Формирование пленки композитов (Co40Fe40B20)x(LiNbO3)100-x на металлической подложке
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 19-29-03022 мк
Ситников А.В.
1,2, Бабкина И.В.
1, Калинин Ю.Е.
1, Никонов А.Е.
1, Копытин М.Н.
1, Шакуров А.Р.
1, Ремизова О.И.
1, Янченко Л.И.
11Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия
2Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
Email: michaelkopitin@mail.ru
Поступила в редакцию: 11 апреля 2022 г.
В окончательной редакции: 11 мая 2022 г.
Принята к печати: 12 мая 2022 г.
Выставление онлайн: 7 июля 2022 г.
Исследованы топологические особенности формирования пленок композита (Co40Fe40B20)15(LiNbO3)85, нанесенных ионно-лучевым методом на металлический электрод Cr/Cu/Cr. Установлено наличие диэлектрической прослойки между верхним слоем Cr и пленкой CoFe-LiNbO3 толщиной dox~ 15 nm. Показано различие в размере гранул вблизи аморфного слоя и в объеме пленки. Предложена модель формирования пленки нанокомпозитов (Co40Fe40B20)x(LiNbO3)100-x на начальном этапе роста. Показано, что формирование прослойки α-LiNbO3 на поверхности хромовой металлической пленки возможно при реализации островкового и послойного механизмов роста для различных фаз композита. Ключевые слова: нанокомпозит, механизмы роста, самоорганизация, структура.
- А.Н. Мацукатова, А.В. Емельянов, А.А. Миннеханов, Д.А. Сахарутов, А.Ю. Вдовиченко, Р.А. Камышинский, В.А. Демин, В.В. Рыльков, П.А. Форш, С.Н. Чвалун, П.К. Кашкаров. Письма в ЖТФ, 46 (2), 25 (2020). DOI: 10.21883/PJTF.2020.02.48948.18064 [A.N. Matsukatova, P.K. Kashkarov, A.V. Emelyanov, A.A. Minnekhanov, D.A. Sakharutov, A.Y. Vdovichenko, R.A. Kamyshinskii, V.A. Demin, V.V. Rylkov, P.A. Forsh, S.N. Chvalun. Tech. Phys. Lett., 46 (1), 73 (2020). DOI: 10.1134/S1063785020010277]
- А.В. Архипов, Г.В. Ненашев, А.Н. Алешин. ФТТ, 63 (4), 559 (2021). DOI: 10.21883/FTT.2021.04.50725.263
- W. Li, X. Liu, Y. Wang, Z. Dai, W. Wu, L. Cheng, Y. Zhang, Q. Liu, X. Xiao, C. Jiang. Appl. Phys. Lett., 108, 153501 (2016). DOI: 10.1063/1.4945982
- M.N. Martyshov, A.V. Emelyanov, V.A. Demin, K.E. Nikiruy, A.A. Minnekhanov, S.N. Nikolaev, A.N. Taldenkov, A.V. Ovcharov, M.Yu. Presnyakov, A.V. Sitnikov, A.L. Vasiliev, P.A. Forsh, A.B. Granovsky, P.K. Kashkarov, M.V. Kovalchuk, V.V. Rylkov. Phys. Rev. Appl., 14, 034016 (2020). DOI: 10.1103/physrevapplied.14.034016
- В.В. Рыльков, А.В. Емельянов, С.Н. Николаев, К.Э. Никируй, А.В. Ситников, Е.А. Фадеев, В.А. Демин, А.Б. Грановский. ЖЭТФ, 158 (1), 164 (2020). DOI: 10.31857/S0044451020070159 [V.V. Rylkov, A.V. Emelyanov, S.N. Nikolaev, K.E. Nikiruy, A.V. Sitnikov, E.A. Fadeev, V.A. Demin, A.B. Granovsky. JETP, 131 (1), 160 (2020) DOI: 10.1134/S1063776120070109]
- V.V. Rylkov, A.V. Sitnikov, S.N. Nikolaev, V.A. Demin, A.N. Taldenkov, M.Yu. Presnyakov, A.V. Emelyanov, A.L. Vasiliev, Yu.E. Kalinin, A.S. Bugaev, V.V. Tugushev, A.B. Granovsky. J. Magn. Magn. Mater., 459, 197 (2018). DOI: 10.1016/j.jmmm.2017.11.022
- D. Ielmini. Semicond. Sci. Technol., 31, 063002 (2016). DOI: 10.1088/0268-1242/31/6/063002
- W. Banerjee, Q. Liu, H. Hwang. J. Appl. Phys., 127, 051101 (2020). DOI: 10.1063/1.5136264
- M. Zhuk, S. Zarubin, I. Karateev, Yu. Matveyev, E. Gornev, G. Krasnikov, D. Negrov, A. Zenkevich. Front. Neurosci., 14, 94 (2020). DOI: 10.3389/fnins.2020.00094
- A. Mikhaylov, A. Belov, D. Korolev, I. Antonov, V. Kotomina, A. Kotina, E. Gryaznov, A. Sharapov, M. Koryazhkina, R. Kryukov, S. Zubkov, A. Sushkov, D. Pavlov, S. Tikhov, O. Morozov, D. Tetelbaum. Adv. Mater. Technol., 5 (1), 1900607 (2020). DOI: 10.1002/admt.201900607
- J. Valle, J.G. Rami rez, M.J. Rozenberg, I.K. Schuller. J. Appl. Phys., 124 (21), 211101 (2018). DOI: 10.1063/1.5047800
- Y. Li, Zh. Wang, R. Midya, Q. Xia, J.J. Yang. J. Phys. D: Appl. Phys., 51 (50), 503002 (2018). DOI: 10.1088/1361-6463/aade3f
- D.-H. Kwon, K.M. Kim, J.H. Jang, J.M. Jeon, M.H. Lee, G.H. Kim, X.-Sh. Li, G.-S. Park, B. Lee, S. Han, M. Kim, Ch.S. Hwang. Nat. Nanotechnol., 5, 148 (2010). DOI: 10.1038/nnano.2009.456
- J.-Y. Chen, Ch.-W. Huang, Ch.-H. Chiu, Yu-T. Huang, W.-W. Wu. Adv. Mater., 27 (34), 5028 (2015). DOI: 10.1002/adma.201502758
- H. Jiang, L. Han, P. Lin, Zh. Wang, M.H. Jang, Q. Wu, M. Barnell, J.J. Yang, H.L. Xin, Q. Xia. Sci. Rep. 6, 28525 (2016). DOI: 10.1038/srep28525
- С.А. Гриднев, Ю.Е. Калинин, А.В. Ситников, О.В. Стогней. Нелинейные явления в нано- и микрогетерогенных системах (БИНОМ, Лаборатория знаний, М., 2012)
- V.V. Rylkov, V.A. Demin, A.V. Emelyanov, A.V. Sitnikov, Yu.E. Kalinin, V.V. Tugushev, A.B. Granovsky. Novel Magnetic Nanostructures: Unique Properties and Applications, ed. by N. Domracheva, M. Caporali, E. Rentschler (Elsevier, 2018), p. 427
- В.М. Иевлев. Тонкие пленки неорганических материалов: механизм роста и структура (Издат.-полиграф. центр Воронеж. гос. ун-та, Воронеж, 2008)
- M. Volmer, A. Weber. Z. Phys. Chem., 119 (3/4), 277 (1926). DOI: 10.1515/zpch-1926- 11927
- F.C. Frank, J.H. Van der Merve. Proc. Roy. Soc. A, 198, 205 (1949). DOI: 10.1098/rspa.1949.0095
- F.C. Frank, J.H. Van der Merve. Proc. Roy. Soc. A, 200, 125 (1949). DOI: 10.1098/rspa.1949.0163
- В.М. Юров, В.Ч. Лауринас, С.А. Гученко, О.Н. Завацкая. Современные наукоемкие технологии, 3, 36 (2012)
- С.Ю. Лазарев. Металлообработка, 2 (14), 38 (2003)
- B. Baker, N. Herbots, Sh.D. Whaley, M. Sahal, J. Kintz, A. Yano, S. Narayan, A.L. Brimhall, W.-L. Lee, Y. Akabane, R.J. Culbertson. J. Vac. Sci. Technol. A, 37, 041101 (2019). DOI: 10.1116/1.5095157
- Y. Hirsh, S. Gorfman, D. Sherman. Acta Mater., 193, 338 (2020). DOI: j.actamat.2020.03.046
- В.М. Самсонов, А.А. Чернышова, Н.Ю. Сдобняков. Изв. РАН. Сер. физ., 80 (6), 768 (2016). DOI: 10.7868/S0367676516060296
- R. Kern, G.L. Lay, J.J. Metois. Curr. Top. Mater. Sci., 3, 131 (1979)
- V.P. Rubetz, S.A. Kukushkin. Thin Solid Films, 221, 267 (1992). DOI: 10.1016/0040-6090(92)90825-v
- R. Kern, A. Masson, J.J. Metois, Surf. Sci., 27, 483 (1971). DOI: 10.1016/0039-6028(71)90183-X
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.