Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Модель отталкивательной десорбции ионов в поверхностной ионизации
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: i.pilyugin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 4 июля 2023 г.
В окончательной редакции: 2 ноября 2023 г.
Принята к печати: 16 ноября 2023 г.
Выставление онлайн: 25 декабря 2023 г.
Построена модель десорбции ионов с поверхности полупроводника NaxAuy в предположении отталкивания ионов от двойного электрического слоя зарядов плотности rho на поверхности, образующегося при слабом тянущем электрическом поле E. Показано, что в образовании двойного электрического слоя зарядов на поверхности не принимают участия носители из объема полупроводника. Новая модель десорбции ионов подтверждается обнаруженной экспериментальной зависимостью выхода ионов от температуры. Ключевые слова: поверхностная ионизация, двойной электрический слой на поверхности, модель десорбции ионов.
- М.В. Кнатько, М.Н. Лапушкин. ЖТФ, 83 (6), 51 (2013)
- Э.Я. Зандберг, Н.И. Ионов. Поверхностная ионизация (Наука М., 1969) 432 с
- М.В. Кнатько. Частное сообщение (2022)
- М.В. Кнатько, М.Н. Лапушкин. ЖТФ, 92 (3), 481 (2022)
- M.V. Knat'ko, M.N. Lapushkin. Rapid Commun. Mass Spectrom, 35 (17), e9144 (2021)
- М.В. Кнатько, М.Н. Лапушкин. Письма в ЖТФ, 41 (8), 43 (2015)
- М.В. Кнатько, М.Н. Лапушкин. Письма в ЖТФ, 44 (16), 20 (2018)
- Я.И. Френкель. Журн. Рус. физ.-хим. общества. Часть физическая, 49, 100, (1917)
- Я.И. Френкель. Журн. Рус. физ.-хим. общества. Часть физическая, 50, 5 (1918)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
