Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2021, выпуск 6 » Статья стр. 988
<<<>>>
Релаксация механических напряжений в эпитаксиальных пленках кубического карбида кремния на кремниевых подложках с буферным пористым слоем
DOI: 10.21883/JTF.2021.06.50870.353-20
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Программа повышения конкурентоспособности НИЯУ МИФИ, б/н
Гусев А.С. 1, Каргин Н.И. 1, Рындя С.М. 1, Сафаралиев Г.К. 1, Сигловая Н.В. 1, Смирнова М.О. 1, Соломатин И.О.1, Султанов А.О. 1, Тимофеев А.А. 1
1Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
Email: Simfer2001@mail.ru, karabi86@mail.ru, ryndya_sm@mail.ru, safaraliev@duma.gov.ru, nat.ncstu@rambler.ru, mosmirnova@yandex.ru, ivansolomatin493@gmail.com, alexmail21@mail.ru
Поступила в редакцию: 30 декабря 2020 г.
В окончательной редакции: 19 января 2021 г.
Принята к печати: 21 января 2021 г.
Выставление онлайн: 23 февраля 2021 г.
PDF версия
Результаты работы количественно и качественно освещают процессы релаксации напряжений несоответствия, возникающих при эпитаксии кубического карбида кремния на кремнии. Проведен анализ распределений механических напряжений в гетероструктурах 3C-SiC/Si и 3C-SiC/por-Si. Показана существенная роль пористого буферного слоя в уменьшении величины напряжений несоответствия. Данные теоретического исследования подтверждены экспериментальными значениями остаточных напряжений в образцах 3C-SiC/Si и 3C-SiC/por-Si. Ключевые слова: карбид кремния, пористый кремний, остаточные напряжения, дислокации несоответствия.
  1. А.А. Лебедев, Е.В. Калинина, В.В. Козловский. Поверхность. Рентгеновские, cинхротронные и нейтронные исследования, (4), 77 (2018). DOI: 10.7868/S0207352818040121
  2. F. Liu, J. Chu, C. Carraro, R. Maboudian. J. Appl. Phys., (106), 013505 (2009). DOI: 10.1063/1.3157184
  3. A.A. Volinsky, G. Kravchenko, P. Waters, J.D. Reddy, C. Locke, C. Frewin, S.E. Saddow. Mater. Res. Society Symposia Proceed., 1069 (2009). DOI: 10.1557/PROC-1069-D03-05
  4. D.N. Talwar, L. Wan, C.C. Tin, Z.C. Feng. J. Mater. Sci. Eng., 6 (2), 1 (2017). DOI: 10.4172/2169-0022.1000324
  5. H. Mukaida, H. Okumura, J.H. Lee, H. Daimon, E. Sakuma, S. Misawa, K. Endo, S. Yoshida. J. Appl. Phys., 62, 254 (1987). DOI: 10.1063/1.339191
  6. Р.С. Телятник, А.В. Осипов, С.А. Кукушкин. ФТТ, 57 (1), 153 (2015). [R.S. Telyatnik, A.V. Osipov, S.A. Kukushkin. Phys. Solid State, 57, 162 (2015). DOI: 10.1134/S106378341501031X]
  7. О.М. Сресели, Д.Н. Горячев, В.Ю. Осипов, Л.В. Беляков, С.П. Вуль, И.Т. Серенков, В.И. Сахаров, А.Я. Вуль. ФТП, 36 (5), 604 (2002). [O.M. Sreseli, D.N. Goryachev, V.Yu. Osipov, L.V. Belyakov, S.P. Vul', I.T. Serenkov, V.I. Sakharov, A.Ya. Vul'. Semiconductors, 36 (5), 574 (2002). DOI: 10.1134/1.1478551]
  8. N.I. Kargin, A.O. Sultanov, A.V. Bondarenko, V.P. Bondarenko, S.V. Red'ko, A S. Ionov. Russ. Microelectronics, 43 (8), 531 (2014). DOI: 10.1134/S106373971408006X
  9. A. Kelly, G.W. Groves. Crystallography and crystal defects (Longman, London, 1970)
  10. Электронный ресурс. Режим доступа: http://www.ioffe.ru/ SVA/NSM/Semicond/SiC/mechanic.html
  11. X. Хан. Теория упругости. Основы линейной теории и еe применение, пер. с нем. (М., 1988)
  12. D. Olego, M. Cardona, P. Vogl. Phys. Rev. B, 25 (6), 3878 (1982). DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.25.3878
  13. С.С. Горелик, Л.Н. Расторгуев, Ю.А. Скаков. Рентгенографический и электроннооптический анализ (практическое руководство) (Металлургия, M., 1970), c. 126
  14. R.H. Saul. J. Appl. Phys., 40, 3273 (1969). https://doi.org/10.1063/1.1658174
  15. G.H. Olsen, M. Ettenberg. J. Appl. Phys., 48, 2543 (1977). https://doi.org/10.1063/1.323970
  16. A.S. Gusev, N.I. Kargin, S.M. Ryndya, G.K. Safaraliev, N.V. Siglovaya, A.O. Sultanov, A.A. Timofeev. J. Surf. Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniq., 13 (2), 280 (2019). DOI: 10.1134/S1027451019020083
  17. И.Ю. Смолинa, М.О. Еремин, П.В. Макаров, С.П. Буякова, С.Н. Кульков, Е.П. Евтушенко. Вестник Tомского гос. ун-та., 5, 78 (2013)
  18. C.M. Su, A. Fekade, M. Spencer, M. Wuttig. J. Appl. Phys., 77, 1280 (1995). https://doi.org/10.1063/1.359579

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme