопические исследования качественного состава пленкообразующего золя и наноматериалов на его основе, полученных на различных типах подложек, до и после инициации фотохимических реакций. Ключевые слова: оксид цинка, фотоотжиг, золь-гель технология, гибкая электроника.