Зондовая микроскопия и электронно-транспортные свойства тонких эпитаксиальных пленок Mo на сапфире
Фомин Л.А.
1, Маликов И.В.1, Березин В.А.1, Черных А.В.1, Логинов А.Б.2, Логинов Б.А.3
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия
Email: remagnetization@gmail.com, malikov@iptm.ru, berezin@iptm.ru, chern@iptm.ru, loginov.ab15@physics.msu.ru, b-loginov@mail.ru
Поступила в редакцию: 1 апреля 2020 г.
В окончательной редакции: 1 апреля 2020 г.
Принята к печати: 1 апреля 2020 г.
Выставление онлайн: 15 июля 2020 г.
Проведены исследования поверхности и электронно-транспортных свойств эпитаксиальных тонких пленок молибдена. Экспериментальные результаты сравнивались c известными квантовыми моделями влияния рельефа поверхности пленок на их сопротивление. Ключевые слова: эпитаксиальные пленки, тугоплавкие металлы, межсоединения, шероховатая поверхность, атомно-силовая микроскопия.
- Kapur P., Mc Vittie J.P., Saraswat K.C. // IEEE Trans. Electron Dev. 2002. Vol. 49. P. 590-597
- Hain M., Kurner H., Neureither B., Rohl S. // Appl. Surf. Sci. 1995. Vol. 91. P. 374-377
- Pan C.Y., Naeemi A. // IEEE Electron Dev. Lett. 2014. Vol. 35. N 2. P. 250-252
- Fuchs K. // Math. Proc. Cambridge Philos. Soc. 1938. Vol. 34. P. 100
- Sondheimer E.H. // Adv. Phys. 1952. Vol. 1. P. 1
- Mayadas A.F., Shatzkes M. // Phys. Rev. B. 1970. Vol. 1. P. 1382
- Mayadas A.F., Shatzkes M., Janak J.F. // Appl. Phys. Lett. 1969. Vol. 14. P. 345
- Falkovsky L.A. // Adv. Phys. 1983. Vol. 32. P. 753
- Tesanovic Z., Jaric M.V., Maekawa S. // Phys. Rev. Lett. 1986. Vol. 5. P. 2760
- Trivedi N., Ashcroft N.W. // Phys. Rev. B. 1988. Vol. 38. P. 12298
- Makarov N.M., Moroz N.M., Yampol'skii V.A. // Phys. Rev. B. 1995. Vol. 52. P. 6087
- Михайлов Г.М., Маликов И.В., Черных А.В. // Письма в ЖЭТФ. 1997. Т. 66. N 11. С. 693-698. [ Mikhailov G.M., Malikov I.V., Chernykh A.V. // JETP Lett. 1997. Vol. 66. N 11. P. 725-731.]
- Soffer S.B. // J. Appl. Phys. 1967. Vol. 38. N 4. P. 1710-1713
- Fishman G., Calecki D. // Phys. Rev. B. 1991. Vol. 43. P. 11581-11585
- Sheng L., Xing D.Y., Wang Z.D. // Phys. Rev. B. 1995. Vol. 51. P. 7325
- Munoz R.C., Finger R.Y., Arenas C.D., Kremer G., Moraga L. // Phys. Rev. B. 2002. Vol. 66. P. 205401
- Palasantzas G. // Phys. Rev. B. 1998. Vol. 58. N 15. P. 9685-9688
- Fischer G., Hoffmann H. // Solid State Commun. 1980. Vol. 35 P. 793
- Hensel J.C., Tung R.T., Poate J.M., Unterwald F.C. // Phys. Rev. Lett. 1985. Vol. 54. P. 1840
- Munoz R.C., Vidal G., Kremer G., Moraga L., Arenas C., Concha A. // J. Phys.: Condens. Matter. 2000. Vol. 12. P. 2903
- Munoz R.C., Vidal G., Mulsow M., Lisoni J.G., Arenas C., Concha A., Mora F., Espejo R., Kremer G., Moraga L., Esparza R., Haberle P. // Phys. Rev. B. 2000. Vol. 62. P. 4686
- Sambles J.R., Elsom K.C., Jarvis J.D. // Philos. Trans. R. Soc. A. 1982. Vol. 304. P. 365
- Фомин Л.А., Маликов И.В., Винниченко В.Ю., Калач К.М., Пяткин С.В., Михайлов Г.М. // Поверхность. 2008. N 2. С. 1-6. [ Fomin L.A., Malikov I.V., Vinnichenko V.Yu., Kalach K.M., Pyatkin S.V., Mikhailov G.M. // J. Synch. Investig. 2008. Vol. 2. P. 104-109.]
- Malikov I.V., Mikhailov G.M. // J. Appl. Phys. 1997. Vol. 82. N 11. P. 5555-5559
- Mikhailov G.M., Chernykh A.V., Petrashov V.T. // J. Appl. Phys. 1996. Vol. 80. P. 948
- Михайлов Г.М., Маликов И.В., Черных А.В., Петрашов В.Т. // ФТТ. 1996. Т. 38. С. 3212. [ Mikhailov G.M., Malikov I.V., Chernykh A.V., Petrashov V.T. // Phys. Solid State. 1996. Vol. 38. P. 1754.]
- Логинов Б.А., Логинов П.Б., Логинов В.Б., Логинов А.Б. // Наноиндустрия. 2019. N 6. С. 32-44
- Gwyddion --- Free SPM (AFM, SNOM/NSOM, STM, MFM) data analysis software, http://gwyddion.net/, дата последнего обращения 5.03.2020
- Bergman G. // Phys. Rep. 1984. Vol. 107. N 1. P. 1-58.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.