Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2022, выпуск 11 » Статья стр. 1705
<<<>>>
Кристаллизация и формирование карбида кремния в двухслойных аморфных пленках кремний-углерод при электронном облучении
DOI: 10.21883/JTF.2022.11.53444.180-22
Переводная версия: 10.21883/TP.2022.11.55178.180-22
Приоритет 2030, программа «Приоритет 2030» , 000
Сидоров А.И.1, Лекс Е.Я.2, Подсвиров О.А.2, Виноградов А.Ю.3
1Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: sidorov@oi.ifmo.ru, lexelenaya@gmail.com, olegpodsvir@mail.ru, vingrdov@gmail.com
Поступила в редакцию: 6 июля 2022 г.
В окончательной редакции: 2 августа 2022 г.
Принята к печати: 9 августа 2022 г.
Выставление онлайн: 3 сентября 2022 г.
PDF версия
Показано, что облучение сфокусированным электронным лучом с энергией электронов 10 keV двухслойных аморфных пленок кремний-углерод толщиной 60 nm приводит к частичной кристаллизации пленок. Кроме того, в облученной зоне формируется слой кристаллического карбида кремния, обладающий люминесцентными свойствами. Наблюдаемые явления подтверждены методами спектроскопии комбинационного рассеяния и спектрами люминесценции. Ключевые слова: кремний, углерод, карбид кремния, пленка, структура, электронный луч, рамановская спектроскопия.
  1. C. Casiraghi, J. Robertson, A.C. Ferrari. Mater. Today, 10, 44 (2007)
  2. R. Hauert. Tribol. Int., 37, 991 (2004)
  3. J.P. Sullivan, T.A. Friedmann, K. Hjort. MRS Bull., 26, 309 (2001)
  4. A.C. Ferrari. Surf. Coat. Technol., 180-181, 190 (2004)
  5. A.C. Ferrari, J. Robertson. Phys. Rev. B, 61, 14095 (2000)
  6. A.C. Ferrari, J. Robertson. Phys. Rev. B, 64, 075414 (2001)
  7. C. Casiraghi, A.C. Ferrari, J. Robertson. Phys. Rev. B, 72, 085401 (2005)
  8. A.C. Ferrari, S.E. Rodil, J. Robertson. Phys. Rev. B, 67, 155306 (2003)
  9. B. Racine, A.C. Ferrari, N.A. Morrison, I. Hutchings, W.I. Milne, J. Robertson. J. Appl. Phys., 90, 5002 (2001)
  10. A.C. Ferrari, J. Robertson. Philos. Trans. R. Soc. Ser. A, 362, 2267 (2004)
  11. P.B. Griffin, J.D. Plummer, M.D. Deal. Silicon VLSI Technology: Fundamentals, Practice, and Modeling (Prentice Hall, NY., 2000)
  12. H.S. Nalwa (ed.). Silicon Based Materials and Devices (Academic Press, NY., 2001)
  13. O. Kordina, L.O. Bjorketun, A. Herry, C. Hallin, R.C. Glass, L. Hultman, J.E. Sundgren, E. Janzen. J. Cryst. Growth, 154, 303 (1995)
  14. M.J. Pelletier. Analytical Applications of Raman Spectroscopy (Blackwell Science, UK, 1999)
  15. T.S. Perova, J. Wasyluk, S. A. Kukushkin, A.V. Osipov, N.A. Feoktistov, S.A. Grudinkin. Nanoscale Res. Lett., 5, 1507 (2010). DOI: 10.1007/s11671-010-9670-6
  16. Y. Cheng, X. Huang, Z. Du, J. Xiao. Opt. Mater., 73, 723 (2017)
  17. W. Yizhe, T. Zha-ma, Y. Zhenming, S. Hui, G. Jianhong, J. Gao. Chin. J. Phys., 64, 79 (2020). https://doi.org/10.1016/j.cjph.2020.01.006
  18. M. Qi, J. Xiao, Y. Cheng, Z. Wang, A. Jiang, Y. Guo, Z. Tao. AIP Adv., 7, 085012 (2017)
  19. И.В. Миргородский, Л.А. Головань, В.Ю. Тимошенко, А.В. Семенов, В.М. Пузиков. ФТП, 48 (6), 731 (2014). [I.V. Mirgorodskiy, L.A. Golovan, V.Yu. Timoshenko, A.V. Semenov, V.M. Puzikov. Semiconductors, 48 (6), 711 (2014). https://doi.org/10.1134/S1063782614060207]
  20. M. Touzin, D. Goeriot, C. Guerret-Piecort, D. Juve, D. Treheux, H.-J. Fitting. J. Appl. Phys., 99, 114110 (2006)
  21. А.И. Игнатьев, А.В. Нащекин, В.М. Неведомский, О.А. Подсвиров, А.И. Сидоров, А.П. Соловьев, О.А. Усов. ЖТФ, 81 (5), 75 (2011). [A.I. Ignatiev, A.V. Naschekin, D.M. Nevedomsky, O.A. Podsvirov, A.I. Sidorov, A.P. Soloviev, O.A. Usov. Techn. Phys., 56 (5), 662 (2011). https://doi.org/10.1134/S1063784211050148]
  22. N. Jiang, J. Qiu, J.C.H. Spence. Appl. Phys. Lett., 86, 143112 (2005)
  23. О.А. Подсвиров, А.И. Сидоров, Д.В. Чураев. ЖТФ, 84 (11), 96 (2014). [O.A. Podsvirov, A.I. Sidorov, D.V. Churaev. Tech. Phys., 59 (11), 1674 (2014). https://doi.org/10.1134/S1063784214110218]
  24. А.В. Востоков, И.А. Верзин, А.И. Игнатьев, О.А. Подсвиров, А.И. Сидоров. Опт. и спектр., 109 (3), 407 (2010). [A.V. Vostokov, I.A. Verzin, A.I. Ignat'ev, O.A. Podsvirov, A.I. Sidorov. Opt. Spectr., 109 (3), 366 (2010).]
  25. E.S. Bochkareva, N.V. Nikonorov, O.A. Podsvirov, M.A. Prosnikov, A.I. Sidorov, Plasmonics, 11, 241 (2016)
  26. E.S. Bochkareva, A.I. Sidorov, U.V. Yurina, O.A. Podsvirov. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B, 403, 1 (2017)
  27. E.A. Ilina, A.I. Sidorov, U.V. Yurina, O.A. Podsvirov. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B, 412, 28 (2017)
  28. A.G. Bagmut, V.M. Beresnev. Phys. Sol. State., 59, 151 (2017)
  29. S.R. Nitul, S.-G. Kim, J.B. Chou, J. Abed, J. Viegas, M. Jouiad. MRS Adv., 1, 825 (2015)
  30. T. Bret, T. Hofmann, K. Edinger. Appl. Phys. A, 117, 1607 (2014)
  31. A. Botman, J.J.L. Mulders, C.W. Hagen. Nanotechnol., 20, 372001 (2009)
  32. S.M. Zharkov, L.I. Kveglis, Phys. Sol. Stat., 46, 969 (2004)
  33. J. Shim, J.A. Rivera, R. Bashir. Nanoscale, 5, 10887 (2013)
  34. N. Jianga B. Wu, J. Qiu, J.C.H. Spence. Appl. Phys. Lett., 90, 161909 (2007)
  35. A.I. Sidorov, N.S. Zaitsev, O.A. Podsvirov. Phys. B: Cond. Mat., 598, 412439 (2020)
  36. A. Sadezky, H. Muchkenhuber, H. Grothe, R. Niessner, U. Poschl. Carbon, 43, 1731 (2005)
  37. S. Karekin, D. Esmeryan, E.C. Castano, H.A. Bressler, M. Abolghasemibizaki, P.C. Fergusson, A. Roberts, R. Mohammadi. Diamond Related Mater, 75, 58 (2017)
  38. S. Piscanec, A.C. Ferrari, M. Cantoro, S. Hofmann, J.A. Zapien, Y. Lifshitz, S.T. Lee, J. Robertson. Mater. Sci. Eng. C, 23, 931 (2003)
  39. I.G. Aksyanov, I.V. Kul'kova, S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, N.A. Feoktistov, M.E. Kompana. Phys. Sol. State, 51, 2469 (2009)
  40. G. Pacchioni, L. Skuja, D.L. Griscom (ed.). Defects in SiO2 and Related Dielectrics: Science and Technology (Springer Dordrecht, 2000), v. 2
  41. A. Quaranta, A. Rahman, G. Mariotto, C. Maurizio, E. Trave, F. Gonella, E. Cattaruzza, E. Gibaudo, J.E. Broquin. J. Phys. Chem. C, 116, 3757 (2012)
  42. A. Osipov, L. Osipova, R. Zainullina. Int. J. Spectrosc. 2015, 572840 (2015)
  43. J. Wasyluk, T.S. Perova, S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, N.A. Feoktistov, S.A. Grudinkin, Mater. Sci. Forum, 359-362, 645 (2010)
  44. Р.В. Конакова, А.Ф. Коломыс, О.Б. Охрименко, В.В. Стрельчук, Е.Ю. Волков, М.Н. Григорьев, А.М. Светличный, О.Б. Спиридонов. ФТП, 47 (6), 802 (2013). [R.V. Konakova, O.F. Kolomys, O. Okhrimenko, V.V. Strelchuk, E.Yu. Volkov, M.N. Grigoriev,  A.M. Svetlichnyi, O.B. Spiridonov.  Semiconductors, 47 (6), 812 (2013).]
  45. S. Nakashima, H. Harima. Phys. Stat. Sol. A, 162, 39 (1997)
  46. H. Semat, J.R. Albright. Introduction to Atomic and Nuclear Physics (Chapman and Hall, London, 1972)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme