Оптика и спектроскопия

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Совместный анализ спектров катодолюминесценции и электролюминесценции слоев Si-SiO₂ на кремнии

DOI: 10.21883/OS.2021.12.51740.2500-21

Барабан А.П.¹, Дмитриев В.А.¹, Габис И.Е.¹, Петров Ю.В.¹, Прокофьев В.А.¹

¹Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State University, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 30 июня 2021 г.

В окончательной редакции: 15 августа 2021 г.

Принята к печати: 17 августа 2021 г.

Выставление онлайн: 1 октября 2021 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Показана возможность получения дополнительной информации о свойствах центров люминесценции при совместном анализе спектров электролюминесценции и катодолюминесценции структур Si-SiO₂ в спектральном диапазоне 250-800 nm. Показано, что концентрация центров люминесценции, ответственных за полосу 2.2 eV, не зависит от конечной толщины окисного слоя при равномерном распределении центров по толщине SiO₂. Установлено, что ответственные за полосу 4.2 eV центры люминесценции характеризуются неоднородным распределением с преимущественным формированием во внешней части окисного слоя (~30 nm) в количестве, пропорциональном корню квадратному от времени термического окисления, что позволяет связать их образование с процессом диффузии компонентов окислителя. Ключевые слова: катодолюминесценция, электролюминесценция, спектральное распределение, центры люминесценции.

Coenen1and T., Haege N.M. // Appl. Phys. Rev. 2017. V. 4.031103. Р. 1. doi 10.1063/1.4985767
Барабан А.П., Дмитриев В.А., Петров Ю.В. Электролюминесценция в твердотельных слоистых структурах на основе кремния. СПб.: Изд-во С.-Петерб. ун-та, 2009. 195 с. ISBN 978-5-288-04985-9
Константинова-Шлезингер М.А. Люминесцентный анализ. М.: Физ.-мат. литература, 1961. 400 с
Solomon P., Klein N. // J. Appl. Phys. 1976. V. 1023. doi 10.1063/1.322739
Барабан А.П., Коноров П.П., Кручинин А.А., Тарантов Ю.А. // Электрохимия. 1984. Т. 20. N 4. С. 539
Baraban A.P., Samarin S.N., Prokofiev V.A., Dmitriev V.A., Selivanov A.A., Petrov Y. // J. Lumin. 2019. V. 205. P. 102. doi 10.1016/j.jlumin.2018.09.009
McKnight S.W., Palic E.D. // J. Non. Cryst. Solids. 1980. V. 40. P. 595. doi 10.1016/0022-3093(80)90133-7
Zamoryanskaya M.V., Sokolov V.I. // Phys. Sol. State. 1998. V. 40. N 11. P. 1797
Babaran A.P., Bulavinov V.V., Troshikhin A.G. // Tech. Phys. Lett. 1993. V. 19. N 9. P. 577
Baraban A.P., Dmitriev V.A., Petrov Yu.V., Timofeeva K.A. // Semiconductors. 2013. V. 47. N 13. P. 1711. doi 10.1134/S1063782613130022
Baraban A.P., Semykina E.A., Vaniouchov M.B. // Semiconductor Sci. and Technology. 2000. V. 15. N 6. P. 546. doi 10.1088/0268-1242/15/6/310
Drouin D. // Microscopy and Microanalysis. 2006. V. 12. N S02. P. 1512. doi 10.1017/S1431927606069686
Deal B.E., Grove A.S. // J. Appl. Phys. 1965. V. 36. N 12. P. 3770. doi 10.1063/1.1713945

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель