Архитектоника покрытий из наностержней оксида цинка для адсорбционных газовых сенсоров
Рябко А.А.1, Налимова С.С.2, Пермяков Н.В.2, Бобков А.А.2, Максимов А.И.2, Кондратьев В.М.3, Котляр К.П.3,4, Овезов М.К.1, Комолов А.С.5, Лазнева Э.Ф.5, Мошников В.А.2, Алешин А.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский национально-исследовательский академический университет им. Ж.И. Алферова РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: a.a.ryabko93@yandex.russkarpova@list.ru
Поступила в редакцию: 13 июня 2023 г.
В окончательной редакции: 14 июля 2023 г.
Принята к печати: 31 июля 2023 г.
Выставление онлайн: 26 сентября 2023 г.
Представлена методика формирования наноструктурированных покрытий из наностержней ZnO для применения в адсорбционных газовых сенсорах. Показано, что ультразвуковой спрей-пиролиз обеспечивает получение локальных центров роста для формирования наностержней ZnO методом низкотемпературного гидротермального синтеза. Полученные наностержни ZnO с малым диаметром продемонстрировали высокую концентрацию вакансий кислорода в приповерхностной области и поверхностную концентрацию гидроксильных групп. Предложен дополнительный способ контроля затравочных слоев по сопротивлению с использованием жидкого зонда на основе индий-галлиевого расплава без необходимости нанесения верхних контактов. Представленная методика пригодна для массового производства сенсорных покрытий. Полученные наноструктурированные покрытия из наностержней ZnO демонстрируют высокий газоаналитический отклик. Ключевые слова: наностержни, оксид цинка, наноструктурированные покрытия, архитектоника, масштабируемость, адсорбционные газовые сенсоры.
- N. Yamazoe, G. Sakai, K. Shimanoe. Catalysis Surveys from Asia, 7, 63 (2003). DOI: 10.1023/A:1023436725457
- A.M. Andringa, C. Piliego, I. Katsouras, P.W. Blom, D.M.D. Leeuw. Chem. Mater., 26 (1), 773 (2014). DOI: 10.1021/cm4020628
- В.А. Мошников, С.С. Налимова, Б.И. Селезнев. ФТП, 48 (11), 1535 (2014). [V.A. Moshnikov, S.S. Nalimova, B.I. Seleznev. Semiconductors, 48 (11), 1499 (2014). DOI: 10.1134/S1063782614110177]
- J. Shin, S.J. Choi, I. Lee, D.Y. Youn, C.O. Park, J.H. Lee, H.L. Tuller, I.D. Kim. Advanced Functional Mater., 23 (19), 2357 (2013). DOI: 10.1002/adfm.201202729
- G. Katwal, M. Paulose, I.A. Rusakova, J.E. Martinez, O.K. Varghese. Nano Lett., 16 (5), 3014 (2016). DOI: 10.1021/acs.nanolett.5b05280
- V.V. Sysoev, B.K. Button, K. Wepsiec, S. Dmitriev, A. Kolmakov. Nano Lett., 6 (8), 1584 (2006). DOI: 10.1021/nl060185t
- V.V. Sysoev, J. Goschnick, T. Schneider, E. Strelcov, A. Kolmakov. Nano Lett., 7 (10), 3182 (2007). DOI: 10.1021/nl071815+
- A. Bobkov, A. Varezhnikov, I. Plugin, F.S. Fedorov, V. Trouillet, U. Geckle, M. Sommer, V. Goffman, V. Moshnikov, V. Sysoev. Sensors, 19 (19), 4265 (2019). DOI: 10.3390/s19194265
- Y. Lin, K. Kan, W. Song, G. Zhang, L. Dang, Y. Xie, P. Shen, L. Li, K. Shi. J. Alloys Compounds, 639, (2015). DOI: 10.1016/j.jallcom.2015.03.139
- S.W. Fan, A.K. Srivastava, V.P. Dravid. Appl. Phys. Lett. 95, 142106 (2009). DOI: 10.1063/1.3243458
- Q. Geng, Z. He, X. Chen, W. Dai, X. Wang. Sensors and Actuators B: Chemical, 188, 293 (2013) DOI: 10.1016/j.snb.2013.07.001
- L. Han, D. Wang, Y. Lu, T. Jiang, B. Liu, Y. Lin. J. Phys. Chem. C, 115 (46), 22939 (2011). DOI: 10.1021/jp206352u
- A.S. Chizhov, M.N. Rumyantseva, R.B. Vasiliev, D.G. Filatova, K.A. Drozdov, I.V. Krylov, A.V. Marchevsky, O.M. Karakulina, A.M. Abakumov, A.M. Gaskov. Thin Solid Films, 618, 253 (2016). DOI: 10.1016/j.tsf.2016.09.029
- E. Comini, C. Baratto, G. Faglia, M. Ferroni, A. Vomiero, G. Sberveglieri. Progress in Mater. Sci., 54 (1), 1 (2009). DOI: 10.1016/j.pmatsci.2008.06.003
- S. Wang, Z.X. Lin, W.H. Wang, C.L. Kuo, K.C. Hwang, C.C. Hong. Sensors and Actuators B: Chemical, 194, 1 (2014). DOI: 10.1016/j.snb.2013.12.042
- J.D. Prades, R. Jimenez-Di az, F. Hernandez-Ramirez, S. Barth, A. Cirera, A. Romano-Rodriguez, S. Mathur, J.R. Morante. Sensors and Actuators B: Chemical, 140 (2), 337 (2009). DOI: 10.1016/j.snb.2009.04.070
- M. Procek, T. Pustelny, A. Stolarczyk. Nanomaterials, 6 (12), 227 (2016). DOI: 10.3390/nano6120227
- Y. Sahin, S. Ozturk, N. Ki li nc, A. Kosemen, M. Erkovan, Z.Z. Ozturk. Appl. Surf. Sci., 303, 90 (2014). DOI: 10.1016/j.apsusc.2014.02.083
- L. Peng, J. Zhai, D. Wang, Y. Zhang, P. Wang, Q. Zhao, T. Xie. Sens. Actuator B, 148, 66 (2010). DOI: 10.1016/j.snb.2010.04.045
- А.А. Рябко, С.С. Налимова, Д.С. Мазинг, О.А. Корепанов, А.М. Гукетлов, О.А. Александрова, А.И. Максимов, В.А. Мошников, З.В. Шомахов, А.Н. Алешин. ЖТФ, 92 (6), 845 (2022). DOI: 10.21883/JTF.2022.06.52514.15-22 [A.A. Ryabko, S.S. Nalimova, D.S. Mazing, O.A. Korepanov, A.M. Guketlov, O.A. Aleksandrova, A.I. Maximov, V.A. Moshnikov, Z.V. Shomakhov, A.N. Aleshin. Tech. Phys., 92 (6) 717 (2022). DOI: 10.21883/TP.2022.06.54418.15-22]
- J. Guo, J. Zhang, M. Zhu, D. Ju, H. Xu, B. Cao. Sensors and Actuators B: Chemical, 199, 339 (2014). DOI: 10.1016/j.snb.2014.04.010
- M.-W. Ahn, K.-S. Park, J.-H. Heo, J.-G. Park, D.-W. Kim, K.J. Choi, J.-H. Lee, S.-H. Hong. Appl. Phys. Lett., 93, 263103 (2008). DOI: 10.1063/1.3046726
- A. Ejsmont, J. Goscianska. Materials, 16 (4), 1641 (2023). DOI: 10.3390/ma16041641
- S. Barauh, J. Dutta. Sci. Technol. Adv. Mater., 10, 013001 (2009). DOI: 10.1088/1468-6996/10/1/013001
- S. Xu, Z.L. Wang. Nano Research, 4, 1013 (2011). DOI: 10.1007/s12274-011-0160-7
- S.F. Wang, T.Y. Tseng, Y.R. Wang, C.Y. Wang, H.C. Lu, W.L. Shih. Intern. J. Appl. Ceramic Technol., 5 (5), 419 (2008). DOI: 10.1111/j.1744-7402.2008.02242.x
- А.А. Рябко, А.И. Максимов, В.А. Мошников. Вестник НовГУ, 6 (104), 32 (2017). DOI: 10.34680/2076-8052.2019.4(116).40-43
- S.A. Kadinskaya, V.M. Kondratev, I.K. Kindyushov, O.Y. Koval, D.I. Yakubovsky, A. Kusnetsov, A.I. Lihachev, A.V. Nashchekin, I.K. Akopyan, A.Y. Serov, M.E. Labzovskaya,; S.V. Mikushev, B.V. Novikov, I.V. Shtrom, A.D. Bolshakov. Nanomaterials, 13 (1), 58 (2023). DOI: 10.3390/nano13010058
- H.E. Unalan, P. Hiralal, N. Rupesinghe, S. Dalal, W. Milne, G. Amaratunga. Nanotechnology, 19, 255608 (2008). DOI: 10.1088/0957-4484/19/25/255608
- C. Chevalier-Cesar, M. Capochichi-Gnambodoe, Y. Leprince-Wang. Appl. Phys. A, 115, 953 (2014). DOI: 10.1007/s00339-013-7908-8
- X.M. Sun, X. Chen, Z.X. Deng, Y.D. Li. Mater. Chem. Phys., 78 (1), 99 (2003). DOI: 10.1016/S0254-0584(02)00310-3
- N. Permiakov, E. Maraeva, A. Bobkov, R. Mbwahnche, V. Moshnikov. Technologies, 11 (1), 26 (2023). DOI: 10.3390/technologies11010026
- А.А. Рябко, А.А. Бобков, С.С. Налимова, А.И. Максимов, В.С. Левицкий, В.А. Мошников, Е.И. Теруков. ЖТФ, 92 (5), 758 (2022). DOI: 10.21883/JTF.2022.05.52382.314-21 [A.A. Ryabko, A.A. Bobkov, S.S. Nalimova, A.I. Maksimov, V.S. Levitskii, V.A. Moshnikov, E.I. Terukov. Tech. Phys., 67 (5), 644 (2022). DOI: 10.21883/TP.2022.05.53683.314-21]
- S. Iaiche; A. Djelloul. J. Spectrosc., 2015, 836859 (2015). DOI: 10.1155/2015/836859
- I.A. Pronin, I.A. Averin, A.A. Karmanov, N.D. Yakushova, A.S. Komolov, E.F. Lazneva, M.M. Sychev, V.A. Moshnikov, G. Korotcenkov. Nanomaterials, 12, 1924 (2022). DOI: 10.3390/nano12111924
- M. Kwoka, A. Kulis-Kapuscinska, D. Zappa, E. Comini, J. Szuber. Nanotechnology, 31 (46), 465705 (2020). DOI: 10.1088/1361-6528/ab8dec
- R. Al-Gaashani, S. Radiman, A.R. Daud, N. Tabet, Y. Al-Douri. Ceram. Int., 39, 2283 (2013). DOI: 10.1016/j.ceramint.2012.08.075
- E. Gr nas, M. Busch, B. Arndt, M. Creutzburg, G.D.L. Semione, J. Gustafson, A. Schaefer, V. Vonk, H. Gro nbeck, A. Stierle. Commun. Chem., 4, 7 (2021). DOI: 10.1038/s42004-020-00442-6
- R. Heinhold, M.W. Allen. J. Mater. Res., 27 (17), 2214 (2012). DOI: 10.1557/jmr.2012.181
- X. Zhang, J. Qin, Y. Xue, P. Yu, B. Zhang, L. Wang, R. Liu. Scientific Feports, 4 (1), 1 (2014). DOI: 10.1038/srep04596
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.