Исследование состава пленок моносульфида самария, полученных электронно-лучевым нагревом
Баскаков Е.Б.
1, Стрелов В.И.
11Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия
Email: baskakov.ras@gmail.com
Поступила в редакцию: 14 июля 2023 г.
В окончательной редакции: 26 сентября 2023 г.
Принята к печати: 26 сентября 2023 г.
Выставление онлайн: 22 октября 2023 г.
Методом энергодисперсионной спектроскопии исследован элементный состав тонких пленок, полученных электронно-лучевым нагревом объемных образцов SmS с различным соотношением элементов 1Sm : 1S, 1.05Sm : 1S и 1.15Sm : 1S. На примере объемного образца состава 1.15Sm : 1S проведен анализ его элементного состава до и после распыления на подложку. По данным микроанализа установлено изменение содержания элементов и произведена возможная оценка изменения фазового состава в распыляемом материале. Показано, что в составе полученных тонких пленок содержится избыточное содержание Sm. Предложена методика определения неоднородности состава по глубине для пленок SmS, в рамках которой с использованием двухпотоковой модели транспорта заряженных частиц рассчитана зависимость пробега пучка моноэнергетических электронов от первичной энергии электронов в SmS для энергий до 30 keV. Ключевые слова: электронно-лучевой нагрев, моносульфид самария, рентгено-спектральный микроанализ, пробег пучка моноэнергетических электронов в веществе.
- А.В. Голубков, Е.В. Гончарова, В.П. Жузе, Г.М. Логинов, В.М. Сергеева, И.А. Смирнов. Физические свойства халькогенидов РЗЭ (Наука, Л., 1973)
- А.В. Голубков, В.М. Сергеева. ЖВХО, 2 (6), 645 (1981)
- R. Keller, G. Guntherodt, W.B. Holzapfel, M. Dietrich, F. Holtzberg. Solid State Commun., 29, 753 (1979). DOI: 10.1016/0038-1098(79)90154-6
- O.V. Andreev, V.V. Ivanov, A.V. Gorshkov, P.V. Miodushevskiy, P.O. Andreev. Eurasian Chemico-Technol. J., 18 (1), 55 (2016). DOI: 10.18321/ectj396
- В.В. Каминский, А.А. Молодых, И.С. Полухин, С.М. Соловьев, К.В. Шуваев. Письма в ЖТФ, 40 (11), 1 (2014). [V.V. Kaminskii, A.A. Molodykh, I.S. Polukhin, S.M. Solov'ev, K.V. Shuraev. Tech. Phys. Lett., 40 (6), 453 (2014). DOI: 10.1134/S1063785014060066]
- L. Li, S. Hirai, Y. Tasaki. J. Rare Earths, 34 (10), 1042 (2016). DOI: 10.1016/S1002-0721(16)60132-1
- В.В. Каминский, Н.Н. Степанов, А.А. Молодых. ФТТ, 52 (7), 1269 (2010). [V.V. Kaminskiy, N.N. Stepanov, A.A. Molodykh. Physics Solid State, 52 (7), 1356 (2010). DOI: 10.1134/S106378341007005X]
- В.В. Каминский, В.А. Сидоров, Н.Н. Степанов, М.М. Казанин, А.А. Молодых, С.М. Соловьев. ФТТ, 55 (2), 257 (2013). [V.V. Kaminskiy, V.A. Sidorov, N.N. Stepanov, M.M. Kazanin, A.A. Molodykh, S.M. Solov'ev. Physics Solid State, 55 (2), 293 (2013) DOI: 10.1134/S106378341302011X]
- И.А. Пронин, Н.Д. Якушова, Д.Ц. Димитров, Л.К. Крастева, К.И. Папазова, А.А. Карманов, И.А. Аверин, А.Ц. Георгиева, В.А. Мошников, Е.И. Теруков. Письма в ЖТФ, 43 (18), 11 (2017). DOI: 10.21883/PJTF.2017.18.45028.16754 [I.A. Pronina, N.D. Yakushova, D.Ts. Dimitrov, L.K. Krasteva, K.I. Papazova, A.A. Karmanov, I.A. Averin, A.Ts. Georgieva, V.A. Moshnikov, E.I. Terukov. Tech. Phys. Lett., 43 (9), 825 (2017). DOI: 10.1134/S1063785017090255]
- В.В. Каминский, С.М. Соловьев, Н.В. Шаренкова, S. Hirai, Y. Kubota. Письма в ЖТФ, 44 (23), 85 (2018). DOI: 10.21883/PJTF.2018.23.47014.17235 [V.V. Kaminskii, S.M. Solov'ev, N.V. Sharenkova, S. Hirai, Y. Kubota. Tech. Phys. Lett., 44 (12), 1087 (2018). DOI: 10.1134/S106378501812026X]
- М.М. Казанин, В.В. Каминский, С.М. Соловьев. ЖТФ, 70 (5), 136 (2000). [M.M. Kazanin, V.V. Kaminskii, S.M. Solov'ev. Tech. Phys., 45 (5), 659 (2000). DOI: 10.1134/1.1259698]
- В.И. Стрелов, Е.Б. Баскаков, Ю.Н. Бендрышев, В.М. Каневский. Кристаллография, 64 (2), 281 (2019). DOI: 10.1134/S0023476119020292 [V.I. Strelov, E.B. Baskakov, U.N. Bendryshev, V.M. Kanevskii. Crystallography Reports, 64 (2), 311 (2019). DOI: 10.1134/S1063774519020299]
- В.М. Егоров, В.В. Каминский, М.М. Казанин, С.М. Соловьев, А.В. Голубков. Письма в ЖТФ, 41 (8), 50 (2015). [V.M. Egorov, V.V. Kaminskii, M.M. Kazanin, S.M. Solov'ev, A.V. Golubkov. Tech. Phys. Lett., 41 (4), 381 (2015). DOI: 10.1134/S1063785015040227]
- В.В. Каминский, А.О. Лебедев, С.М. Соловьев, Н.В. Шаренкова. ЖТФ, 89 (2), 212 (2019). DOI: 10.21883/JTF.2019.02.47072.225-18 [V.V. Kaminskii, A.O. Lebedev, S.M. Solov'ev, N.V. Sharenkova. Tech. Phys., 64 (2), 181 (2019). DOI: 10.1134/S1063784219020075]
- M.A. Grevtsev, G.D. Havrov, S.A. Kazakov, V.V. Kaminskii. J. Phys.: Conf. Series, 1038, 012111 (2018). DOI: 10.1088/1742-6596/1038/1/012111
- В.В. Каминский, М.М. Казанин. Письма в ЖТФ, 34 (8), 92 (2008). [V.V. Kaminskii, M.M. Kazanin. Tech. Phys. Lett., 34 (4), 361 (2008). DOI: 10.1134/S1063785008040263]
- В.Г. Бамбуров, О.В. Андреев, В.В. Иванов, А.Н. Воропай, А.В. Горшков, А.А. Полковников, А.Н. Бобылев. ДАН, 473 (6), 676 (2017)
- В.В. Каминский, М.М. Казанин, С.М. Соловьев, Н.В. Шаренкова, Н.М. Володин. ФТП, 40 (6), 672 (2006). [V.V. Kaminskii, M.M. Kazanin, S.M. Solov'ev, N.V. Sharenkova, N.M. Volodin. Semiconductors, 40 (6), 651 (2006). DOI: 10.1134/S1063782606060078]
- Ю.Е. Калинин, В.А. Макагонов, С.Ю. Панков, А.В. Ситников, М.В. Хахленков. Вестн. Вор. гос. тех. ун-та, 10 (6), 135 (2014)
- П.Е. Тетерин, А.В. Зенкевич, Ю.Ю. Лебединский, О.Е. Парфенов. Труды научной сессии МИФИ, 3, 172 (2010)
- E. Rogers, P.F. Smet, P. Dorenbos, D. Poelman, E. van der Kolk. J. Phys. Condens. Matter., 22, 015005 (2010). DOI: 10.1088/0953-8984/22/1/015005
- В.И. Стрелов, Е.Б. Баскаков, В.В. Артемов. Тез. докл. XXVIII Росс. конф. по электронной микроскопии (Черноголовка, Россия, 2020), т. 3. с. 97
- Е.Б. Баскаков, В.И. Стрелов. Кристаллография, 66 (6), 925 (2021). DOI: 10.31857/S0023476121060059 [E.B. Baskakov, V.I. Strelov. Crystallography Reports, 66 (6), 1078 (2021). DOI: 10.1134/S1063774521060055]
- А.С. Высоких, П.В. Миодушевский, П.О. Андреев. Вестн. ТГУ, 5, 179 (2011)
- Н.Н. Михеев. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 8, 56 (2019). DOI: 10.1134/S0207352819080109 [N.N. Mikheev. J. Synch. Investig, 13 (4), 719 (2019). DOI: 10.1134/S1027451019040281]
- В.П. Кривобоков, Н.С. Сочугов, А.А. Соловьев. Плазменные покрытия (методы и оборудование). (Изд-во Томского политех. ун-та, Томск, 2007)
- Б.А. Мовчан, Н.Д. Тутов. Известия Курского гос. тех. ун-та, 26 (1), 12 (2009)
- Л.К. Марков, И.П. Смирнова, А.С. Павлюченко, Е.М. Аракчеева, М.М. Кулагина. ФТП, 43 (11), 1564 (2009). [L.K. Markov, I.P. Smirnova, A.S. Pavlyuchenko, E.M. Arakcheeva, M.M. Kulagina. Semiconductors, 43 (11), 1521 (2009). DOI: 10.1134/S1063782609110219]
- K.S.S. Harsha. Principles of Physical Vapor Deposition of Thin Films (Elsevier, Great Britain, 2006)
- А.С. Высоких, О.В. Андреев, Л.А. Головина. Вестник тюменского гос. ун-та, 3, 124 (2007)
- А.С. Высоких. Автореф. дисс. (Тюмень, Тюменский гос. ун-т, 2011)
- И.С. Волчков, Е.Б. Баскаков, В.И. Стрелов, В.М. Каневский. Письма в ЖТФ, 45 (22), 12 (2019). DOI: 10.21883/PJTF.2019.22.48641.17859 [I.S. Volchkov, E.B. Baskakov, V.I. Strelov, V.M. Kanevskii. Tech. Phys. Lett., 45 (11), 1127 (2019). DOI: 10.1134/S1063785019110294]
- С.А. Щукарев. Лекции по общему курсу химии (Изд-во ЛГУ, Л., 1962)
- А. Иванов, Б. Смирнов. Наноиндустрия, 6 (36), 28 (2012).
- В.В. Каминский, В.А. Дидик, М.М. Казанин, М.В. Романова, С.М. Соловьев. Письма в ЖТФ, 35 (21), 16 (2009). [V.V. Kaminskii, V.A. Didik, M.M. Kazanin, M.V. Romanova, S.M. Solov'ev. Tech. Phys. Lett., 35 (21), 981 (2009). DOI: 10.1134/S1063785009110030]
- Л.И. Миркин. Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов, под ред. проф. Я.С. Уманского (Гос. изд. Физматлит, М., 1961), с. 12
- J. Goldstein, H. Yakowitz, D.E. Newbury, E. Lifshin, J.W. Colby, J.R. Coleman. Practical Scanning Electron Microscopy (Plenum Press, NY., 1975), p. 85.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.