Вышедшие номера
Квантовые эффекты при формировании двойниковой границы в Pb
Божко С.И.1, Ксенз А.С.1, Фокин Д.А.2, Ионов А.М.1
1Институт физики твердого тела им. Ю.А. Осипьяна РАН, Черноголовка, Москва, Россия
2Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана, Москва, Россия
Email: fokinda@bmstu.ru
Поступила в редакцию: 31 марта 2023 г.
В окончательной редакции: 31 марта 2023 г.
Принята к печати: 31 марта 2023 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2023 г.

Расслоение наноостровков Pb на вицинальной поверхности Si(7 7 10) на слои толщиной 2 nm, обусловленное квантованием электронного спектра, подразумевает образование двумерных дефектов, разделяющих слои Pb. С помощью модельных расчетов в приближении теории функционала плотности показано, что минимальной энергией образования обладает двойниковая граница, энергия которой равна 15 meV/at. Установлено, что двойниковая граница формируется на стадии роста очередного слоя после образования слоя толщиной 2 nm, в котором образуется стоячая волна фермиевских электронов. На поверхности слоя меньшей толщины, где стоячей электронной волны нет, реализуется рост совершенной кристаллической структуры. Образование двойниковой границы между слоями Pb толщиной 2 nm начинается с формирования разреженного атомного монослоя пар атомов. Ключевые слова: тонкие пленки, электронный рост, дефекты ГЦК кристаллов.