Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Газофазная эпитаксия слоев AlN на наноструктурированном темплейте AlN/Si(100), синтезированном методом реактивного магнетронного распыления
Бессолов В.Н.1, Компан М.Е.1, Коненкова Е.В.1, Орлова Т.А.1, Родин С.Н.1, Соломникова А.В.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: lena@triat.mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 4 декабря 2023 г.
В окончательной редакции: 23 апреля 2024 г.
Принята к печати: 25 апреля 2024 г.
Выставление онлайн: 31 мая 2024 г.
Методами атомно-силовой микроскопии и комбинационного рассеяния света изучены слои AlN, выращенные методом газофазной эпитаксии из металлoорганических соединений на подложке Si(100), на поверхности которой сформированы симметричная V-образная наноструктура с размером элементов < 100 nm (подложка NP-Si(100)) и буферный слой AlN, полученный методом реактивного магнетронного напыления. Показано, что в процессе образования буферного слоя на начальной стадии роста осуществляется переход из симметричного состояния структурированной подложки в асимметричное состояние слоя. Обнаружено, что буферный слой, выращенный методом магнетронного напыления, находится в состоянии сжатия, а слой, выращенный методом газофазной эпитаксии, имеет меньшую величину растяжения, чем слой AlN, полученный непосредственно на NP-Si(100)-подложке. Сделано предположение, что такие текстурные буферные слои после магнетронного напыления содержат гексагональную и кубическую фазы AlN. Ключевые слова: нитрид алюминия, наноструктурированная подложка кремния, реактивное магнетронное распыление.
- M. Kneissl, T.-Y. Seong, J. Han, H. Amano. Nat. Photonics, 13, 233 (2019). DOI: 10.1038/s41566-019-0359-9
- Y. Liu, Y. Cai, Y. Zhang, A. Tovstopyat, S. Liu, C. Sun. Micromachines, 11, 630 (2020). DOI: 10.3390/mi11070630
- M. Feng, J. Wang, R. Zhou, Q. Sun, H. Gao, Y. Zhou, J. Liu, Y. Huang, S. Zhang, M. Ikeda, H. Wang, Y. Zhang, Y. Wang, H. Yang. IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., 24, 1 (2018). DOI: 10.1109/JSTQE.2018.2815906
- Y. Huang, J. Liu, X. Sun, X. Zhan, Q. Sun, H. Gao, M. Feng, Y. Zhou, M. Ikeda, H. Yang. Cryst. Eng. Comm., 22, 1160 (2020). DOI: 10.1039/C9CE01677E
- Y. Sun, K. Zhou, M. Feng, Z. Li, Y. Zhou, Q. Sun, J. Liu, L. Zhang, D. Li, X. Sun, D. Li, S. Zhang, M. Ikeda, H. Yang. Light Sci. Appl., 7, 13 (2018). DOI: 10.1038/s41377-018-0008-y.eCollection 2018
- Z. Zhang, J. Yang, D.-G. Zhao, F. Liang, P. Chen, Z.-S. Liu. Chin. Phys. B, 32, 028101 (2023). DOI: 10.1088/1674-1056/ac6b2b
- T. Takeuchi, S. Sota, M. Katsuragawa, M. Komori, H. Takeuchi, H. Amano, I. Akasaki. Jpn. J. Appl. Phys., 36, L382 (1997). DOI: 10.1143/JJAP.36.L382
- D. Rosales, B. Gil, T. Bretagnon, B. Guizal, F. Zhang, S. Okur, M. Monavarian, N. Izyumskaya, V. Avrutin, U. Ozgur, H. Morkoc, J.H. Leach. J. Appl. Phys., 115, 073510 (2014). DOI: 10.1063/1.4865959
- W.G. Scheibenzuber, U.T. Schwarz, R.G. Veprek, B. Witzigmann, A. Hangleiter. Phys. Rev. B, 80, 115320 (2009). DOI: 0.1103/PhysRevB.80.115320
- В.Н. Бессолов, Е.В. Коненкова. ЖТФ, 93 (9), 1235 (2023). DOI: 10.21883/JTF.2023.09.56211.31-23
- Q. Feng, Y. Ai, Z. Liu, Z. Yu, K. Yang, B. Dong, B. Guo, Y. Zhang. Superlattices and Microstructures, 141, 106493 (2020). DOI: 10.1016/j.spmi.2020.106493
- T. Yamada, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano. Jpn. J. Appl. Phys., 52, 08JB16 (2013). DOI: 10.7567/JJAP.52.08JB16
- I.-S. Shin, J. Kim, D. Lee, D. Kim, Y. Park, E. Yoon. Jpn. J. Appl. Phys., 57, 060306 (2018). DOI: 10.7567/JJAP.57.060306
- В.Н. Бессолов, Е.В. Коненкова, С.Н. Родин, Д.С. Кибалов, В.К. Смирнов, ФТП, 55 (4), 356 (2021). DOI: 10.21883/FTP.2021.04.50740.9562 [V.N. Bessolov, E.V. Konenkova, S.N. Rodin, D.S. Kibalov, V.K. Smirnov. Semiconductors, 55 (4), 471 (2021). DOI: 10.1134/S1063782621040035]
- В.Н. Бессолов, Н.Д. Грузинов, М.Е. Компан, Е.В. Коненкова, В.Н. Пантелеев, С.Н. Родин, М.П. Щеглов. Письма в ЖТФ, 46 (8), 29 (2020). DOI: 10.21883/PJTF.2020.08.49305.18215 [V.N. Bessolov, N.D. Gruzinov, M.E. Kompan, V.N. Panteleev, S.N. Rodin, M.P. Shcheglov. Tech. Phys. Lett., 46 (4), 382 (2020). DOI: 10.1134/S1063785020040185]
- В.Н. Бессолов, Е.В. Коненкова, Т.А. Орлова, С.Н. Родин, А.В. Соломникова. ЖТФ, 92 (5), 720 (2022). DOI: 10.21883/JTF.2022.05.52376.12-22 [V.N. Bessolov, E.V. Konenkova, T.A. Orlova S.N. Rodin, A.V. Solomnikova. Tech. Phys., 67 (5), 609 (2022). DOI: 10.21883/TP.2022.05.53677.12-22]
- W. Zheng, R. Zheng, F. Huang, H. Wu, F. Li. Photon. Res., 3 (2), 38 (2015). DOI: 10.1364/prj.3.000038
- B. Riah, A. Ayad, J. Camus, M. Rammal, F. Boukari, L. Chekour, M.A. Djouadi, N. Rouag. Thin Solid Films, 655, 34 (2018). DOI: 10.1016/j.tsf.2018.03.076
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
