Оптика и спектроскопия

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Оценка неоднородности распределения плотности тока и температуры в структурах биполярных и гетеробиполярных высокочастотных и сверхвысокочастотных транзисторов по рекомбинационному излучению

Российский научный фонд, 22-29-01134

Сергеев В.А.

¹, Фролов И.В.

¹, Казанков А.А.

¹Ульяновский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, Ульяновск, Россия Kotel’nikov Institute of Radio Engineering and Electronics (Ulyanovsk Branch), Russian Academy of Sciences, Ulyanovsk, Russia

Kotel’nikov Institute of Radio Engineering and Electronics (Ulyanovsk Branch), Russian Academy of Sciences, Ulyanovsk, Russia

²Ульяновский государственный технический университет, Ульяновск, Россия Ulyanovsk State Technical University, Ulyanovsk, Russia

Email: sva@ulstu.ru, ilya-frolov88@mail.ru, kazankov1992@gmail.com

Поступила в редакцию: 11 мая 2023 г.

В окончательной редакции: 19 июня 2023 г.

Принята к печати: 30 октября 2023 г.

Выставление онлайн: 12 января 2024 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы параметры рекомбинационного излучения, возникающего в структурах биполярных транзисторов в импульсном и стационарном режимах работы. Получены яркостные профили распределения рекомбинационного излучения структуры при включении биполярных транзисторов в диодном режиме, позволяющие оценить неоднородность распределения плотности тока вдоль дорожек металлизации. На примере транзисторов КТ504А показано, что яркостные профили рекомбинационного излучения эмиттерного перехода в диодном включении хорошо описываются выражениями для распределения плотности тока вдоль дорожек металлизации. Ключевые слова: биполярные и гетеробиполярные транзисторы, рекомбинационное излучение, распределение тока, неоднородность.

В.А. Сергеев. Известия вузов. Электроника, 3, 22 (2005)
В.А. Сергеев. Известия Самарского научного центра РАН, 2, 344 (2005)
V.A. Sergeev, A.M. Khodakov. J. Commun. Technol. and Electron., 67 (11), 1400 (2022). DOI: 10.1134/S1064226922110122
M. Harris, B. Wagner, S. Halpern, M. Dobbs, C. Pagel, B. Stuffle, J. Henderson. 1999 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings. 37th Annual (Cat. No. 99CH36296) (San Diego, CA, USA), p. 127. DOI: 10.1109/RELPHY.1999.761603
F. Schuermeyer, R. Fitch, R. Dettmer, J. Gillespie, C. Bozada, K. Nakano, J. Sewell, J. Ebel, T. Jenkins, L.L. Liou. Proc. 2000 IEEE/Cornell Conference on High Performance Devices (Cat. No. 00CH37122) (Ithaca, NY., USA, 2000), p. 45. DOI: 10.1109/CORNEL.2000.902518
V. Sergeev, I. Frolov, O. Radaev. 2022 VIII Int. Conf. on Information Technology and Nanotechnology (ITNT) (Samara, 2022), p. 1

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель