Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Мощные СВЧ-фотодиоды на основе гетероструктур InAlAs/InGaAs, синтезируемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии

DOI: 10.21883/JTF.2021.07.50957.347-20

Российский научный фонд, 19-72-30023

Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 20-52-26013

Журавлев К.С.^1,2, Гилинский A.M.¹, Чистохин И.Б.¹, Валишева Н.А.¹, Дмитриев Д.В.¹, Торопов А.И.¹, Аксенов М.С.^1,2, Чиж А.Л.³, Микитчук К.Б.³

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia

³Государственное научно-производственное объединение "Оптика, оптоэлектроника и лазерная техника" НАН Беларуси, Минск, Беларусь State Scientific and Production Association “Optics, Optoelectronics and Laser Technology” Minsk, Belarus

State Scientific and Production Association “Optics, Optoelectronics and Laser Technology” Minsk, Belarus

Email: zhur@isp.nsc.ru

Поступила в редакцию: 16 декабря 2020 г.

В окончательной редакции: 24 февраля 2021 г.

Принята к печати: 1 марта 2021 г.

Выставление онлайн: 21 марта 2021 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Описаны конструкция и технологии изготовления мощных СВЧ-мезафотодиодов с барьером Шоттки диаметром от 10 до 40 μm и обратной засветкой через подложку на основе гетероструктур InAlAs/InGaAs/InP, выращиваемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Рабочая частота фотодиодов диаметром 10 μm составляет 40 GHz, а максимальная выходная СВЧ-мощность на частоте 20 GHz для фотодиодов диаметром 15 μm достигает 58 mW. Коэффициент амплитудно-фазового преобразования составил 1.5 rad/W, что превосходит литературные данные и делает данную конструкцию фотодиодов перспективной для применения в системах генерации и передачи аналоговых СВЧ-сигналов с высокими требованиями к фазовым шумам. Ключевые слова: мощные СВЧ-фотодиоды, гетероструктуры InAlAs/InGaAs, барьер Шоттки, планарная технология.

A.J. Seeds, K.J. Williams. J. Lightwave Technol., 24 (12), 4628 (2006). DOI: 10.1109/JLT.2006.885787
T. Berceli, P.R. Herczfeld. IEEE Trans. Microw. Theor. Tech., 58 (11), 2992 (2010). DOI: 10.1109/TMTT.2010.2076932
W.S.C. Chang, editor. RF Photonic Technology in Optical Fiber Links (Cambridge University Press, NY., 2002)
И.Б. Чистохин, К.С. Журавлев. Успехи прикладной физики, 3 (1), 92 (2015). [I.B. Chistokhin, K.S. Zhuravlev. Uspekhi Prikladnoj Fiziki, 3 (1), 92 (2015) (in Russian).]
X. Xie, Q. Zhou, K. Lim, Y. Shen, Q. Lim, Z. Yang, A. Beling, J.C. Campbell. Optica, 1 (6), 429 (2013). DOI: 10.1364/OPTICA.1.000429
А.Л. Чиж, К.Б. Микитчук, К.С. Журавлев, Д.В. Дмитриев, А.И. Торопов, Н.А. Валишева, М.С. Аксенов, A.M. Гилинский, И.Б. Чистохин. Письма в ЖТФ, 45 (14), 52 (2019). DOI: 10.21883/PJTF.2019.14.48026.17764 [A.L. Chizh, K.B. Mikitchuk, K.S. Zhuravlev, D.V. Dmitriev, A.I. Toropov, N.A. Valisheva, M.S. Aksenov, A.M. Gilinsky, I.B. Chistokhin. Tech. Phys. Lett., 45 (7), 739 (2019). DOI: 10.1134/S1063785019070204]
A. Chizh, S. Malyshev, K. Mikitchuk. 2015 International Topical Meeting on Microwave Photonics (MWP) --- Paphos, Cyprus, 24-29 October, 2015, p. 1. DOI: 10.1109/mwp.2015.7356654
R. Lewen, U. Westergren, R. Schatz, E. Berglind. J. Lightwave Technol., 19 (12), 1956 (2001)
S. Katsura, Y. Sugiyama, O. Oda, M. Tacano. Appl. Phys. Lett., 62 (16), 1910 (1993). DOI: 10.1063/1.109540
S. Adachi. J. Appl. Phys., 66 (12), 6030 (1989). DOI: 10.1063/1.343580
M.S. Aksenov, N.A. Valisheva, I.B. Chistokhin, D.V. Dmitriev, A.S. Kozhukhov, K.S. Zhuravlev. Appl. Phys. Lett., 114 (22), 221602 (2019). DOI: 10.1063/1.5091598
D. Eliyahu, D. Seidel, L. Maleki. IEEE Trans. on Microw. Theor. Tech., 56 (2), 449 (2008). DOI: 10.1109/TMTT.2007.914640
Y. Hu, C. Menyuk, X. Xie, M. Hutchinson, V. Urick, J. Campbell, K. Williams. IEEE Photonics J., 9 (2), 5501111 (2017). DOI: 10.1109/JPHOT.2017.2682251
Электронный ресурс. Режим доступа: https://www.disco- verysemi.com/Product\_Pages/DSC-xHLPD.php
J. Zang, X. Xie, Q. Yu, Z. Yang, A. Beling, J.C. Campbell. J. Lightwave Technol., 36 (22), 5218 (2018). DOI: 10.1109/JLT.2018.2871882

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель