Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2023, выпуск 11 » Статья стр. 1610
<<<>>>
Влияние площади контактов на мемристивные характеристики структур на основе парилена в одиночной и кроссбар-геометрии
DOI: 10.61011/JTF.2023.11.56492.166-23
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, 075-15-2021-1357
Швецов Б.С.1,2, Юкляевских Г.А.2, Черноглазов К.Ю.1, Емельянов А.В.1
1Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Email: b.shvetsov15@physics.msu.ru
Поступила в редакцию: 4 июля 2023 г.
В окончательной редакции: 20 сентября 2023 г.
Принята к печати: 25 сентября 2023 г.
Выставление онлайн: 22 октября 2023 г.
PDF версия
Исследовано влияние площади и геометрии контактов на основные мемристивные характеристики структур на основе парилена. Показана независимость от площади контактов таких мемристивных характеристик, как напряжение переключений в низкоомное и высокоомное состояния, а также сопротивлений образцов в низкоомном состоянии. При этом сопротивления в высокоомном состоянии увеличиваются с уменьшением площади, что подтверждает однофиламентарную модель резистивных переключений, а также позволяет увеличить окно сопротивлений в таких структурах. Ключевые слова: мемристоры, резистивное переключение, нейроморфные системы, парилен.
  1. D. Kuzum. IEEE Nanotechnol. Mag., 12, 4 (2018)
  2. J. Zhu, T. Zhang, Y. Yang, R. Huang. Appl. Phys. Rev., 7, 011312 (2020). https://doi.org/10.1063/1.5118217
  3. Z. Wang, H. Wu, G.W. Burr, C.S. Hwang, K.L. Wang, Q. Xia, J.J. Yang. Nat. Rev. Mater., 5, 173 (2020)
  4. Q. Xia, J.J. Yang. Nat. Mater., 18, 309 (2019)
  5. K. Berggren, Q. Xia, K.K. Likharev, D.B. Strukov, H. Jiang, T. Mikolajick, D. Querlioz, M. Salinga, J.R. Erickson, S. Pi, F. Xiong, P. Lin, C. Li, Y. Chen, S. Xiong, B.D. Hoskins, M.W. Daniels, A. Madhavan, J.A. Liddle, J.J. McClelland, Y. Yang, J. Rupp, S.S. Nonnenmann, K.-T. Cheng, N. Gong, M.A. Lastras-Montano, A.A. Talin, A. Salleo, B.J. Shastri, T.F. de Lima, P. Prucnal, A.N. Tait, Y. Shen, H. Meng, C. Roques-Carmes, Z. Cheng, H. Bhaskaran, D. Jariwala, H. Wang, J.M. Shainline, K. Segall, J.J. Yang, K. Roy, S. Datta, A. Raychowdhury. Nanotechnology, 32, 012002 (2021)
  6. A.A. Koroleva, M.G. Kozodaev, Y.Y. Lebedinskii, A.M. Markeev. Nanobiotechnology Reports, 16 (6), 737 (2021). https://doi.org/10.1134/S2635167621060094
  7. M.N. Koryazhkina, D.O. Filatov, S.V. Tikhov, A.I. Belov, D.S. Korolev, A.V. Kruglov, R.N. Kryukov, S.Y. Zubkov, V.A. Vorontsov, D.A. Pavlov, D.I. Tetelbaum, A.N. Mikhaylov, S. Kim. Nanobiotechnology Reports, 16 (6), 745 (2021). https://doi.org/10.1134/S2635167621060100
  8. L.S. Parshina, D.S. Gusev, O.D. Khramova, A.S. Polyakov, N.N. Eliseev, O.A. Novodvorsky. Nanobiotechnology Reports, 16 (6), 829 (2021). https://doi.org/10.1134/S2635167621060185
  9. A.N. Matsukatova, A.I. Iliasov, K.E. Nikiruy, E.V. Kukueva, A.L. Vasiliev, B.V. Goncharov, A.V. Sitnikov, M.L. Zanaveskin, A.S. Bugaev, V.A. Demin, V.V. Rylkov, A.V. Emelyanov. Nanomaterials, 12 (19), 3455 (2022). https://doi.org/10.3390/nano12193455
  10. I. Valov, R. Waser, J.R. Jameson, M.N. Kozicki. Nanotechnology, 22, 254003 (2011)
  11. T. Shi, R. Wang, Z. Wu, Y. Sun, J. An, Q. Liu. Small Struct., 2, 2000109 (2021)
  12. Y. Van De Burgt, A. Melianas, S.T. Keene, G. Malliaras, A. Salleo. Nat. Electron., 1, 386 (2018)
  13. Y. Li, Z. Wang, R. Midya, Q. Xia, J. Joshua Yang. J. Phys. D: Appl. Phys., 51, 0 (2018)
  14. A.A. Minnekhanov, A.V. Emelyanov, D.A. Lapkin, K.E. Nikiruy, B.S. Shvetsov, A.A. Nesmelov, V.V. Rylkov, V.A. Demin, V.V. Erokhin. Sci. Rep., 9, 10800 (2019)
  15. A.A. Minnekhanov, B.S. Shvetsov, M.M. Martyshov, K.E. Nikiruy, E.V. Kukueva, M.Y. Presnyakov, P.A. Forsh, V.V. Rylkov, V.V. Erokhin, V.A. Demin, A.V. Emelyanov. Org. Electron., 74, 89 (2019)
  16. Б.С. Швецов, А.Н. Мацукатова, А.А. Миннеханов, А.А. Несмелов, Б.В. Гончаров, Д.А. Лапкин, М.Н. Мартышов, П.А. Форш, В.В. Рыльков, В.А. Демин, А.В. Емельянов. Письма в ЖТФ, 45, 40 (2019)
  17. J.E. Kim, B. Kim, H.T. Kwon, J. Kim, K. Kim, D.W. Park, Y. Kim. IEEE Access, 10, 109760 (2022)
  18. Q. Chen, M. Lin, Z. Wang, X. Zhao, Y. Cai, Q. Liu, Y. Fang, Y. Yang, M. He, R. Huang. Adv. Electron. Mater., 5, 1800852 (2019)
  19. A.N. Matsukatova, A.Y. Vdovichenko, T.D. Patsaev, P.A. Forsh, P.K. Kashkarov, V.A. Demin, A.V. Emelyanov. Nano Res., 16, 3207 (2023)
  20. S. Gi, I. Yeo, M. Chu, S. Kim, B. Lee. ISOCC 2015 --- Int. SoC Des. Conf. SoC Internet Everything, 215 (2016)
  21. B.S. Shvetsov, A.A. Minnekhanov, A.V. Emelyanov, A.I. Ilyasov, Y.V. Grishchenko, M.L. Zanaveskin, A.A. Nesmelov, D.R. Streltsov, T.D. Patsaev, A.L. Vasiliev, V.V. Rylkov, V.A. Demin. Nanotechnology, 33, 255201 (2022)
  22. Z. Tang, Y. Wang, Y. Chi, L. Fang. Electronics, 7, 224 (2018)
  23. V.A. Demin, I.A. Surazhevsky, A.V. Emelyanov, P.K. Kashkarov, M.V. Kovalchuk. J. Comput. Electron., 19, 565 (2020)
  24. К.Э. Никируй, А.В. Емельянов, В.А. Демин, В.В. Рыльков, А.В. Ситников, П.К. Кашкаров. Письма в ЖТФ, 44, 20 (2018)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme