Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2022, выпуск 3 » Статья стр. 457
<<<>>>
Температурный режим и механические напряжения в корпусированных фотоэлектрических преобразователях концентрированного солнечного излучения
DOI: 10.21883/JTF.2022.03.52141.283-21
Переводная версия: 10.21883/TP.2022.03.53268.283-21
Министерство науки и высшего образования РФ , Государственная программа Российской Федерации "Научно-технологическое развитие Российской Федерации" подпрограмма 4 (комплекс мероприятий по обеспечению реализации программы двух- и многостороннего научно-технологического взаимодействия), Соглашение № 075-15-2021-989 от 23.09.2021 г. (Уникальный идентификатор контракта RF----225121X0054)
Паньчак А.Н.1, Шварц М.З.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: a.panchak@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 29 октября 2021 г.
В окончательной редакции: 2 декабря 2021 г.
Принята к печати: 7 декабря 2021 г.
Выставление онлайн: 4 января 2022 г.
PDF версия
В фотоэлектрических преобразователях концентрированного солнечного излучения утонение подложки позволяет уменьшить тепловое сопротивление кристалла и снинзить рабочую температуру активной области. Однако при этом механические напряжения в нем увеличиваются. Настоящая работа поднимает вопрос баланса между механической прочностью образца и уменьшением его рабочей температуры за счет утонения подложки. Ключевые слова: фотоэлектрические преобразователи, теплоотвод, температурный режим, механические напряжения.
  1. А.В. Чекалин, А.В. Андреева, Н.Ю. Давидюк, Н.С. Потапович, Н.А. Садчиков, В.М. Андреев, Д.А. Малевский. ЖТФ, 91 (6), 915 (2021). DOI: 10.21883 JTF.2021.06.50859.314-20
  2. M. Steiner, A. Bosch, A. Dilger, F. Dimroth, T. Dorsam, M. Muller, T. Hornung, G. Siefer, M. Wiesenfarth, A.W. Bett. Prog. Photovolt: Res. Appl., 23 (10),1323 (2014). DOI: 10.1002/pip.2568
  3. N.A. Pakhanov, V.M. Andreev, M.Z. Shvarts, O.P. Pchelyakov. Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing, 54, 187 (2018). DOI: 10.3103 S8756699018020115
  4. J.F. Geisz, R.M. France, K.L. Schulte, M.A. Steiner, A.G. Norman, H.L. Guthrey, M.R. Young, T. Song, T. Moriarty. Nature Energy, 5, 326 (2020). DOI: 10.1038 s41560-020-0598-5
  5. X. Zhang, J. Hu, Y. Wu, F. Lu. J. Phys. D: Appl. Phys., 42, 145401 (2009). DOI: 10.1088/0022-3727/42/14/145401
  6. Н.Ю. Давидюк, А.В. Андреева, Д.А. Малевский, П.В. Покровский, Н.А. Садчиков, А.В. Чекалин, В.М. Андреев. Письма в ЖТФ, 46 (9), 29 (2020). DOI: 10.21883 PJTF.2020.09.49369.18239 [N.Yu. Daviduk, A.V. Andreeva, D.A. Malevsky, P.V. Pokrovsky, N.A. Sadchikov, A.V. Chekalin, V.M. Andreev. Tech. Phys. Lett., 46, 436 (2020). DOI: 10.1134/S1063785020050041]
  7. L.D. Landau, E.M. Lifshitz. Theory of Elasticity (3rd ed.) (Elsevier, 1986), v. 7, Ch. V, p. 152. DOI: 10.1063/1.3057037
  8. А.В. Андреева, Н.Ю. Давидюк, Д.А. Малевский, А.Н. Паньчак, Н.А. Садчиков, А.В. Чекалин. ФТП, 52, 3 (2018). DOI: 10.21883 JTF.2021.02.50365.155-20
  9. G. Peharz, J.P.F. Rodri guez, G. Siefer, A.W. Bett. Prog. Photovolt: Res. Appl., 19, 54 (2011). DOI: 10.1002 pip.987
  10. A.S. Okhotin, A.S. Pushkarskii, V.V. Gorbachev. Thermophysical Properties of Semiconductors (Atom, Publ. House, M., 1972)
  11. J.S. Blakemore. J. Appl. Phys., 53 (10), 123 (1982). DOI: 10.1063/1.331665
  12. M. White, J. Gran, N. Tomlin, J. Lehman. Metrologia, 51, S245 (2014). DOI: 10.1088/0026-1394/51/6/S245
  13. G.A. Slack, R.A. Tanzilli, R.O. Pohl, J.W. Vandersande. J. Phys. Chem. Sol., 48 (7), 641 (1987). DOI: 10.1016/0022-3697(87)90153-3
  14. M. Bukhari, M.S.J. Hashmi, D. Brabazon. In The 2nd International Malaysia-Ireland Joint Symposium on Engineering, Science and Business (IMiEJS), 2012 At: Putra World Trade Centre, Kuala Lumpur, Malaysia
  15. E. Ranjbarnodeh, S. Serajzadeh, A.H. Kokabi, A. Fischer. J. Mater. Sci., 46, 3225 (2011). DOI: 10.1007/s10853-010-5207-8
  16. W. Martienssen, H. Warlimont Springer handbook of Condensed Matter and Materials Data (Springer, Berlin, 2005), p. 431. DOI: 10.1007/3-540-30437-1
  17. S.I. Novikova. Sov. Phys. Sol. State, 2 (1),37 (1960)
  18. S.I. Novikova. Sov. Phys. Sol. State, 3 (1),129 (1961)
  19. D. Minakov, P. Levashov. Phys. Rev. B., 92, 224102 (2015). DOI:10.1103/PhysRevB.92.224102
  20. G.A. Slack, S.F. Bartram. J. Appl. Phys., 46 (1), 89 (1975). DOI: 10.1063/1.321373
  21. L. Del Castillo, D. Schatzel, C. Weber, T. Hatake, M. Mojarradi, E.A. Kolawa. In Proc. 4th Int. Planetary Probe Workshop, (2006)
  22. G. Sun, Z. Chen, Z. Liu. J. Mater. in Civil Engineer., 23, 1017, (2011). DOI: 10.1061/(ASCE)MT.1943-5533.0000271
  23. Y. Wang, J.J. Wang, W.Y. Wang, Z. Mei, S. Shang, L. Chen, Z. Liu. J. Physics-Condensed Matter, 22, 202201 (2010). DOI: 10.1088/0953-8984/22/20/202201
  24. L.D. Landau, E.M. Lifshitz. Theory of Elasticity (3rd ed.) (Elsevier, 1986), v. 7, Ch. I, p. 2. DOI: 10.1063/1.3057037
  25. R.M. Jones. Deformation Theory of Plasticity (Bull Ridge Corporation, 2009), Section 4.5.6, p. 151. ISBN: 978-0-9787223-1-9
  26. Y. Deng, S. Tang, D. Tung. 2018 IEEE International Conference on Applied System Invention (ICASI), (Chiba, Japan, 2018), p. 1149-1151. DOI: 10.1109/ICASI.2018.8394487
  27. M. Vajdi, F. Moghanlou, F. Sharifian Jazi, M. Shahedi Asl, M. Shokouhimehr. J. Composites and Compounds, 2 (2), 35 (2020). DOI: 10.29252/jcc.2.1.5
  28. Yu.V. Milman, I.V. Gridneva, A.A. Golubenk. Sci. Sinter., 39, 67 (2007). DOI: 10.2298/SOS0701067M
  29. I. Yonenaga, K. Sumino. J. Appl. Phys., 71, 4249 (1992). DOI: 10.1063/1.350805
  30. C. Algora, I. Rey-Stolle. Handbook of Concentrator Photovoltaic Technology (Willey, United Kingdom, 2016), p. 264. DOI: 10.1002/9781118755655
  31. E.F. Fernandez, G. Siefer, M. Schachtner, A.J. Garci a Loureiro, P. Perez-Higueras. AIP Conf. Proceed., 1477, 189 (2012). DOI:10.1063/1.4753865

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme