Впервые исследовано влияние осаждения атомов Ba с толщиной theta≤3-4 монослоя и имплантации ионов Ba⁺ с энергией E₀=0.5-2 keV на плотность состояний электронов валентной зоны, параметров энергетических зон, эмиссионных и оптических свойств Ge(111). Показано, что при осаждении атомов Ba с theta=1 монослой значение термоэлектронной работы выхода φ уменьшается на ~ 1.9 eV, а значение коэффициента вторичной электронной эмиссии sigma_m и квантового выхода фотоэлектронов Y увеличивается в 1.5-2 раза. В случае имплантации ионов Ba⁺ с E₀=0.5 keV при дозе облучения D=6·10¹⁶ cm^-2 плотность состояния валентных электронов и параметры энергетических зон резко изменяются; квантовый выход фотоэлектронов увеличивается в 2 и более раз. Наблюдаемые изменения объясняются формированием на поверхности тонкого (~25-30 Angstrem) аморфного легированного слоя, состоящего из наноразмерных фаз типа Ba-Ge (~60-65 at.%) и избыточных (несвязанных) атомов Ba и Ge. При этом происходит уменьшение ширины запрещенной зоны E_g на ~ 0.3 eV. Ключевые слова: ионная имплантация, квантовый выход фотоэлектронов, эмиссионная эффективность, прогрев, ширина запрещенной зоны, аморфный слой.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.