Ионно-лучевая модификация локальных люминесцентных свойств гексагонального нитрида бора
Петров Ю.В.
1, Гогина О.А.
1, Вывенко О.Ф.
1, Kovalchuk S.
2, Bolotin K.
2, Watanabe K.
3, Taniguchi T.
31Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2Free University of Berlin, Berlin, Germany
3National Institute for Materials Science, 30 Tsukuba, Ibaraki, Japan
Email: y.petrov@spbu.ru
Поступила в редакцию: 30 марта 2022 г.
В окончательной редакции: 30 марта 2022 г.
Принята к печати: 30 марта 2022 г.
Выставление онлайн: 12 июня 2022 г.
Гексагональный нитрид бора является перспективным материалом для современной оптоэлектроники, дефекты в котором могут служить однофотонными источниками света. Исследована модификация люминесцентных свойств нитрида бора посредством локального воздействия сфокусированным пучком ионов галлия и гелия. Показано, что интенсивность катодолюминесценции в области зона-зонного излучения монотонно уменьшается с увеличением дозы воздействия обоих типов ионов, а полоса люминесценции около 2 eV может разгораться после воздействия ионов гелия с определенными дозами. Эффект полного погасания люминесценции в результате приповерхностного воздействия ионами галлия использован для оценки величины длины диффузии неравновесных носителей заряда. Ключевые слова: точечные дефекты, катодолюминесценция, гелиевый ионный микроскоп, неравновесные носители заряда.
- I. Aharonovich, D. Englund, M. Toth. Nature Photonics, 10, 631 (2016). DOI: 10.1038/NPHOTON.2016.186
- N. Mizuochi, T. Makino, H. Kato, D. Takeuchi, M. Ogura, H. Okushi, M. Nothaft, P. Neumann, A. Gali, F. Jelezko, J. Wrachtrup, S. Yamasaki. Nature Photonics, 6, (2012). DOI: 10.1038/NPHOTON.2012.75
- A. Lohrmann, N. Iwamoto, Z. Bodrog, S. Castelletto, T. Ohshima, T.J. Karle, A. Gali, S. Prawer, J.C. McCallum, B.C. Johnson. Nature Comm., 6, 7783 (2015). DOI: 10.1038/ncomms8783
- S. Castelletto, B.C. Johnson, V. Ivady, N. Stavrias, T. Umeda, A. Gali, T. Ohshima. Nature Mater., 13, 151 (2014). DOI: 10.1038/NMAT3806
- R. Bourrellier, S. Meuret, A. Tararan, O. Stephan, M. Kociak, L.H.G. Tizei, A. Zobelli. Nano Lett., 16, 4317 (2016). DOI: 10.1021/acs.nanolett.6b01368
- G. Cassabois, P. Valvin, B. Gil. Nature Photonics, 10, 262 (2016). DOI: 10.1038/nphoton.2015.277
- S. Choi, T.T. Tran, C. Elbadawi, C. Lobo, X. Wang, S. Juodkazis, G. Seniutinas, M. Toth, I. Aharonovich. ACS Appl. Mater. Interfaces, 8, 29642 (2016). DOI: 10.1021/acsami.6b09875
- Yu.V. Petrov, O.F. Vyvenko, O.A. Gogina, K. Bolotin, S. Kovalchuk, K. Watanabe, T. Taniguchi. J. Phys.: Conf. Series, 2103 (1), 012065 (2021). DOI: 10.1088/1742-6596/2103/1/012065
- J.D. Caldwell, I. Aharonovich, G. Cassabois, J.H. Edgar, B. Gil, D.N. Basov. Nature Rev., 4, 552. DOI: 10.1038/s41578-019-0124-1
- K. Watanabe, T. Taniguchi, H. Kanda. Nature Mater., 3, 404 (2004). DOI: 10.1038/nmat1134
- T. Korona, M. Chojecki. Int. J. Quantum Chem., 119 (14), e25925 (2019). DOI: 10.1002/qua.25925
- L. Weston, D. Wickramaratne, M. Mackoit, A. Alkauskas, C.G. Van de Walle. Phys. Rev. B, 97 (21), 214104 (2018). DOI: 10.1103/PhysRevB.97.214104
- T.B. Ngwenya, A.M. Ukpong, N. Chetty. Phys. Rev. B, 84, 245425 (2011). DOI: 10.1103/PhysRevB.84.245425
- J.F. Ziegler, M.D. Ziegler, J.P. Biersack. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B, 268, 1818 (2010). DOI: 10.1016/j.nimb.2010.02.091
- D. Drouin, A.R. Couture, D. Joly, X. Tastet, V. Aimez, R. Gauvin. J. Scanning Microscop., 29 (3), 92 (2007). DOI: 10.1002/sca.20000
- D.M. Hoffman, G.L. Doll, P.C. Eklund. Phys. Rev. B, 30 (10), 6051 (1984). DOI: 10.1103/PhysRevB.30.6051
- M.R. Uddin, S. Majety, J. Li, J.Y. Lin, H.X. Jiang. J. Appl. Phys., 115, 093509 (2014). DOI: 10.1063/1.4867641
- В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (Наука, М., 1977)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.