GaAs/AlGaAs- и InGaAs/AlGaAs-гетероструктуры для мощных полупроводниковых инфракрасных излучателей
РФФИ и Правительство Новосибирской области, 20-42-540009
Гуляев Д.В.
1, Дмитриев Д.В.
1, Фатеев Н.В.
1, Протасов Д.Ю.
1, Кожухов А.С.
1, Журавлев К.С.
11Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: gulyaev@isp.nsc.ru, ddmitriev@isp.nsc.ru, fateev@isp.nsc.ru, protasov@isp.nsc.ru, kozhukhov@isp.nsc.ru, zhur@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 12 мая 2021 г.
В окончательной редакции: 28 июня 2021 г.
Принята к печати: 1 июля 2021 г.
Выставление онлайн: 2 августа 2021 г.
Определен внутренний квантовый выход люминесценции GaAs/AlGaAs- и InGaAs/AlGaAs-гетероструктур для инфракрасных светодиодов. Исследовано влияние ростовых условий гетероструктур, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии и пост-ростового отжига на квантовый выход гетероструктур. Показано, что совокупной оптимизацией данных процессов удается повысить квантовый выход люминесценции исследуемых гетероструктур до 75-80% при умеренной мощности накачки. Ключевые слова: гетероструктуры, кельвиновская зондовая микроскопия, молекулярно-лучевая эпитаксия.
- W.A. Cahyadi, Y. Ho Chung. Opt. Express, 26 (15), 19657 (2018). DOI: 10.1364/OE.26.019657
- T. Tamura, Y. Maeda, M. Sekine, M. Yoshida. Electronics, 3, 282 (2014). DOI: 10.3390/electronics3020282
- A.C. Caputo. Digital Video Surveillance and Security (Elsevier Inc., 2014)
- E.F. Schubert. Light-emitting diodes (second edition) (Cambridge University Press, 2006)
- А.В. Малевская, Н.А. Калюжный, Д.А. Малевский, С.А. Минтаиров, Р.А. Салий, А.Н. Паньчак, П.В. Покровский, Н.С. Потапович, В.М. Андреев. ФТП, 55 (7), 614 (2021). DOI: 10.21883/FTP.2021.07.51028.9646
- S.-Y. Lee, E. Lee, J.-H. Moon, B. Choi, J.-T. Oh, H.-H. Jeong, T.-Y. Seong, H. Amano. Photon. Technol. Lett. IEEE, 32 (17), 1041 (2020). DOI: 10.1109/LPT.2020.3010820
- H.-P.D. Yang, J.-N. Liu, F.-I. Lai, H.-Ch. Kuo, J.Y. Chi. J. Modern Opt., 55 (9), 1509 (2008). DOI: 10.1080/09500340701691608
- M. Li, H. Zhen, Y. Jing, H. Wang, N. Li. Opt. Quant Electron., 48 (2), 140 (2016). DOI: 10.1007/s11082-016-0415-3
- I. Schnitzer, E. Yablonovitch, C. Caneau, T.J. Gmitter, A. Scherer. Appl. Phys. Lett., 63 (16), 2174 (1993). DOI: 10.1063/1.110575
- R. Windisch, C. Rooman, B. Dutta, A. Knobloch, G. Borghs, G.H. Dohler, P. Heremans. IEEE J. Selected Topics in Quant. Electronics, 8 (2), 248 (2002). DOI: 10.1109/2944.999177
- T. Kato, H. Susawa, M. Hirotani, T. Saka, Y. Ohashi, E. Shichi, S. Shibata. J. Crystal Growth, 1 07 (1-4), 832 (1991). DOI: 10.1016/0022-0248(91)90565-M
- S.-Ch. Ahn, B.-T. Lee, W.-Ch. An, D.-K. Kim, I.-K. Jang, J.-S. So, H.-J. Lee. J. Korean Phys. Society, 69 (1), 91 (2016). DOI: 10.3938/jkps.69.91
- D. Ban, H. Luo, H.C. Liu, Z.R. Wasilewski, A.J. SpringThorpe, R. Glew, M. Buchanan. J. Appl. Phys., 96 (9), 5243 (2004). DOI: 10.1063/1.1785867
- R. Windisch, B. Dutta, M. Kuijk, A. Knobloch, S. Meinlschmidt, S. Schoberth, P. Kiesel, G. Borghs, G.H. Dohler, P. Heremans. IEEE Trans. Electron. Dev., 47 (7), 1492 (2000). DOI: 10.1109/16.848298
- L. Han, M. Zhao, X. Tang, W. Huo, Z. Deng, Y. Jiang, W. Wang, H. Chen, Ch. Du, H. Jia. J. Appl. Phys., 127 (8), 085706 (2020). DOI: 10.1063/1.5136300
- I. Schnitzer, E. Yablonovitch, C. Caneau, T.J. Gmitter. Appl. Phys. Lett., 62 (2), 131 (1993). DOI: 10.1063/1.109348
- P. Bai, Y. Zhang, T. Wang, Z. Shi, X. Bai, Ch. Zhou, Y. Xie, L. Du, M. Pu, Z. Fu, J. Cao, X. Guo, W. Shen. Semicond. Sci. Technol., 35 (3), 035021 (2020). DOI: 10.1088/1361-6641/ab6dbf
- M.A. Ladugin, A.A. Marmalyuk, A.A. Padalitsa, K.Yu. Telegin, A.V. Lobintsov, S.M. Sapozhnikov, A.I. Danilov, A.V. Podkopaev, V.A. Simakov. Quant. Electron., 47 (8), 693 (2017). DOI: 10.1070/QEL16441
- A.L. Weisenhorn, P. Maivald, H.-J. Butt, P.K. Hansma. Phys. Rev. B, 45 (19), 11226 (1992). DOI: 10.1103/physrevb.45.11226
- R.F. Kubin, A.N. Fletcher. J. Luminescence, 27 (4), 455 (1982). DOI: 10.1016/0022-2313(82)90045-X
- P.A. Bokhan, N.V. Fateev, T.V. Malin, I.V. Osinnykh, D.E. Zakrevsky, K.S. Zhuravlev. J. Luminescence, 203 (4), 127 (2018). DOI: 10.1016/j.jlumin.2018.06.034
- Y.-S. Yoo, T.-M. Roh, J.-H. Na, S.J. Son, Y.-H. Cho. Appl. Phys. Lett., 102 (21), 211107 (2013). DOI: 10.1063/1.4807485
- T. Murotani, T. Shimanoe, S. Mitsui. J. Crystal Growth, 45, 308 (1978); DOI: 10.1016/0022-0248(78)90453-0
- E.C. Larkins, J.S. Harris. Molecular Beam Epitaxy of High-Quality GaAs and AlGaAs, ed. by Robin F.C. Farrow (William Andrew Inc., 1995)
- F. Stietz, Th. Allinger, V. Polyakov, J. Woll, A. Goldmann, W. Erfurth, G.J. Lapeyre, J.A. Schaefer. Appl. Surf. Sci., 104/105, 169 (1996). DOI: 10.1016/S0169-4332(96)00140-7
- M. Jalonen, M. Toivonen, P. Savolainen, J. Kongas, M. Pessa. Appl. Phys. Lett., 71 (4), 479 (1997). DOI: 10.1063/1.119584
- J. Dekker, A. Tukiainen, N. Xiang, S. Orsila, M. Saarinen, M. Toivonen, M. Pessa, N. Tkachenko, H. Lemmetyinen. J. Appl. Phys., 86 (7), 3709 (1999). DOI: 10.1063/1.371283
- H.H. Yee, Ch.-P. Yu. Appl. Opt., 42 (15), 2695 (2003). DOI: 10.1364/AO.42.002695
- T. Bouragba, M. Mihailovic, F. Reveret, P. Disseix, J. Leymarie, A. Vasson, B. Damilano, M. Hugues, J. Massies, J.Y. Duboz. J. Appl. Phys., 101 (7), 073510 (2007). DOI: 10.1063/1.2719289
- H. Peyre, J. Camassel, W.P. Gillin, K.P. Homewood, R. Grey. Mater. Sci. Eng. B, 28 (1-3), 332 (1994). DOI: 10.1016/0921-5107(94)90077-9
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
