Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Получение градиентных слоев в четырехкомпонентной системе Al-Ga-As-Sn методом жидкофазной эпитаксии

DOI: 10.61011/JTF.2023.10.56286.168-23

Российский научный фонд, https://rscf.ru/project/22-19-00057/, Конкурс 2022 года «Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований отдельными научными группами», № 22-19-00057

Потапович Н.С.

¹, Хвостиков В.П.

¹, Хвостикова О.А.

¹, Власов А.C.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: nspotapovich@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 5 июля 2023 г.

В окончательной редакции: 23 августа 2023 г.

Принята к печати: 25 августа 2023 г.

Выставление онлайн: 26 сентября 2023 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведено моделирование кристаллизации толстых (более 50 μm) градиентных Al_xGa_1-xAs слоев в системе Al-Ga-As-Sn. Методом жидкофазной эпитаксии получены Al_xGa_1-xAs слои, легированные оловом, толщиной до 85 μm. Полученные экспериментальные профили градиента состава Al_xGa_1-xAs соответствуют используемой теоретической модели для случаев роста из ограниченного объема раствора-расплава. Ключевые слова: жидкофазная эпитаксия, AlGaAs, фазовые равновесия, фотоэлектрические преобразователи, градиентные слои.

M. Perales, M. Yang, Ch. Wu, Ch. Hsu, W. Chao, K. Chen, T. Zahuranec. In: Proc. SPIE 9733, High-Power Diode Laser Technology and Applications XIV, 97330U, 97330U-1 (2016). DOI: 10.1117/12.2213886
В.П. Хвостиков, П.В. Покровский, О.А. Хвостикова, А.Н. Паньчак, В.М. Андреев. Письма в ЖТФ, 44 (17), 42 (2018). DOI: 10.21883/PJTF.2018.17.46569.17400 [V.P. Khvostikov, P.V. Pokrovskiy, O.A. Khvostikova, A.N. Panchak, V.M. Andreev. Tech. Phys. Lett., 44, 776 (2018) DOI: 10.1134/S1063785018090079]
A. Panchak, V. Khvostikov, P. Pokrovskiy. Opt. Laser Technol., 136, Paper N106735 (2021). DOI: 10.1016/j.optlastec.2020.106735
V.P. Khvostikov, A.N. Panchak, O.A. Khvostikova, P.V. Pokrovskiy. IEEE Electron Device Lett., 43, 1717 (2022). DOI: 10.1109/LED.2022.3202987
B. Kashyap, A. Datta. IEEE Trans. Electron Devices, 64 (6), 2564 (2017). DOI: 10.1109/TED.2017.2692267
V. Zinovchuk, O. Malyutenko, V. Malyutenko, A. Podoltsev, A. Vilisov. J. Appl. Phys., 104, Paper N033115 (2008). DOI: 10.1063/1.2968220
H. Kitabayashi, K. Ishihara, Y. Kawabata, H. Matsubara, K. Miyahara, T. Morishita, S. Tanaka. SEI Tech. Rev., 72, 86 (2011). https://sumitomoelectric.com/sites/default/files/2020-12/download_documents/72-12.pdf
М.Р. Домбругов. Microsyst. Electron. Acoust., 24 (1), 6 (2019). DOI: 10.20535/2523-4455.2019.24.1.160164
В.А. Елюхин, С.Ю. Карпов, Е.Л. Портной, Д.Н. Третьяков. Письма в ЖТФ, 4 (11), 629 (1978)
X. Zhao, K.H. Montgomery, J.M. Woodall. J. Electron. Mater., 43 (11), 3999 (2014). DOI: 10.1007/s11664-014-3340-x
V. Khvostikov, O. Khvostikova, N. Potapovich, A. Vlasov, R. Salii. Heliyon, 9 (7). e18063 (2023). DOI: 10.1016/j.heliyon.2023.e18063
A. Saragan. Physical and Chemical Vapor Deposion in Nanofabrication. Ch. 3. (CRC Press, 2016), DOI: 10.1201/9781315370514
Х. Кейси, М. Паниш. Лазеры на гетероструктурах (Мир, М., 1981) [H.C. Casey, M.B. Panish. Heterostructure Lasers (Academic Press, 1978), DOI: 10.1016/B978-0-12-163102-4.50009-9]
M.B. Panish. J. Appl. Phys., 44, 2667 (1973). DOI: 10.1063/1.1662631
K. Kaneko, M. Ayabe, N. Watanabe. Inst. Phys. Conf. Ser., 33a, 216 (1977)
М.С. Wu, Y.K. Su. J. Crystal Growth, 96, 52 (1989). DOI: 10.1016/0022-0248(89)90275-3
W.G. Pfann. Zone Melting (Wiley, 1958). DOI: 10.1107/S0365110X5900130X
E. Kuphal. Appl. Phys., A52, 380 (1991). DOI: 10.1007/BF00323650
S. Adachi. III--V Ternary and Quaternary Compounds. Springer Handbook of Electronic and Photonic Materials (Springer, 2017), p. 725-741. DOI: 10.1007/978-3-319-489339_30

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель