Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2024, выпуск 6 » Статья стр. 944
<<<>>>
Газофазная эпитаксия слоев AlN на наноструктурированном темплейте AlN/Si(100), синтезированном методом реактивного магнетронного распыления
Бессолов В.Н.1, Компан М.Е.1, Коненкова Е.В.1, Орлова Т.А.1, Родин С.Н.1, Соломникова А.В.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: lena@triat.mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 4 декабря 2023 г.
В окончательной редакции: 23 апреля 2024 г.
Принята к печати: 25 апреля 2024 г.
Выставление онлайн: 31 мая 2024 г.
PDF версия
Методами атомно-силовой микроскопии и комбинационного рассеяния света изучены слои AlN, выращенные методом газофазной эпитаксии из металлoорганических соединений на подложке Si(100), на поверхности которой сформированы симметричная V-образная наноструктура с размером элементов < 100 nm (подложка NP-Si(100)) и буферный слой AlN, полученный методом реактивного магнетронного напыления. Показано, что в процессе образования буферного слоя на начальной стадии роста осуществляется переход из симметричного состояния структурированной подложки в асимметричное состояние слоя. Обнаружено, что буферный слой, выращенный методом магнетронного напыления, находится в состоянии сжатия, а слой, выращенный методом газофазной эпитаксии, имеет меньшую величину растяжения, чем слой AlN, полученный непосредственно на NP-Si(100)-подложке. Сделано предположение, что такие текстурные буферные слои после магнетронного напыления содержат гексагональную и кубическую фазы AlN. Ключевые слова: нитрид алюминия, наноструктурированная подложка кремния, реактивное магнетронное распыление.
  1. M. Kneissl, T.-Y. Seong, J. Han, H. Amano. Nat. Photonics, 13, 233 (2019). DOI: 10.1038/s41566-019-0359-9
  2. Y. Liu, Y. Cai, Y. Zhang, A. Tovstopyat, S. Liu, C. Sun. Micromachines, 11, 630 (2020). DOI: 10.3390/mi11070630
  3. M. Feng, J. Wang, R. Zhou, Q. Sun, H. Gao, Y. Zhou, J. Liu, Y. Huang, S. Zhang, M. Ikeda, H. Wang, Y. Zhang, Y. Wang, H. Yang. IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., 24, 1 (2018). DOI: 10.1109/JSTQE.2018.2815906
  4. Y. Huang, J. Liu, X. Sun, X. Zhan, Q. Sun, H. Gao, M. Feng, Y. Zhou, M. Ikeda, H. Yang. Cryst. Eng. Comm., 22, 1160 (2020). DOI: 10.1039/C9CE01677E
  5. Y. Sun, K. Zhou, M. Feng, Z. Li, Y. Zhou, Q. Sun, J. Liu, L. Zhang, D. Li, X. Sun, D. Li, S. Zhang, M. Ikeda, H. Yang. Light Sci. Appl., 7, 13 (2018). DOI: 10.1038/s41377-018-0008-y.eCollection 2018
  6. Z. Zhang, J. Yang, D.-G. Zhao, F. Liang, P. Chen, Z.-S. Liu. Chin. Phys. B, 32, 028101 (2023). DOI: 10.1088/1674-1056/ac6b2b
  7. T. Takeuchi, S. Sota, M. Katsuragawa, M. Komori, H. Takeuchi, H. Amano, I. Akasaki. Jpn. J. Appl. Phys., 36, L382 (1997). DOI: 10.1143/JJAP.36.L382
  8. D. Rosales, B. Gil, T. Bretagnon, B. Guizal, F. Zhang, S. Okur, M. Monavarian, N. Izyumskaya, V. Avrutin, U. Ozgur, H. Morkoc, J.H. Leach. J. Appl. Phys., 115, 073510 (2014). DOI: 10.1063/1.4865959
  9. W.G. Scheibenzuber, U.T. Schwarz, R.G. Veprek, B. Witzigmann, A. Hangleiter. Phys. Rev. B, 80, 115320 (2009). DOI: 0.1103/PhysRevB.80.115320
  10. В.Н. Бессолов, Е.В. Коненкова. ЖТФ, 93 (9), 1235 (2023). DOI: 10.21883/JTF.2023.09.56211.31-23
  11. Q. Feng, Y. Ai, Z. Liu, Z. Yu, K. Yang, B. Dong, B. Guo, Y. Zhang. Superlattices and Microstructures, 141, 106493 (2020). DOI: 10.1016/j.spmi.2020.106493
  12. T. Yamada, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano. Jpn. J. Appl. Phys., 52, 08JB16 (2013). DOI: 10.7567/JJAP.52.08JB16
  13. I.-S. Shin, J. Kim, D. Lee, D. Kim, Y. Park, E. Yoon. Jpn. J. Appl. Phys., 57, 060306 (2018). DOI: 10.7567/JJAP.57.060306
  14. В.Н. Бессолов, Е.В. Коненкова, С.Н. Родин, Д.С. Кибалов, В.К. Смирнов, ФТП, 55 (4), 356 (2021). DOI: 10.21883/FTP.2021.04.50740.9562 [V.N. Bessolov, E.V. Konenkova, S.N. Rodin, D.S. Kibalov, V.K. Smirnov. Semiconductors, 55 (4), 471 (2021). DOI: 10.1134/S1063782621040035]
  15. В.Н. Бессолов, Н.Д. Грузинов, М.Е. Компан, Е.В. Коненкова, В.Н. Пантелеев, С.Н. Родин, М.П. Щеглов. Письма в ЖТФ, 46 (8), 29 (2020). DOI: 10.21883/PJTF.2020.08.49305.18215 [V.N. Bessolov, N.D. Gruzinov, M.E. Kompan, V.N. Panteleev, S.N. Rodin, M.P. Shcheglov. Tech. Phys. Lett., 46 (4), 382 (2020). DOI: 10.1134/S1063785020040185]
  16. В.Н. Бессолов, Е.В. Коненкова, Т.А. Орлова, С.Н. Родин, А.В. Соломникова. ЖТФ, 92 (5), 720 (2022). DOI: 10.21883/JTF.2022.05.52376.12-22 [V.N. Bessolov, E.V. Konenkova, T.A. Orlova S.N. Rodin, A.V. Solomnikova. Tech. Phys., 67 (5), 609 (2022). DOI: 10.21883/TP.2022.05.53677.12-22]
  17. W. Zheng, R. Zheng, F. Huang, H. Wu, F. Li. Photon. Res., 3 (2), 38 (2015). DOI: 10.1364/prj.3.000038
  18. B. Riah, A. Ayad, J. Camus, M. Rammal, F. Boukari, L. Chekour, M.A. Djouadi, N. Rouag. Thin Solid Films, 655, 34 (2018). DOI: 10.1016/j.tsf.2018.03.076

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme