Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние осаждения атомов Ba и имплантации ионов Ba⁺ на электронную структуру монокристаллического Ge

DOI: 10.21883/JTF.2022.04.52254.230-21

Переводная версия: 10.21883/TP.2022.04.53614.230-21

Ташмухамедова Д.А.¹, Умирзаков Б.Е.¹, Эргашов Ё.С.¹, Юсупжанова М.Б.¹, Ёркулов Р.М.¹

¹Ташкентский государственный технический университет им. И.А. Каримова, Ташкент, Узбекистан Tashkent State Technical University, Tashkent, Uzbekistan

Tashkent State Technical University, Tashkent, Uzbekistan

Email: ftmet@mail.ru

Поступила в редакцию: 5 августа 2021 г.

В окончательной редакции: 24 декабря 2021 г.

Принята к печати: 27 декабря 2021 г.

Выставление онлайн: 14 февраля 2022 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Впервые исследовано влияние осаждения атомов Ba с толщиной theta≤3-4 монослоя и имплантации ионов Ba⁺ с энергией E₀=0.5-2 keV на плотность состояний электронов валентной зоны, параметров энергетических зон, эмиссионных и оптических свойств Ge(111). Показано, что при осаждении атомов Ba с theta=1 монослой значение термоэлектронной работы выхода φ уменьшается на ~ 1.9 eV, а значение коэффициента вторичной электронной эмиссии sigma_m и квантового выхода фотоэлектронов Y увеличивается в 1.5-2 раза. В случае имплантации ионов Ba⁺ с E₀=0.5 keV при дозе облучения D=6·10¹⁶ cm^-2 плотность состояния валентных электронов и параметры энергетических зон резко изменяются; квантовый выход фотоэлектронов увеличивается в 2 и более раз. Наблюдаемые изменения объясняются формированием на поверхности тонкого (~25-30 Angstrem) аморфного легированного слоя, состоящего из наноразмерных фаз типа Ba-Ge (~60-65 at.%) и избыточных (несвязанных) атомов Ba и Ge. При этом происходит уменьшение ширины запрещенной зоны E_g на ~ 0.3 eV. Ключевые слова: ионная имплантация, квантовый выход фотоэлектронов, эмиссионная эффективность, прогрев, ширина запрещенной зоны, аморфный слой.

А.С. Дерябин, А.E. Долбак, М.Ю. Eсин, В.И. Машанов, А.И. Никифоров, О.П. Пчеляков, Л.В. Соколов, В.А. Тимофеев. Автометрия, 56 (5), 27 (2020). DOI: 10.15372/AUT20200503
О.М. Сресели, М.А. Eлистратова, Д.Н. Горячев, E.В. Берегулин, В.Н. Неведомский, Н.А. Берт, А.В. Eршов. ФТП, 54 (10), 1112 (2020). DOI: 10.21883/FTP.2020.10.49953.9468 [O.M. Sreseli, M.A. Elistratova, D.N. Goryachev, E.V. Beregulin, V.N. Nevedomskii, N.A. Bert, A.V. Ershov. Semiconductors, 54 (10), 1315 (2020). DOI: 10.1134/S1063782620100292]
А.В. Двуреченский, А.И. Якимов, А.В. Ненашев, А.Ф. Зиновьева. ФТТ, 46 (1), 60 (2004)
S. Wirths, R. Geiger, N. von den Driesch, G. Mussler, T. Stoica, S. Mantl, Z. Ikonic, M. Luysberg, S. Chiussi, J.M. Hartmann, H. Sigg, J. Faist, D. Buca, D. Grutzmacher. Nature Photon., 9 (2), 88 (2015)
G. Masini, L. Colace, G. Assanto. Mat. Sci. Eng. B, 89, 2 (2002). DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00781-4
L. Pavesi. J. Phys. Cond. Mat., 15 (26), R1169 (2003). DOI: 10.1088/0953-8984/15/26/201
З.Ф. Красильник, А.В. Новиков. УФН, 170|,(3), 338 (2000). DOI: 10.3367/UFNr.0170.200003n.0338 [Z.F. Krasil'nik, A.V. Novikov. Phys. Usp., 43, 295 (2000). DOI: 10.1070/PU2000v043n03ABEH000703]
А.А. Дружинин, И.П. Островский, Ю.Н. Ховерко, С.И. Ничкало, Р.Н. Корецкий. Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 5, 19 (2012)
И.Г. Неизвестный. Автометрия, 52 (5), 5 (2016). DOI: 10.15372/AUT20160501
Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, L.V. Sokolov. J. Cryst. Growth, 483, 265 (2018)
Sh. Saito, A.Z. Al-Attili, K. Oda, Y. Ishikawa. Semicond. Sci. Technol., 31 (4) 043002 (2016). DOI: 10.1088/0268-1242/31/4/043002
J. Liu, L.C. Kimerling, J. Michel. Semicond. Sci. Tech., 27 (9), 094006 (2012). DOI: 10.1088/0268-1242/27/9/094006
Д.В. Юрасов, Н.А. Байдакова, А.Н. Яблонский, А.В. Новиков. ФТП, 54 (7), 685 (2020). DOI: 10.21883/FTP.2020.07.49511.9379
A.S. Zhuravlev, S. Dickmann, L.V. Kulik, I.V. Kukushkin. Phys. Rev. B, 89 (16), 161301 (2014). DOI: 10.1103/PhysRevB.89.161301
Ф.Ю. Соломкин, А.С. Орехов, С.В. Новиков, Н.А. Архарова, Г.Н. Исаченко, Н.В. Зайцева, Н.В. Шаренкова, А.Ю. Самунин, В.В. Клечковская, А.Т. Бурков. ФТП, 53 (6), 770 (2019). DOI: 10.21883/FTP.2019.06.47725.34 [F.Yu. Solomkin, A.S. Orekhov, S.V. Novikov, N.A. Arkharova, G.N. Isachenko, N.V. Zaitseva, N.V. Sharenkova, A.U. Samunin, V.V. Klechkovskaya, A.T. Burkov. Semiconductors, 53, 761 (2019). DOI: 10.1134/S1063782619060253]
Л.К. Орлов, С.В. Ивин, В.М. Фомин. ЖТФ, 87 (3), 427 (2017). DOI: 10.21883/JTF.2017.03.44250.1925 [L.K. Orlov, S.V. Ivin, V.M. Fomin. Tech. Phys., 62 (3), 449 (2017).]
B.E. Umirzakov, D.A. Tashmukhamedova, E.U. Boltaev, A.A. Dzhurakhalov. Mater. Sci. Eng. B, 101, 124 (2003)
Ё.С. Эргашов, Д.А. Ташмухамедова, Б.E. Умирзаков. Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед., 4, 104 (2017). DOI: 10.7868/S0207352817040084 [Y.S. Ergashov, D.A. Tashmukhamedova, B.E. Umirzakov. J. Surf. Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 11 (2), 480 (2017). DOI: 10.1134/S1027451017020252
Р.М. Баязитов, Р.И. Баталов, E.И. Теруков, В.Х. Кудоярова. ФТТ, 43 (9), 1569 (2001)
Ё.С. Эргашов, Д.А. Ташмухамедова, Э. Раббимов. Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед., 4, 38 (2015). DOI: 10.7868/S0207352815040083 [Y.S. Ergashov, D.A. Tashmukhamedova, E. Rabbimov. J. Surf. Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 9 (2), 350 (2015). DOI: 10.1134/S1027451015020287]
Б.E. Умирзаков, Д.А. Ташмухамедова, А.К. Ташатов, Н.М. Мустафоева. ЖТФ, 89 (5), 759 (2019). DOI: 10.21883/JTF.2019.05.47481.192-18 [B.E. Umirzakov, D.A. Tashmukhamedova, A.K. Tashatov, N.M. Mustafoeva. Tech. Phys., 64 (5), 708 (2019). DOI: 10.1134/S1063784219050244]
B. Schuller, R. Carius, S. Mantl. J. Appl. Phys., 94, 207 (2003). DOI: 10.1063/1.1576902
Б.E. Умирзаков, Д.А. Ташмухамедова, Д.М. Мурадкабилов, Х.Х. Болтаев. ЖТФ, 83 (6), 66 (2013). [B.E. Umirzakov, D.A. Tashmukhamedova, D.M. Muradkabilov, K.K. Boltaev. Tech. Phys., 58 (6), 841 (2013).]
R. Geiger, T. Zabel, H. Sigg. Front. Mater., 2, 52 (2015). https://doi.org/10.3389/fmats.2015.00052
Р.И. Баталов, Р.М. Баязитов, Г.А. Новиков, В.А. Шустов, Н.М. Лядов, А.В. Новиков, П.А. Бушуйкин, Н.А. Байдакова, М.Н. Дроздов, П.А. Юнин. Автометрия, 55 (5), 5 (2019). DOI: 10.15372/AUT20190501
R. Pillarisetty. Nature, 479, 324 (2011). https://doi.org/10.1038/nature10678
E. Bruno, G.G. Scapelatto, G. Bisognin. E. Carria, L. Romano, A. Carnera, F. Priolo. J. Appl. Phys, 108, 124902 (2010). https://doi.org/10.1063/1.3520671

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель