Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Эффект геттерирования в Cr/4H-SiC УФ фотодетекторах при облучении протонами с энергией 15 MeV
Переводная версия: 10.21883/TP.2023.04.55945.259-22 
The study was supported by Russian Science Foundation (project № 16-12-10106)., 16-12-10106
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: irina.nikitina45@gmail.com, evk@mail.ioffe.ru, sildet@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 30 ноября 2022 г.
В окончательной редакции: 17 января 2023 г.
Принята к печати: 1 февраля 2023 г.
Выставление онлайн: 21 марта 2023 г.
Впервые предложен механизм преобразования структуры в Cr/4H-SiC ультрафиолетовых фотодетекторах, отвечающий за циклическое геттерирование радиационных дефектов, при многократном протонном облучении. Ключевые слова: вакансии, кластеры, геттерирование. DOI: 10.21883/JTF.2023.04.55045.259-22
- L.R. Koller. Ultraviolet Radiation (Willey, NY., 1965)
- E. Monroy, F. Omnes, F. Calle. Semicond. Sci. Technol., 18, R33 (2003)
- J.F. Seely, B. Kjornrattanawanich, G.E. Holland, R. Korde. Opt. Lett., 30, 3120 (2005)
- Е.В. Калинина, Г.Н. Виолина, И.П. Никитина, М.В. Яговкина, Е.В. Иванова, В.В. Забродский. ФТП, 53 (6), 856 (2019). DOI: 10.21883/JTF.2023.04.55045.259-22
- В. Емцев, А. Иванов, В. Козловский, А. Лебедев, Г. Оганесян, Н. Строкан, G. Wagner. ФТП, 46, 473 (2012)
- В.В. Козловский, А.Э. Васильев, П.А. Карасев, А.А. Лебедев. ФТП, 52 (3), 327 (2018). DOI: 10.21883/JTF.2023.04.55045.259-22
- Д. Халл. Введение в дислокации (Атомиздат, М., 1968) [Пер. с англ.: D. Hull. Introduction to Dislocation (Pergamon Press, Oxford-London-Edinburg-NY.-Paris-Frankfurt, 1965)]
- A. Goetzberger. Am. Phys. Soc. Ser. II, 5, 160 (1960)
- В.А. Перевощиков, В.Д. Скупов. Геттеррирование примесей и дефектов в полупроводниках (Изд-во Нижегородского гос. ун-та, Н. Новгород, 2002), ч. 1, гл. 3, с. 158
- А.Т. Гореленок, В.Л. Крюков, Г.П. Фурманов. Письма в ЖТФ, 20, 60 (1994)
- E. Kalinina, G. Kholuyanov, A. Sitnikova, V. Kossov, R. Yafaev, G. Pensl, S. Reshanov,A. Konstantinov, A. Hallen. Mat. Sci. Forum, 433-436, 637 (2003)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
