Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3 4
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Кристаллизация и формирование карбида кремния в двухслойных аморфных пленках кремний-углерод при электронном облучении

DOI: 10.21883/JTF.2022.11.53444.180-22

Переводная версия: 10.21883/TP.2022.11.55178.180-22

Приоритет 2030, программа «Приоритет 2030» , 000

Сидоров А.И.¹, Лекс Е.Я.², Подсвиров О.А.², Виноградов А.Ю.³

¹Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия ITMO University, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

³Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: sidorov@oi.ifmo.ru, lexelenaya@gmail.com, olegpodsvir@mail.ru, vingrdov@gmail.com

Поступила в редакцию: 6 июля 2022 г.

В окончательной редакции: 2 августа 2022 г.

Принята к печати: 9 августа 2022 г.

Выставление онлайн: 3 сентября 2022 г.

PDF версия

Показано, что облучение сфокусированным электронным лучом с энергией электронов 10 keV двухслойных аморфных пленок кремний-углерод толщиной 60 nm приводит к частичной кристаллизации пленок. Кроме того, в облученной зоне формируется слой кристаллического карбида кремния, обладающий люминесцентными свойствами. Наблюдаемые явления подтверждены методами спектроскопии комбинационного рассеяния и спектрами люминесценции. Ключевые слова: кремний, углерод, карбид кремния, пленка, структура, электронный луч, рамановская спектроскопия.

C. Casiraghi, J. Robertson, A.C. Ferrari. Mater. Today, 10, 44 (2007)
R. Hauert. Tribol. Int., 37, 991 (2004)
J.P. Sullivan, T.A. Friedmann, K. Hjort. MRS Bull., 26, 309 (2001)
A.C. Ferrari. Surf. Coat. Technol., 180-181, 190 (2004)
A.C. Ferrari, J. Robertson. Phys. Rev. B, 61, 14095 (2000)
A.C. Ferrari, J. Robertson. Phys. Rev. B, 64, 075414 (2001)
C. Casiraghi, A.C. Ferrari, J. Robertson. Phys. Rev. B, 72, 085401 (2005)
A.C. Ferrari, S.E. Rodil, J. Robertson. Phys. Rev. B, 67, 155306 (2003)
B. Racine, A.C. Ferrari, N.A. Morrison, I. Hutchings, W.I. Milne, J. Robertson. J. Appl. Phys., 90, 5002 (2001)
A.C. Ferrari, J. Robertson. Philos. Trans. R. Soc. Ser. A, 362, 2267 (2004)
P.B. Griffin, J.D. Plummer, M.D. Deal. Silicon VLSI Technology: Fundamentals, Practice, and Modeling (Prentice Hall, NY., 2000)
H.S. Nalwa (ed.). Silicon Based Materials and Devices (Academic Press, NY., 2001)
O. Kordina, L.O. Bjorketun, A. Herry, C. Hallin, R.C. Glass, L. Hultman, J.E. Sundgren, E. Janzen. J. Cryst. Growth, 154, 303 (1995)
M.J. Pelletier. Analytical Applications of Raman Spectroscopy (Blackwell Science, UK, 1999)
T.S. Perova, J. Wasyluk, S. A. Kukushkin, A.V. Osipov, N.A. Feoktistov, S.A. Grudinkin. Nanoscale Res. Lett., 5, 1507 (2010). DOI: 10.1007/s11671-010-9670-6
Y. Cheng, X. Huang, Z. Du, J. Xiao. Opt. Mater., 73, 723 (2017)
W. Yizhe, T. Zha-ma, Y. Zhenming, S. Hui, G. Jianhong, J. Gao. Chin. J. Phys., 64, 79 (2020). https://doi.org/10.1016/j.cjph.2020.01.006
M. Qi, J. Xiao, Y. Cheng, Z. Wang, A. Jiang, Y. Guo, Z. Tao. AIP Adv., 7, 085012 (2017)
И.В. Миргородский, Л.А. Головань, В.Ю. Тимошенко, А.В. Семенов, В.М. Пузиков. ФТП, 48 (6), 731 (2014). [I.V. Mirgorodskiy, L.A. Golovan, V.Yu. Timoshenko, A.V. Semenov, V.M. Puzikov. Semiconductors, 48 (6), 711 (2014). https://doi.org/10.1134/S1063782614060207]
M. Touzin, D. Goeriot, C. Guerret-Piecort, D. Juve, D. Treheux, H.-J. Fitting. J. Appl. Phys., 99, 114110 (2006)
А.И. Игнатьев, А.В. Нащекин, В.М. Неведомский, О.А. Подсвиров, А.И. Сидоров, А.П. Соловьев, О.А. Усов. ЖТФ, 81 (5), 75 (2011). [A.I. Ignatiev, A.V. Naschekin, D.M. Nevedomsky, O.A. Podsvirov, A.I. Sidorov, A.P. Soloviev, O.A. Usov. Techn. Phys., 56 (5), 662 (2011). https://doi.org/10.1134/S1063784211050148]
N. Jiang, J. Qiu, J.C.H. Spence. Appl. Phys. Lett., 86, 143112 (2005)
О.А. Подсвиров, А.И. Сидоров, Д.В. Чураев. ЖТФ, 84 (11), 96 (2014). [O.A. Podsvirov, A.I. Sidorov, D.V. Churaev. Tech. Phys., 59 (11), 1674 (2014). https://doi.org/10.1134/S1063784214110218]
А.В. Востоков, И.А. Верзин, А.И. Игнатьев, О.А. Подсвиров, А.И. Сидоров. Опт. и спектр., 109 (3), 407 (2010). [A.V. Vostokov, I.A. Verzin, A.I. Ignat'ev, O.A. Podsvirov, A.I. Sidorov. Opt. Spectr., 109 (3), 366 (2010).]
E.S. Bochkareva, N.V. Nikonorov, O.A. Podsvirov, M.A. Prosnikov, A.I. Sidorov, Plasmonics, 11, 241 (2016)
E.S. Bochkareva, A.I. Sidorov, U.V. Yurina, O.A. Podsvirov. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B, 403, 1 (2017)
E.A. Ilina, A.I. Sidorov, U.V. Yurina, O.A. Podsvirov. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B, 412, 28 (2017)
A.G. Bagmut, V.M. Beresnev. Phys. Sol. State., 59, 151 (2017)
S.R. Nitul, S.-G. Kim, J.B. Chou, J. Abed, J. Viegas, M. Jouiad. MRS Adv., 1, 825 (2015)
T. Bret, T. Hofmann, K. Edinger. Appl. Phys. A, 117, 1607 (2014)
A. Botman, J.J.L. Mulders, C.W. Hagen. Nanotechnol., 20, 372001 (2009)
S.M. Zharkov, L.I. Kveglis, Phys. Sol. Stat., 46, 969 (2004)
J. Shim, J.A. Rivera, R. Bashir. Nanoscale, 5, 10887 (2013)
N. Jianga B. Wu, J. Qiu, J.C.H. Spence. Appl. Phys. Lett., 90, 161909 (2007)
A.I. Sidorov, N.S. Zaitsev, O.A. Podsvirov. Phys. B: Cond. Mat., 598, 412439 (2020)
A. Sadezky, H. Muchkenhuber, H. Grothe, R. Niessner, U. Poschl. Carbon, 43, 1731 (2005)
S. Karekin, D. Esmeryan, E.C. Castano, H.A. Bressler, M. Abolghasemibizaki, P.C. Fergusson, A. Roberts, R. Mohammadi. Diamond Related Mater, 75, 58 (2017)
S. Piscanec, A.C. Ferrari, M. Cantoro, S. Hofmann, J.A. Zapien, Y. Lifshitz, S.T. Lee, J. Robertson. Mater. Sci. Eng. C, 23, 931 (2003)
I.G. Aksyanov, I.V. Kul'kova, S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, N.A. Feoktistov, M.E. Kompana. Phys. Sol. State, 51, 2469 (2009)
G. Pacchioni, L. Skuja, D.L. Griscom (ed.). Defects in SiO₂ and Related Dielectrics: Science and Technology (Springer Dordrecht, 2000), v. 2
A. Quaranta, A. Rahman, G. Mariotto, C. Maurizio, E. Trave, F. Gonella, E. Cattaruzza, E. Gibaudo, J.E. Broquin. J. Phys. Chem. C, 116, 3757 (2012)
A. Osipov, L. Osipova, R. Zainullina. Int. J. Spectrosc. 2015, 572840 (2015)
J. Wasyluk, T.S. Perova, S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, N.A. Feoktistov, S.A. Grudinkin, Mater. Sci. Forum, 359-362, 645 (2010)
Р.В. Конакова, А.Ф. Коломыс, О.Б. Охрименко, В.В. Стрельчук, Е.Ю. Волков, М.Н. Григорьев, А.М. Светличный, О.Б. Спиридонов. ФТП, 47 (6), 802 (2013). [R.V. Konakova, O.F. Kolomys, O. Okhrimenko, V.V. Strelchuk, E.Yu. Volkov, M.N. Grigoriev, A.M. Svetlichnyi, O.B. Spiridonov. Semiconductors, 47 (6), 812 (2013).]
S. Nakashima, H. Harima. Phys. Stat. Sol. A, 162, 39 (1997)
H. Semat, J.R. Albright. Introduction to Atomic and Nuclear Physics (Chapman and Hall, London, 1972)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель