Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Об определении длины диффузии носителей заряда в материале абсорбера матричных HgCdTe-фотоприемников из профилей сканирования пятна засветки

DOI: 10.61011/JTF.2024.01.56911.87-23

-, -, -

Стучинский В.А.¹, Вишняков А.В.¹, Васильев В.В.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Email: stuchin@isp.nsc.ru, vishn@isp.nsc.ru, vas@isp.nsc.ru

Поступила в редакцию: 12 апреля 2023 г.

В окончательной редакции: 7 ноября 2023 г.

Принята к печати: 10 ноября 2023 г.

Выставление онлайн: 25 декабря 2023 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом Монте-Карло изучено влияние латерального транспорта фотогенерированных носителей заряда от пятна засветки вдоль диодов на результат определения объемной длины диффузии носителей в материале абсорбера фотоприемных матриц способом сканирования светового пятна. Дана оценка соответствующей погрешности определения длины диффузии. Численное моделирование было проведено на примере фотоприемной матрицы с шагом 30 μm, размером диодов 14 x 14 μm и толщиной поглощающего слоя 6 μm. Диапазон рассмотренных значений объемной длины диффузии носителей в материале абсорбера составлял от 5 до 30 μm. Показано, что проведенный анализ позволяет описать детали профилей сканирования пятен засветки как при больших, так и малых диодных токах. Найдено, что используемый метод дает значения объемной длины диффузии, увеличенные по сравнению с истинными примерно на 20-25%. Ключевые слова: матричный ИК фотоприемник, фотодиод, фотоответ диода, профиль сканирования, пятно засветки, длина диффузии носителей заряда, материал кадмий-ртуть-теллур, моделирование методом Монте-Карло.

A. Rogalski. Infrared Detectors, Second Edition (CRC Press, Boca Raton, 2010)
W. Cabanski, R. Breiter, K-H. Mauk, W. Rode, J. Ziegler, L. Ennenga, H. Lipinski, T. Wehrhahn. Proc. SPIE, 4028 (2000). DOI: 10.1117/12.391734
П.С. Лазарев, М.Г. Мазин, А.В. Сидорин, В.Н. Соляков, Е.О. Тренина, К.А. Хамидуллин, А.Д. Юдовская. Прикладная физика, 4, 107 (2012)
O. Schreer, M. Lopez Saenz, Ch. Peppermuller, U. Schmidt. Proc. SPIE, 6542, 65421C (2007). DOI: 10.1117/12.725273
W. Userell. in: Design of Optical Systems, ed. by R. Shannon, J. Vyant (Mir, Moscow, 1983)
A. Rogalski. in: Mid-infrared Optoelectronics. Materials, Devices and Applications, ed. by E. Tournie, L. Cerutti (Elsevier Ltd., 2020), DOI: 10.1016/B978-0-08-102709-7.00007-3
V. Srivastav, R. Pal, H.P. Vyas. Opto-Electron. Rev., 13 (3), 197 (2005)
E. Belas, R. Grill, J. Franc, A. Toth, P. Hoschl, H. Sitter, P. Moravec. J. Cryst. Growth, 159 (1), 1117 (1996). DOI: 10.1016/0022-0248(95)00696-6
H. Jung, H.C. Lee, C.-K. Kim. J. Electron. Mater., 25 (8), 1266 (1996)
H. Jung, H.C. Lee, C.-K. Kim. Jpn. J. Appl. Phys., 35 (10B), L1321 (1996)
B.E. Artz. J. Appl. Phys., 57 (8), 2886 (1985)
A. Yeche, F. Boulard, C. Cervera, J.P. Perez, J.B. Rodriguez, P. Christol, O. Gravrand. Infrared Phys. Technol., 95, 170 (2018). DOI: 10.1016/j.infrared.2018.10.005
D.A. Redfern, J.A. Thomas, C.A. Musca, J.M. Dell, L. Faraone. J. Electron. Mater., 30 (6), 696 (2001)
M. Liu, S. Wang, J.C. Campbell, J.D. Beck, C.-F. Wan, M.A. Kinch. J. Appl. Phys., 98, 074509 (2005). DOI: 10.1063/1.2060948
A.V. Vishnyakov, V.A. Stuchinsky, D.V. Brunev, A.V. Zverev, S.A. Dvoretsky. Appl. Phys. Lett., 104, 092112 (2014). DOI: 10.1063/1.4867349
В.А. Стучинский, А.В. Вишняков. Труды XXV Межд. научно-технической конференции и школы по фотоэлектронике и приборам ночного видения в двух томах, т. 2, (АО "НПО "Орион", изд-во "ОФСЕТ МОСКВА", М., 2018), с. 430-433
G.D. Boreman, Modulation Transfer Function in Optical and Electro-Optical Systems, Second Edition, V. TT121, ISBN: 9781510639379 (2021). DOI: 10.1117/3.419857

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель