Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Пластическая релаксация напряженного полуполярного AlN(10(1)1) слоя, синтезированного на наноструктурированной Si(100) подложке
Переводная версия: 10.1134/S1063784220120051 
Поступила в редакцию: 25 марта 2020 г.
В окончательной редакции: 15 июня 2020 г.
Принята к печати: 30 июня 2020 г.
Выставление онлайн: 10 августа 2020 г.
Методом растровой электронной микроскопии изучалась пластическая релаксация напряженного полуполярного AlN(10(1)1) слоя, синтезированного на наноструктурированной подложке Si(100). Показано, что в полуполярном AlN-слое применение нанорельефа, состоящего из треугольных наноканавок с наклонными гранями, близкими к плоскости Si(111), может приводить к формированию трещин только в направлении, перпендикулярном канавке. Модельные представления пластической релаксации напряженного полуполярного слоя основываются на сравнении величин порогового напряжения, выше которого возникают трещины, и термомеханических напряжений, возникающих из-за различия коэффициентов термического расширения AlN/Si-структуры. Ключевые слова: полуполярный нитрид алюминия, наноструктурированная подложка кремния, релаксация напряженного слоя.
- Z. Li, B. Feng, B. Deng, L. Liu, Y. Huang, M. Feng, Y. Zhou, H. Zhao, Q. Sun, H. Wang, X. Yang, H. Yang. J. Semicond., 39, 044002 (2018). DOI: 10.1088/1674-4926/39/4/044002
- F. Scholz, T. Meisch, K. Elkhouly. Phys. Status Solidi A, 213, 3117 (2016). DOI: 10.1002/pssa.201600340
- J.-M. Liu, J. Zhang, W.-Y. Lin, M.-X. Ye, X.-X. Feng, D.-Y. Zhang, S. Dinga, Ch.-K. Xu, B.-L. Liu. Chin. Phys. B, 24, 57801 (2015)
- D.V. Dinh, S. Presa, M. Akhter, P.P. Maaskant, B. Corbett, P.J. Parbrook. Semicond. Sci. Technol., 30, 125007 (2015). DOI: 10.1088/0268-1242/30/12/125007
- V. Bessolov, A. Kalmykov, E. Konenkova, S. Kukushkin, A. Myasoedov, N. Poletaev, S. Rodin. J. Cryst. Growth, 457, 202 (2017). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.05.025
- M.A. Mastro, C.R. Eddy, Jr., D.K. Gaskill, N.D. Bassim, J. Casey, A. Rosenberg, R.T. Holm, R.L. Henry, M.E. Twigg. J. Cryst. Growth, 287, 610 (2006). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2005.10.119
- E.V. Etzkom, D.R. Clarke. J. Appl. Phys., 89 (2), 1025 (2001)
- K.K. Ansah-Antwi, C.B. Soh, H. Liu, S.J. Chua. J. Vac. Sci. Technol. A, 33, 061517 (2015)
- V.K. Smirnov, D.S. Kibalov, O.M. Orlov, V.V. Graboshnikov. Nanotechnology, 14, 709 (2003). DOI: 10.1088/0957-4484/14/7/304
- В.Н. Бессолов, М.Е. Компан, Е.В. Коненкова, В.Н. Пантелеев. Письма в ЖТФ, 46 (2), 12 (2020). DOI: 10.21883/PJTF.2020.02.48944.18061 [V.N. Bessolov, M.E. Kompan, E.V. Konenkova, V.N. Panteleev. Tech. Phys. Lett., 46, 59 (2020). DOI: 10.1134/S1063785020010174]
- Sh.-R. Jian, J.-Y. Juang. J. Nanomaterials, 2012, 914184 (2012). DOI: 10.1155/2012/914184
- A. Pandey, S. Dutta, R. Prakash, R. Raman, A.K. Kapoor, D. Kaur. J. Electr. Materials, 47, 1405 (2018). DOI: 10.1007/s11664-017-5924-8
- J.W. Hutchinson, Z. Suo. Advanc. Appl. Mechanics, 29, 63 (1992). DOI: 10.1016/S0065- 2156(08)70164-9
- P.R. Tavernier, B. Imer, S.P. DenBaars, D.R. Clarke. Appl. Phys. Lett., 85 (20), 4630 (2004). DOI: 10.1063/1.1818736
- W.M. Yim, R.J. Paff. J. Appl. Phys., 45 (3), 1456 (1974). DOI: 10.1063/1.1663432
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
