Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2022, выпуск 8 » Статья стр. 1219
<<<>>>
Изучение влияния энергии ионов аргона на шероховатость поверхности основных срезов монокристаллического кремния
DOI: 10.21883/JTF.2022.08.52787.70-22
Переводная версия: 10.21883/TP.2022.08.54569.70-22
Михайленко М.С.1, Пестов А.Е.1, Чернышев А.К.1, Зорина М.В.1, Чхало Н.И.1, Салащенко Н.Н.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: mikhaylenko@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 6 апреля 2022 г.
В окончательной редакции: 6 апреля 2022 г.
Принята к печати: 6 апреля 2022 г.
Выставление онлайн: 12 июня 2022 г.
PDF версия
Приведены результаты изучения энергетических зависимостей коэффициента распыления и значения эффективной шероховатости поверхности монокристаллического кремния при облучении ионами аргона с энергией 200-1000 eV. В результате работы были определены параметры ионно-пучкового травления ускоренными ионами Ar, обеспечивающие высокий коэффициент распыления (скорость травления) и значение эффективной шероховатости в диапазоне пространственных частот 4.9·10-2-6.3·101 μm-1 менее 0.3 nm для основных срезов монокристаллического кремния <100>, <110> и <111>. Ключевые слова: ионное травление, монокристаллический кремний, шероховатость поверхности, малоразмерный ионный пучок, коэффициент распыления.
  1. L. Samoylova, H. Sinn, F. Siewert, H. Mimura, K. Yamauchi, T. Tschentscher. Proc. SPIE, 7360, 73600E (2009). DOI: 10.1117/12.822251
  2. R.A. Paquin, M.R. Howells. Proc. SPIE, 3152 (1997). DOI: 10.1117/12.295549
  3. H. Xiao, Y. Dai, J. Duan, Y. Tian, J. Li. Appl. Surf. Sci., 544, 148954 (2021). DOI: 10.1016/j.apsusc.2021.148954
  4. T. Arnold, G. Bohm, R. Fechner, J. Meister, A. Nickel, F. Frost, T. Hansel, A. Schindler. Nucl. Instrum. Meth. Phys. B, 616 (2-3), 147-156 (2010). DOI: 10.1016/j.nima.2009.11.013
  5. M. Ghigo, S. Basso, M. Civitani, R. Gilli, G. Pareschi, B. Salmaso, G. Vecchi, W.W. Zhang. Proc. SPIE, 10706, 107063I (2018). DOI: 10.1117/12.2313939
  6. N.I. Chkhalo, I.A. Kaskov, I.V. Malyshev, M.S. Mikhaylenko, A.E. Pestov, V.N. Polkovnikov, N.N. Salashchenko, M.N. Toropov, I.G. Zabrodin. Precis Eng., 48, 338--346 (2017). DOI: 10.1016/j.precisioneng.2017.01.004
  7. X. Li, D. Wang, F. Nie, P. Wu, S. Zhao. Proc. SPIE, 12073, 120730L (2021). DOI: 10.1117/12.2605262
  8. E. Vassallo, M. Pedroni, S.M. Pietralunga, R. Caniello, A. Cremona, F. Di Fonzo, F. Ghezzi, F. Inzoli, G. Monteleone, G. Nava, V. Spampinato, A. Tagliaferri, M. Zani, G. Angella. Thin Solid Films, 603, 173-179 (2016). DOI: 10.1016/j.tsf.2016.02.008
  9. Z. Fang, Y. Zhang, R. Li, Y. Liang, H. Deng. Int. J. Mach. Tools Manuf., 159, 103649 (2020). DOI: 10.1016/j.ijmachtools.2020.103649
  10. W. Liao, Y. Dai, X. Xie, L. Zhou. Appl. Opt., 53 (19), 4266 (2014). DOI: 10.1364/AO.53.004266
  11. W. Liao, Y. Dai, X. Xie, L. Zhou. Appl. Opt., 53 (19), 4275 (2014). DOI: AO.53.004275
  12. Telecom STV. Silicon Wavers. [Электронный ресурс] Режим доступа: http://www.telstv.ru/?page=en_silicon_wafers, свободный
  13. N.I. Chkhalo, N.N. Salashchenko, M.V. Zorina. Rev. Sci. Instrum., 86, 016102 (2015). DOI: 10.1063/1.4905336
  14. M.S. Mikhailenko, N.I. Chkhalo, A.V. Mil'kov, A.E. Pestov, V.N. Polkovnikov, N.N. Salashchenko, I.L. Strulya, M.V. Zorina, S.Yu. Zuev. Surf. Coat. Technol., 311, 351-356 (2017). DOI: 10.1016/j.surfcoat.2017.01.023

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme