Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Переключение поляризации вдоль подложки в тонких пленках Bi₄Ti₃O₁₂ при различных деформационных напряжениях

DOI: 10.21883/JTF.2020.01.48673.205-19a

Переводная версия: 10.1134/S1063784220010193

Министерство науки и высшего образования РФ , Государственное задание , № 0120-1354-247

Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ), офи_м, 16-29-14013

Мухортов В.М.

¹, Стрюков Д.В.

¹, Бирюков С.В.

¹, Головко Ю.И.

¹Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия Federal Research Center Southern Scientific Center of the Russian Academy of Sciences, Rostov-on-Don, Russia

Federal Research Center Southern Scientific Center of the Russian Academy of Sciences, Rostov-on-Don, Russia

Email: mukhortov1944@mail.ru, strdl@mail.ru, sbiryukovv@rambler.ru, urgol@rambler.ru

Поступила в редакцию: 23 мая 2019 г.

В окончательной редакции: 23 мая 2019 г.

Принята к печати: 17 июня 2019 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2019 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведено исследование монокристаллических пленок Bi₄Ti₃O₁₂ с предварительно осажденным 4 nm подслоем Ba_0.4Sr_0.6TiO₃ на подложках (001) MgO. В полученных гетероструктурах наблюдался поворот элементарных ячеек пленки Bi₄Ti₃O₁₂ на угол 45^o относительно ячеек подложки MgO в плоскости сопряжения. В пленках присутствуют деформации элементарной ячейки, зависящие от толщины Bi₄Ti₃O₁₂, и при толщине ~40 nm происходит смена знака деформации. Переключаемая спонтанная поляризация Bi₄Ti₃O₁₂ в плоскости сопряжения при 180^o доменной структуры возникает при толщине, равной 10 nm, и увеличивается с толщиной до 54 μC/cm². Изучение диэлектрических характеристик пленок подтвердило существование анизотропии свойств в плоскости сопряжения и влияние деформации элементарной ячейки на свойства гетероструктур. Ключевые слова: сегнетоэлектрик, тонкая пленка, диэлектрические свойства.

Catalan G., Seidel J., Ramesh R., Scott J.F. // Rev. Mod. Phys. 2012. Vol. 84. P. 119. DOI: 10.1103/RevModPhys.84.119
Kornev I., Fu H., Bellaiche L. // Phys. Rev. Lett. 2004. Vol. 93. P. 196104. DOI: 10.1103/PhysRevLett.93.196104
Maksymovych P., Jesse S., Yu P., Ramesh R., Baddorf A.P., Kalinin S.V. // Science. 2009. Vol. 324. P. 1421--1425. DOI: 10.1126/science.1171200
Gregg J.M. // Ferroelectrics. 2012. Vol. 433. P. 74--87. DOI: 10.1080/00150193.2012.678131
Prosandeev S., Ponomareva I., Kornev I., Naumov I., Bellaiche L. // Phys. Rev. Lett. 2006. Vol. 96. P. 237601. DOI: 10.1103/PhysRevLett.96.237601
Pertsev N.A., Zembilgotov A.G., Tagantsev A.K. // Phys. Rev. Lett. 1998. Vol. 80. P. 1988. DOI: 10.1103/PhysRevLett.80.1988
Zembilgotov A.G., Pertsev N.A., Bottger U., Waser R. // Appl. Phys. Lett. 2005. Vol. 86. P. 052903. DOI: 10.1063/1.1855389
Nesterov O., Matzen S., Magen C., Vlooswijk A.H.G., Catalan G., Noheda B. // Appl. Phys. Lett. 2013. Vol. 103. P. 142901. DOI: 10.1063/1.4823536
Schlom D.G., Chen L.-Q., Eom C.-B., Rabe K.M., Streiffer S.K., Triscone J.-M. // Annu. Rev. Mater. Res. 2007. Vol. 37. P. 589. DOI: 10.1146/annurev.matsci.37.061206.113016
Matzen S., Nesterov O., Rispens G., Heuver J.A., Biegalski M., Christen H.M., Noheda B. // Nature Commun. 2014. Vol. 5. P. 4415. DOI: 10.1038/ncomms5415
Rispens G., Heuver J.A., Noheda B. // Appl. Phys. Lett. 2010. Vol. 97. P. 262901. DOI: 10.1063/1.3532103
Стрюков Д.В., Мухортов В.М., Бирюков С.В., Головко Ю.И. // Наука юга России. 2017. Т. 13. В. 1. С. 18--24
Ye W., Lu C., You P., Liang K., Zhou Y. // J. Appl. Cryst. 2013. Vol. 46. P. 798--800. DOI: 10.1107/S0021889813009126
Rae A.D., Thompson J.G., Withers R.L., Willis A.C. // Acta Cryst. Sect. B. 1990. Vol. 46. P. 474--487. DOI: 10.1107/S0108768190003251
Анохин А.С., Бирюков С.В., Головко Ю.И., Мухортов В.М. // ФТТ. 2019. Т. 61. Вып. 2. С. 278. [ Anokhin A.S., Biryukov S.V., Golovko Yu.I., Mukhortov V.M. // Phys. Solid State. 2019. Vol. 61. P. 139. DOI: 10.1134/S1063783419020033]
Pan X.Q., Jiang J.C., Theis C.D., Schlom D.G. // Appl. Phys. Lett. 2003. Vol. 83. N 12. P. 2315--2317. DOI: 10.1063/1.1611277
Lee Jang-Sik, Kang B.S., Lin Y., Li Y., Jia Q.X. // Appl. Phys. Lett. 2002. Vol. 80. P. 1984. DOI: 10.1063/1.1459115

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель